9月12日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士宣布，已成功開發(fā)出面向人工智能的新一代超高性能存儲(chǔ)器HBM4，并在全球范圍內(nèi)率先建立了該產(chǎn)品的量產(chǎn)體系。

SK海力士表示：“我們成功開發(fā)出將引領(lǐng)AI新時(shí)代的HBM4，并憑借這一技術(shù)成果，首次在全球構(gòu)建HBM4量產(chǎn)體系，再次彰顯了我們?cè)贏I存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）通過垂直堆疊多個(gè)DRAM芯片，顯著提升了數(shù)據(jù)處理速度。該技術(shù)目前已迭代至第六代，包括HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E和HBM4。

全新的HBM4采用了2048條數(shù)據(jù)傳輸通道，數(shù)量為上一代的兩倍，不僅實(shí)現(xiàn)帶寬翻倍，能效也提升超過40%，達(dá)到了全球領(lǐng)先的數(shù)據(jù)傳輸速度和能效水平。

SK海力士預(yù)測，將該產(chǎn)品應(yīng)用于客戶系統(tǒng)后，可最高提升AI服務(wù)性能69%，不僅能夠從根本上緩解數(shù)據(jù)瓶頸，還可大幅降低數(shù)據(jù)中心的電力成本。

此外，HBM4的運(yùn)行速度達(dá)到10Gbps以上，明顯高于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的8Gbps。

公司在HBM4開發(fā)過程中采用了自主先進(jìn)的MR-MUF技術(shù)和第五代10納米級(jí)（1b）DRAM工藝，這些技術(shù)已在產(chǎn)品穩(wěn)定性方面獲得市場認(rèn)可，有助于最大限度降低量產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。