元器件選擇
R1和R4均選用1/2W金屬膜電阻器;R2、R3和R5~R8均選用1/4W金屬膜電阻器。
C1選用耐壓值為25V的鋁電解電容器;C2選用耐壓值大于16V的鋁電解電容器;C3選用滌綸電容器或獨石電容器。
VD1~VD4均選用1N5408型硅整流二極管;VD5~VD8均選用1N4148型硅開關(guān)二極管。
VS選用1N4742型(1W、12V)的硅穩(wěn)壓二極管。
V選用C8050或S8050、3DG180N等型號的硅NPN晶體管。
VT選用反向擊穿電壓為400V以上的晶閘管,其電流容量應根據(jù)EL1和EL2的總功率而定。
IC選用CD4069型六非門集成電路(使用其內(nèi)部的四個非門),也可用CD4011型四與非門集成電路代替,使用時將四個與非門接成非門電路使用。
