頭條 英偉達官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構！ 早在2024年10月，英偉達在RISC-V北美峰會上透露，其在2015年就選定將RISC-V選定為其專有Falcon微控制器（MCU）的繼任架構。由于 MCU 內核是通用的，因此可以在英偉達的產品中廣泛使用。根據英偉達當時的預計，2024年英偉達將交付10億個內置于其 GPU、CPU、SoC 和其他產品中的 RISC-V 處理器，這也凸顯了定制 RISC-V 內核在英偉達硬件中的普遍性和重要性。 在此次RISC-V中國峰會上，Frans Sijstermanns也指出，英偉達是RVI和RISE的董事會成員和技術委員會代表，也是相關規范的貢獻者。英偉達產品中的微控制器都是基于RISC-V架構，具有可配置、可擴展和安全保護功能，并且也被集成在30多個IP中，每年出貨量超過10億個RISC-V MCU。 最新資訊 新能源汽車和智能網聯汽車"車芯協同"創新與產業發展論壇成功舉辦 新能源汽車和智能網聯汽車“車芯協同”創新與產業發展論壇成功舉辦 發表于：5/28/2024 基于深度學習的可視化圖表分類方法研究 可視化圖表的分類研究對于圖表理解和文檔解析具有很大的意義。分別通過爬蟲和軟件生成的方式，構建了兩個包含16類常見圖表的數據集，該數據集在數量、類型和樣式豐富性上具有一定的優勢。在3個數據集上實驗對比了Transformer架構和卷積神經網絡架構的模型，結果表明Transformer架構在圖表分類任務上具有一定優勢。基于Swin Transformer模型，設計了多種數據增強策略，在增加模型泛化性的同時也引入了分布差異；通過對不同策略訓練出的模型預測進行均值融合，同單模型相比分類性能有較大提升。在6個測試集上對集成模型進行了測試，分類準確率均大于0.9；對于圖像質量高、視覺形式簡單的生成圖表，模型分類準確率接近1。 發表于：5/27/2024 基于Innovus改善芯片繞線資源的電源網絡布線方法 隨著集成電路的集成度越來越高，芯片的面積越來越小，芯片內單元密度會隨之增加，這將為芯片的后端物理設計帶來諸多的挑戰。其中芯片面積的減小直接影響布線資源，導致布線擁塞，以此造成芯片線路無法繞通以及時序和串擾的問題。提出了一種改進的電源網絡的布線方法，極大提升了信號線的走線空間利用率，有效解決了高集成度芯片的短路問題。 發表于：5/27/2024 基于先進CMOS工藝的多通道Gbps LVDS接收器 在SIP（System In a Package）系統中集成具有LVDS（Low-Voltage Differential Signal）接口的多通道高速模數轉換器（Analog-to-Digital Converter，ADC）時，面臨不同LVDS輸出通道延時不同所導致的數據采集錯誤的問題，為此設計了一個多通道自適應LVDS接收器。通過采用數據時鐘恢復技術產生一個多相位的采樣時鐘，并結合ADC的測試模式來確認每一個通道的采樣相位，能夠自動對每一個通道的延時分別進行調整，以達到對齊各通道采樣相位點，保證數據正確采集的目的。最后，基于先進CMOS工藝進行了接收器的設計、仿真、后端設計實現和流片測試，仿真和流片后的板級測試結果均表明該接收器能夠對通道延遲進行自動調節以對齊采樣相位，且最大的采樣相位調節范圍為±3 bit，信噪比大于65 dB，滿足了設計要求和應用需求。 發表于：5/27/2024 基于智能合約的農業供應鏈溯源技術研究 食品安全和污染風險相關的問題越來越多，迫切需要高效的追溯解決方案。通過溯源可以高效追溯食品的源頭，并且進行追責，從而提高食品安全。為此設計了一個基于以太坊智能合約的農業供應鏈溯源機制，該機制通過引入NFT技術，優化了區塊鏈農產品溯源過程。實驗結果表明，所提出的供應鏈框架在成本效益、溯源效率方面優于現有的區塊鏈溯源基準技術。 發表于：5/27/2024 國家大基金三期正式成立，注冊資本 3440 億元超前兩期總和 5 月 27 日消息，國家大基金三期（國家集成電路產業投資基金三期股份有限公司）已于 5 月 24 日正式成立，注冊資本達 3440 億元人民幣超前兩期總和，法定代表人為張新。 發表于：5/27/2024 紫光入局存儲市場：發布紫光閃存系列固態硬盤 紫光入局存儲市場：發布“紫光閃存”系列固態硬盤 發表于：5/24/2024 蘇姿豐公開AMD處理器野心：3年內能效提升100倍！ 蘇姿豐公開AMD處理器野心：3年內 能效提升100倍！ IMEC(比利時微電子研究中)舉辦的ITF World 2024大會上，AMD董事長兼CEO蘇姿豐博士領取了IMEC創新大獎，表彰其行業創新與領導——戈登·摩爾、比爾·蓋茨也都得到過這個榮譽。 發表于：5/24/2024 微星打造全球首款DDR5 CAMM2內存主板 微星打造全球首款DDR5 CAMM2內存主板 發表于：5/24/2024 三星HBM內存芯片因發熱和功耗問題未通過英偉達測試 消息稱三星 HBM 內存芯片因發熱和功耗問題未通過英偉達測試 發表于：5/24/2024 ?…180181182183184185186187188189…?
