頭條 英偉達官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構！ 早在2024年10月，英偉達在RISC-V北美峰會上透露，其在2015年就選定將RISC-V選定為其專有Falcon微控制器（MCU）的繼任架構。由于 MCU 內核是通用的，因此可以在英偉達的產品中廣泛使用。根據英偉達當時的預計，2024年英偉達將交付10億個內置于其 GPU、CPU、SoC 和其他產品中的 RISC-V 處理器，這也凸顯了定制 RISC-V 內核在英偉達硬件中的普遍性和重要性。 在此次RISC-V中國峰會上，Frans Sijstermanns也指出，英偉達是RVI和RISE的董事會成員和技術委員會代表，也是相關規范的貢獻者。英偉達產品中的微控制器都是基于RISC-V架構，具有可配置、可擴展和安全保護功能，并且也被集成在30多個IP中，每年出貨量超過10億個RISC-V MCU。 最新資訊 三星半導體公布新品路線圖 3 月 21 日消息，三星半導體日前在官方公眾號上公布了新品路線圖，其中包含了 UFS 4.0 4 和 UFS 5.0 。 發表于：3/21/2024 英特爾：32G將成AI PC入門級標配 3月21日消息，日前，2024中國閃存市場峰會在深圳舉行，本屆峰會主題為“存儲周期 激發潛能”。 據媒體報道，英特爾中國區技術部總經理高宇在峰會上表示，未來入門級AI PC一定是標配32G內存，當前16G內存一定會被淘汰。 發表于：3/21/2024 國內首枚，硅臻芯片量子芯片通過國家商密檢測 國內首枚，硅臻芯片量子芯片通過國家商密檢測 發表于：3/21/2024 更快更小！三星二代QLC閃存技術公開：速度直接翻倍！ 更快更小！三星二代QLC閃存技術公開：速度直接翻倍！ 3 月 21 日消息，根據三星半導體近日在官方公眾號公布的新品線路圖顯示，三星將計劃推出 UFS 4.0 以及 UFS 5.0。 發表于：3/21/2024 三星正研發 CMM-H 混合存儲模組 3 月 21 日消息，據三星半導體微信公眾號發布的中國閃存市場峰會 2024 簡報，其正研發 CMM-H 混合存儲 CXL 模組。該模組同時包含 DRAM 內存和 NAND 閃存。 作為一種新型高速互聯技術，CXL 可提供更高的數據吞吐量和更低的傳輸延遲，可在 CPU 和外部設備間建立高效連接。 根據三星給出的圖示，這一模組可經由 CXL 界面直接在閃存部分和 CPU 之間傳輸塊 I / O，也可經由 DRAM 緩存和 CXL 界面實現 64 字節的內存 I / O 傳輸。 發表于：3/21/2024 多源極軌衛星微波溫度計資料實時區域同化系統 基于中尺度數值預報模式WRF和WRFDA同化系統，實現多源極軌衛星微波溫度計資料實時區域同化，并對同化產品進行評估和應用。2018年同化試驗結果表明：通過質量控制和偏差訂正，AMSU-A資料第5~9通道亮溫觀測增量O-B（觀測值O和背景場的正演輻射模擬值B的差值）的標準差有效降低，同化后各通道亮溫分析殘差O-A（觀測值O和分析場的正演輻射模擬值A的差值）的標準差有效降低。同化預報產品被應用在暴雨強對流個例和臺風個例中，取得良好效果。 發表于：3/20/2024 基于改進YOLOv5的路面裂縫檢測方法 針對現有裂縫檢測模型體積較大且檢測精度不高的問題，提出一種基于輕量化網絡的無人機航拍圖像裂縫檢測方法。首先，使用MobileNetv3網絡替代YOLOv5的主干網絡，降低模型大小；其次，引入C3TR和CBAM模塊提高網絡表征能力，將損失函數替換為EIOU以提高模型的魯棒性。實驗結果表明，該方法在自制數據集上獲得98.9%的精度，相較于原始YOLOv5提高1.2%，模型大小減小51.5%，檢測速度提高37%。改進后的模型在精度、大小和速度上均優于Faster-RCNN等4種常見裂縫檢測模型，滿足了裂縫檢測的實時性、輕量化和精度需求。 發表于：3/20/2024 華為自研存儲細節曝光：功耗、速度完秒SSD 3月20日消息，據國外媒體報道稱，華為正在積極研發一種前沿的“磁電”存儲技術，該技術有望徹底改變數據存儲行業的格局。 據悉，這種新型“磁電磁盤”（MED）技術不僅在速度上遠超現有的SSD等存儲設備，更在能效和容量上實現了前所未有的突破。 在能耗方面，新型“磁電”存儲每PB耗電僅為71W，相比傳統的磁性硬盤驅動器（HDD）節能高達90%，這無疑為數據中心和大型企業節省了大量的能源成本。 在性能方面，華為預計每機架的MED性能將達到驚人的8GB/s，這一速度比檔案磁帶裝置的最高性能提升了2.5倍。這將極大地提升數據中心的數據遷移速度，使其在處理大規模 發表于：3/20/2024 華碩推出基于英偉達MGX的數據中心解決方案 華碩推出基于英偉達 MGX 的數據中心解決方案，滿足 AI 人工智能服務器需求 發表于：3/20/2024 RTX 50升級臺積電4NP工藝：但其實還是5nm 3月20日消息，NVIDIA剛發布的B100/B200 AI GPU將制造工藝從4N升級到4NP，集成晶體管也從800億個增加到1040億個/2080億個，而同樣基于Blackwell架構的RTX 50系列游戲GPU也會同步跨越。 發表于：3/20/2024 ?…200201202203204205206207208209…?
