前言：
在全球經(jīng)濟發(fā)展一體化的情況下，科技大國之間的博弈極易對科技領(lǐng)域發(fā)展起到重大影響。
中國正在規(guī)劃制定一套全面的新政策，以發(fā)展本國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，應(yīng)對美國政府的限制。
即將大力發(fā)展的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃，計劃在2021－2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主，不再受制于人。
半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)過近六十年的發(fā)展，目前已經(jīng)發(fā)展形成了三代半導(dǎo)體材料，第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵、銻化銦；第三代半導(dǎo)體材料是寬禁帶半導(dǎo)體材料，其中最為重要的就是SiC和GaN。
按業(yè)內(nèi)定義，第三代半導(dǎo)體材料是指帶隙寬度明顯大于硅（Si）的寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石等，因其禁帶寬度大于或等于2．3電子伏特，又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。
其具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及高輻射等惡劣條件的新要求。
與前兩代相比，第三代半導(dǎo)體材料在分子結(jié)構(gòu)方面顯得更加優(yōu)越，不但可以降低50％以上的能量損失，而且還可以使裝備體積減小75％以上。
第三代半導(dǎo)體更重要的意義是在功率器件領(lǐng)域，通過其特殊的材料特性，改進相關(guān)芯片及器件性能。
第三代半導(dǎo)體與國際差距沒有一、二代半導(dǎo)體明顯。先發(fā)優(yōu)勢是半導(dǎo)體行業(yè)的特點，比如碳化硅SiC，國產(chǎn)廠商研究起步時間與國外廠商相差不多，因此國產(chǎn)廠商有希望追上國外廠商，完成國產(chǎn)替代。
未來三年，SiC材料將成為IGBT和MOSFET等大功率高頻功率半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)材料，被廣泛用于交流電機、變頻器、照明電路、牽引傳動領(lǐng)域。預(yù)計到2022年SiC襯底市場規(guī)模將達到9．54億元。
未來隨著5G商用的擴大，現(xiàn)行廠商將進一步由原先的4G設(shè)備更新至5G。5G基地臺的布建密度更甚4G，而基地臺內(nèi)部使用的材料為GaN材料，預(yù)計到2022年GaN襯底市場規(guī)模將達到5．67億元。
第三代已上升到國家戰(zhàn)略層面
2015－2016年，國家科技重大轉(zhuǎn)型對第三代半導(dǎo)體功率器件的研制和應(yīng)用立項。
2016年，國務(wù)院就印發(fā)《“十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃》，啟動一批面向2030年的重大項目，第三代半導(dǎo)體被列為國家科技創(chuàng)新2030重大項目“重點新材料研發(fā)及應(yīng)用”。
此外，“中國制造2025”計劃中明確提出要大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，要求2025年實現(xiàn)在5G通信、高效能源管理中的國產(chǎn)化率達到50％；在新能源汽車、消費電子中實現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用，在通用照明市場滲透率達到80％以上。
8月4日，國務(wù)院公開發(fā)布《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》強調(diào)，集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)的核心，是引領(lǐng)新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量，其中重點強調(diào)，中國芯片自給率要在2025年達到70％。
我國《電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展指南（2015—2020年）》規(guī)劃，到2020年我國分散式充電樁的目標是超過480萬個，以滿足全國500萬輛電動汽車充電需求，車樁比近1∶1。充電模塊是充電樁的核心部件，其成本占設(shè)備總成本的50％。
第三代半導(dǎo)體材料無論在軍事領(lǐng)域還是民用都有廣泛的用途，國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)政策中多次提到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體器件，寫入“十四五”規(guī)劃也是早有跡象。
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略意義非凡，但國內(nèi)該產(chǎn)業(yè)仍處起步階段，在研發(fā)、生產(chǎn)方面明顯落后于美日歐，隨著國家將其納入“十四五”規(guī)劃，政策利好必將引爆產(chǎn)業(yè)投資熱潮。
中國半導(dǎo)體行業(yè)危機猶存
中國半導(dǎo)體行業(yè)的危機不是處在中下游，而是出在上游。如果沒有好的原材料和精密的設(shè)備，即使在制造階段設(shè)計的再完美，操作的再精準，也很難和國際頂尖的產(chǎn)品進行競爭。
上游的半導(dǎo)體原料被日本企業(yè)信越和SUMCO壟斷，兩家?guī)缀跽剂耸袌龇蓊~的65％。而在半導(dǎo)體制造設(shè)備方面位于前列的則是美國、日本和荷蘭的企業(yè)，在筆者的記憶里，這個領(lǐng)域排名前十的企業(yè)全是這三個國家的，其所占的市場總份額達到了市場的九成。
而隨著中美關(guān)系的惡化，中國企業(yè)從海外采購零部件和芯片制造技術(shù)正面臨越來越多的困難。
而且隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動的新計算時代的發(fā)展，對半導(dǎo)體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛。
以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體開始逐漸受到市場的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料、器件、模塊和應(yīng)用等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈，全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級已經(jīng)開始。
中國2020年芯片進口預(yù)計將連續(xù)第三年保持在3000億美元以上。而根據(jù)國務(wù)院發(fā)布的相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，中國芯片自給率2019年僅為30％左右。
或成國產(chǎn)化重要抓手
目前，第三大半導(dǎo)體材料市場呈現(xiàn)出美日歐玩家領(lǐng)先的格局，相比之下，中國的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)稍顯貧弱，在技術(shù)領(lǐng)先度、市場份額占比等方面較落后。
細究美日歐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先的原因，離不開美日歐政府的政策推動，這些國家更早地意識到了第三代半導(dǎo)體材料在通信、軍工、航空航天等領(lǐng)域的戰(zhàn)略意義，并較早地開始了有針對性的布局。
近些年來，中國的對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重視亦已凸顯，不論是新基建對5G、集成電路的重視，還是兩期國家大基金的成立，都為芯片產(chǎn)業(yè)提供了土壤，也將惠及半導(dǎo)體材料的創(chuàng)新。
但是，盡管我國在第三代半導(dǎo)體材料的布局方面稍顯落后，但并未遭遇“卡脖子”的情況。
另外，我國第三代半導(dǎo)體器件市場有著巨大的增長空間，或能成為倒逼上游材料發(fā)展的一大動力。
隨著全球通信、新興的電子科技繼續(xù)發(fā)展，對第三代半導(dǎo)體材料的市場需求必將繼續(xù)增長。盡管其占據(jù)市份不足5％，但從另一個角度來看，這亦代表著第三大半導(dǎo)體材料市場是一片有巨大潛在增量空間的藍海。
今年將編制“十四五”期間大數(shù)據(jù)、軟件、信息通信等產(chǎn)業(yè)規(guī)劃，消息指出，2020年是開啟國家“十四五”新征程的基礎(chǔ)之年，工信部將高質(zhì)量編制“十四五”期間大數(shù)據(jù)、軟件、信息通信等產(chǎn)業(yè)規(guī)劃。
隨著第三代半導(dǎo)體材料的成本因生產(chǎn)技術(shù)的不斷提升而下降，其應(yīng)用市場也將迎來爆發(fā)式增長，給半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的發(fā)展機遇。
未來，新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域都將規(guī)模應(yīng)用第三代半導(dǎo)體，隨著中國在高科技領(lǐng)域的領(lǐng)跑，第三代半導(dǎo)體發(fā)展可以換道超車。
結(jié)尾：
在這樣的大背景下，時值我國第十三個五年計劃臨近尾聲，第十四個五年計劃的編制工作正在啟動，我國將國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展寫入下一個5年計劃的規(guī)劃中顯得順理成章。
中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展是非常有必要，國內(nèi)崛起也必將大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以保證中國的電子信息產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)定發(fā)展。