三星電子和SK Hynix希望開始半導(dǎo)體制造工藝的新時代。其中，三星電子計劃量產(chǎn)業(yè)界首批采用3納米環(huán)繞式棧極（gate-all-around，簡稱GAA）工藝制造的尖端芯片；SK海力士則正準(zhǔn)備生產(chǎn)基于極紫外光刻 （EUV）技術(shù)的DRAM。

　　GAA和EUV DRAM是核心技術(shù)，將分別領(lǐng)導(dǎo)全球系統(tǒng)半導(dǎo)體（晶圓廠）和DRAM市場。一旦它們成功實現(xiàn)了GAA和EUV DRAM的商業(yè)化，韓國與其他國家之間的差距以及韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的地位將進(jìn)一步擴大和提高。

　　三星電子和SK Hynix在“電子周刊”主辦的“技術(shù)周2020 LIVE”的第一天宣布了關(guān)于這些下一代半導(dǎo)體技術(shù)的戰(zhàn)略。

　　三星電子宣布，計劃通過獲得IBM和NVIDIA的下一代CPU和GPU訂單，在全球晶圓代工市場中占有一席之地，以其GAA技術(shù)開拓下一代市場。

　　“我們相信我們的GAA技術(shù)是世界上最先進(jìn)的。” 三星晶圓代工廠執(zhí)行董事姜文說。“我們計劃基于我們的GAA技術(shù)批量生產(chǎn)業(yè)界首批半導(dǎo)體。”

　　GAA技術(shù)比目前最常用于半導(dǎo)體制造工藝的FinFET技術(shù)先進(jìn)。與FinFET技術(shù)如何將柵極放置在通道的三個側(cè)面上不同，GAA技術(shù)覆蓋了通道的所有四個側(cè)面并更精確地控制電流，被視為實現(xiàn)高性能半導(dǎo)體和小于3nm的半導(dǎo)體的合適技術(shù)。

　　三星電子和臺積電是唯一開始開發(fā)GAA流程的公司。因此，如果三星電子能夠比臺積電更早地批量生產(chǎn)基于GAA技術(shù)的半導(dǎo)體，那么它將有機會抓住在全球晶圓代工市場落后甚至超越臺積電的機會。據(jù)悉，三星電子在GAA技術(shù)和商業(yè)化方面已取得了重大進(jìn)展，因為它有信心將成為業(yè)內(nèi)第一家基于GAA技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)半導(dǎo)體的公司。

　　《電子時報》舉辦的<2020年技術(shù)周活動的首日活動于周三在Spigen Hall在線直播

　　SK Hynix即將批量生產(chǎn)基于EUV工藝的下一代DRAM。“我們計劃從第四代10nm（1a）DRAM開始應(yīng)用EUV工藝。” 負(fù)責(zé)SK海力士未來技術(shù)研究所的林昌文說。“我們希望在明年初開始批量生產(chǎn)。”

　　EUV是一種具有13.5納米短波長的光源。與其他光源相比，其波長短十倍。這表明EUV能夠在半導(dǎo)體晶圓上創(chuàng)建更精細(xì)，更詳細(xì)的圖案。同樣，它能夠減少工藝數(shù)量，而其他光源需要多次光刻工藝以實現(xiàn)微電路。較少的過程導(dǎo)致簡化的半導(dǎo)體制造過程，從而大大提高了生產(chǎn)率。

　　三星電子，SK Hynix和美光約占全球DRAM市場的94％，而三星電子和SK Hynix約占74％。盡管由于這三家公司的寡頭壟斷而建立了市場，但美光尚未將EUV流程引入其產(chǎn)品，從而導(dǎo)致了市場的寡頭結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化，而這種變化似乎并沒有改變。由于三星電子還希望通過自己的EUV DRAM技術(shù)來與眾不同，因此韓國的存儲器半導(dǎo)體市場再次面臨著飛躍的機會。

　　EUV DRAM對于縮小韓國半導(dǎo)體公司與積極追逐韓國公司的中國半導(dǎo)體公司之間的差距特別有用。“盡管韓國半導(dǎo)體公司希望基于EUV工藝批量生產(chǎn)1a產(chǎn)品，但中國公司去年只能批量生產(chǎn)第一代10nm（1x）DRAM，而今年僅能夠基于第二代10nm（1y）DRAM。EUV流程。” 韓國進(jìn)出口銀行對外經(jīng)濟研究所說。“由于EUV設(shè)備的昂貴成本和有限的供應(yīng)能力，韓國公司很有可能將自己與中國公司分開。”