12月22日，上交所正式受理了江蘇宏微科技股份有限公司提交的科創(chuàng)板上市申請，保薦機構為民生證券，擬募資5．58億元，用于投建新型電力半導體器件產業(yè)基地項目、研發(fā)中心建設項目、償還銀行貸款及補充流動資金項目。

圖片摘自宏微科技官網

招股書顯示，宏微科技從事IGBT、FRED為主的功率半導體芯片、單管、模塊和電源模組的設計、研發(fā)、生產和銷售，并為客戶提供功率半導體器件的解決方案。

宏微科技官網也顯示，其業(yè)務范圍主要包括：1、設計、研發(fā)、生產和銷售新型電力半導體芯片、分立器件及模塊，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、標準模塊及用戶定制模塊（CSPM）；2、高效節(jié)能電力電子裝置的模塊化設計、制造及系統(tǒng)的解決方案，如動態(tài)節(jié)能照明電源、開關電源、UPS、逆變及變頻裝置等。

IGBT是工業(yè)控制及自動化領域的核心元器件，屬于國家戰(zhàn)略高新技術及核心關鍵技術。

據悉，宏微科技目前已具備并掌握先進的IGBT、FRED芯片設計能力、工藝設計能力、模塊的封裝設計與制造能力、特性分析與可靠性研究能力、器件的應用研究與失效分析能力。宏微科技在IGBT、FRED等功率半導體芯片、單管和模塊的設計、封裝和測試裝等方面積累了不少的優(yōu)秀核心技術，其中芯片領域的核心技術主要包括微細溝槽柵、多層場阻斷層、虛擬元胞、逆導集成結構等IGBT芯片設及制造技術；軟恢復結構、非均勻少子壽命控制技術等FRED芯片設計及制造技術；高可靠終端設計等高壓MOSFET芯片設計及制造技術等。宏微自主研發(fā)設計的芯片是宏微科技模塊產品具有高性價比的主要競爭力之一。

募資5．58億，投建電力半導體器件項目等

招股書顯示，宏微科技擬募資5．58億元，投建于新型電力半導體器件產業(yè)基地項目、研發(fā)中心建設項目、償還銀行貸款及補充流動資金項目。宏微科技稱，本次募集資金投資項目均系圍繞公司主營業(yè)務與核心技術進行。

截圖自宏微科技招股書

「新型電力半導體器件產業(yè)基地項目」主要系在現有技術和現有工藝基礎上通過擴充生產線，通過配置高性能的生產硬件設備和自動化設備，并引入制造企業(yè)生產過程執(zhí)行管理系統(tǒng)等……為高端IGBT產品的生產奠定基礎，以更好地滿足下游客戶的需求。

「研發(fā)中心建設項目」主要圍繞「新能源領域的IGBT芯片與封裝技術」、「高電流密度、大功率IGBT芯片與模塊」、「SiC功率器件」、「用戶定制模塊」等研發(fā)方向，購置先進研發(fā)設備、測試儀器及專業(yè)軟件，引進高素質的研發(fā)技術人才，進行多個前沿方向的研發(fā)……研發(fā)中心建成后……（宏微科技）能夠同時進行芯片和模塊方向多個項目的研發(fā)，提高研發(fā)效率，增強核心技術競爭力。

宏微科技還聲稱，現已掌握核心的IGBT、FRED芯片設計、制造、測試及可靠性技術，開發(fā)出IGBT、FRED芯片及單管產品100余種，IGBT、FRED、整流橋及晶閘管等模塊產品400余種，電流范圍從3A到1000A，電壓范圍從60V到2000V，產品類型齊全。