日前，市場分析機構(gòu)Yole Développement 發(fā)布了2020年第四季度復合半導體季度市場監(jiān)測報告。據(jù)報告預測，截至2025年，GaN RF3器件市場整體規(guī)模將超過20億美元。Yole進一步指出，在2019年至2025年間，GaN RF的 CAGR為12%。而這一市場的發(fā)展動力來自電信和國防應用。

　　Yole化合物半導體監(jiān)測團隊的技術(shù)與市場分析師Ahmed Ben Slimane博士稱：“在充滿活力的5G基礎(chǔ)設(shè)施市場中，追求更高效天線類型的競賽從未停止。從RRH向AAS的技術(shù)轉(zhuǎn)型將把射頻前端技術(shù)從少數(shù)高功率射頻產(chǎn)品線變?yōu)榇罅康凸β噬漕l產(chǎn)品線”。

　　同時，在Sub-6GHz和毫米波頻段部署的更高頻率促使各OEM尋找?guī)捀蟆⑿矢摺峁芾砀玫男滦吞炀€技術(shù)平臺。在此背景下，氮化鎵技術(shù)在射頻功率應用中已構(gòu)成對LDMOS8和砷化鎵的真正競爭，它的性能和可靠性都在持續(xù)提升，可能實現(xiàn)系統(tǒng)級的成本降低。

　　繼GaN-on-SiC對4G LTE電信基礎(chǔ)設(shè)施市場的滲透之后，這項技術(shù)在5G sub-6Hz RRH的實施中也有望保持強勢地位。然而，在5G sub6Ghz AAS的新興細分市場——大型MIMO部署中，氮化鎵和LDMOS之間的競爭仍在繼續(xù)。盡管具有成本效益的LDMOS技術(shù)在sub-6GHz頻段的高頻性能方面持續(xù)取得顯著進展，但 GaN-on-SiC能帶來出色的帶寬、PAE和功率輸出。

　　但Yole表示，在電信基礎(chǔ)設(shè)施中，美國對華為的相關(guān)制裁在2019年延緩了基于GaN的RRH市場發(fā)展，并促使OEMs在接下來的幾年重組供應鏈。盡管如此，GaN 的長期部署仍將保持不變。

　　在AAS中，帶寬的增加將有利于GaN的應用。未來幾年中GaN在小型基站和回程連接中也將有頗為引人矚目的部署。

　　在軍事應用中，政府為提升國家安全而替換基于TWT的系統(tǒng)，這方面的投資使得國防仍將是GaN射頻市場的主要推動力之一。“雷達是軍事應用中的一大動力，這主要是由于基于GaN的新型AESA系統(tǒng)中 T/R 模塊的增加和對空中飛行系統(tǒng)中輕型期間的嚴苛要求”，Yole的技術(shù)與市場分析師Ahmed Ben Slimane 博士詳細解釋道，他補充說：“GaN射頻軍用市場將以22%的CAGR 增長，其總價值將在2025年超過11億美元。”

　　對于手持設(shè)備，GaN的高性能和較小的外型封裝可能會吸引OEM。是否采用GaN PA將取決于GaN的技術(shù)成熟度、供應鏈、成本，以及OEM的策略在接下來五年中的變化。

　　Yole還分享了對市場當前動態(tài)和未來演變的看法。

　　在談GaN RF的同時，Yole還對GaAs RF的未來做了預測。按照他們提供的數(shù)據(jù)，射頻砷化鎵裸片市場規(guī)模將從2019年的28億美元左右增值2025年的36億美元以上。驅(qū)動該市場增長的是手機應用領(lǐng)域?qū)?G和 WiFi 6的需求增加。

　　Yole指出，隨著每部手機上的PA含量不斷增加，手機市場已成為砷化鎵器件發(fā)展的一大動力。

　　一般來說，4G LTE手機需要覆蓋多個頻段，因此每部手機上就需要越來越多的 PA。5G技術(shù)對PA的需求量至少是4G對PA的需求量的2倍。此外，對線性度和功率的嚴格要求使砷化鎵成為射頻FEM中PA材料的理想選擇。

　　他們指出，盡管CMOS能令每個芯片的成本更低，但在模塊層面和性能方面，它不一定比GaAs更具優(yōu)勢。

　　“對于提高移動設(shè)備的連接性，Wi-Fi 6從2019年開始進入市場”，Yole化合物半導體與新興材料業(yè)務部的技術(shù)與市場分析師Poshun Chiu解釋道。他補充說：“一些OEM推出了支持Wi-Fi 6的新機型：2019年第一季度三星的Galaxy S10、2019年第三季度蘋果的iPhone11，以及在2020年第一季度，小米成為了首家擁有Wi-Fi 6技術(shù)的中國手機公司。與傳統(tǒng)解決方案相比，GaAs解決方案以其在線性度和高功率輸出方面的表現(xiàn)越來越受到人們的關(guān)注。”