1月19日，湖南三安半導體項目最大單體M2B芯片廠房完成封頂。標志著湖南三安第三代半導體產業園項目(一期)Ⅰ標段主體工程完工，預計今年6月份有望實現全面投產。

此前，湖南三安半導體項目（一期）Ⅰ標段已相繼完成M3器件封裝廠房、M4碳化硅長晶廠房和濺鍍廠房位主體結構封頂。

據了解，湖南三安半導體項目總占地面積1000畝，總投資160億元，項目分兩期建設，主要包含碳化硅長晶、襯底、外延、芯片、器件封裝等廠房及相關配套設施建設，項目產品為高質量、低成本、高穩定性碳化硅襯底及各類器件，可廣泛用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和無線(5G)通訊等。

湖南三安半導體有限責任公司項目管理部經理張博若表示，項目全部建成后預計可實現年產值120億元以上，可直接提供4500個就業崗位，并帶動上下游配套產業產值預計超1000億元，提供近10000個就業崗位。

第三代半導體材料及器件已成為當前全球半導體材料產業的前沿和制高點之一，引發了新一代科技變革，屬于國家重點支持的戰略性新興產業。項目的實施將推動長沙先進半導體產業的壯大，助力長沙在化合物半導體領域形成國內領先地位。