根據TrendForce集邦咨詢調查顯示，由于目前三大原廠產能吃緊，DRAM市場仍處供不應求情況，整體市況已正式進入上漲周期，原廠看準機會大幅調升specialty DRAM月報價，帶動部分顆粒單月價格漲幅逼近雙位數(shù)；其中以越小容量、越利基的產品漲幅最大。

　　以2月合約價來看，DDR2及DDR3的漲幅仍高；DDR4則受到DDR3的追價而持續(xù)上揚，目前在specialty DRAM中仍屬最大宗應用的DDR3 4Gb，其顆粒均價單月漲幅約6.8%。

　　TrendForce集邦咨詢進一步表示，長期由臺廠主導的DDR3 2Gb嚴重缺貨的情況持續(xù)，有價無量已成該產品常態(tài)，而追價者成為造成市場高低價價差擴大的主因，本月均價漲幅近9%。

　　DDR4 4Gb受到DDR3 4Gb的上揚所迫，三星（Samsung）本月價格明顯拉升，促使低價及均價成長約6%；DDR4 8Gb則隨著主流server與PC走勢而上，漲幅約4%。

　　必須說明的是，此為因應月合約所做的價格調整，以反應當下市場狀況，但若細究部分tier-one客戶采取季度合約議價（quarterly lock-in deal）者，其整季價格則不受此月價格影響。

　　三大原廠DDR3產出仍緩步下滑，臺廠彈性調配產能求獲利最大化

　　在目前specialty DRAM市況火熱的情況下，DDR3的獲利水平逐漸高過DDR4及邏輯IC產品，也帶動供應商的策略開始有所調整。

　　韓廠方面，三星（Samsung）規(guī)劃將Line 13持續(xù)轉換至CMOS Image Sensor的長期策略不變，然受到近期價格強勁上漲影響，其稍有縮減原先規(guī)劃的產能進度。SK海力士（SK Hynix）亦采相同策略，舊廠M10于去年底調降產能后，2021年基本上都維持在相似水位。

　　隨著最先進的1Z及1 alpha nm良率有所拉升，美光（Micron）將逐步增加先進制程投片比重，因此部分20nm及更成熟的制程礙于臺灣廠區(qū)空間有限，未來會慢慢挪往位于美國的Fab 6。

　　整體而言，三大原廠的DDR3產出仍持續(xù)下滑，然下滑速度較原先預期趨緩。

　　臺廠方面，南亞科（Nanya Tech）目前已將部分20及30nm的DDR4投片轉換回DDR3。

　　華邦（Winbond）近年重心皆在Flash業(yè)務，DRAM產能在高雄路竹廠完工前都將受到限制，因此該公司選擇重點支持DDR2及DDR3 1/2Gb小容量產品，也因華邦在該領域擁有相對更高的市占率，掌握更多定價優(yōu)勢。

　　力積電（PSMC）先前主要鎖定在邏輯IC代工，但隨著DDR3代工價顯著上揚，將轉移部分產能至DRAM。

　　整體而言，未來三大臺廠都將依據毛利高低于各產品間彈性調配產能。然而，TrendForce集邦咨詢認為，即便所有供應商加以因應，此波specialty DRAM供不應求的態(tài)勢至少延續(xù)至今年上半年，后續(xù)價格漲幅將視各原廠產能調整狀況而定。