據中國臺灣經濟日報報道，繼美國政府邀請半導體產業廠商會談后，歐盟也計劃將拿出巨額補貼，邀請英特爾、臺積電和三星設廠，打造自己的半導體產業鏈。對此，臺積電態度低調，并未回應。

斥資百億歐元，歐盟欲與美國、亞洲一較高下

據德國媒體報道，車用芯片短缺給歐洲造成了巨大的影響，凸顯了歐洲半導體過度依賴進口的窘境。因此歐洲認為有必要強化半導體產業鏈。其中，10nm以下的先進制程讓歐盟尤其感興趣，并計劃在此領域擴充設計和制造的產能。

歐盟主管工業和服務業的執行委員布勒東（Thierry Breton）接受采訪時表示，“歐洲不天真，但也不想被孤立，”布勒東指出，歡迎亞洲和美國的廠商來設廠，“歐盟有意與國際伙伴合作，但自己也想坐在駕駛座上。”

據悉，為了與美國和亞洲的新晶圓廠規劃一較高下，歐盟將拿出上百億歐元的補貼，吸引外商設廠。30日，布勒東計劃與芯片龍頭英特爾、臺積電、三星的代表會談，這三者都是歐盟招商的重點對象。據悉，布勒東計劃與英特爾談判的歐陸新廠，規模將比歐洲目前最大晶圓生產基地、格芯在德國德勒斯登的廠還大好幾倍。此外，布勒東還準備會晤荷蘭半導體大廠恩智浦（NXP）和荷蘭半導體生產設備制造商艾司摩爾（ASML）的執行長共同探討打造歐洲半導體產業鏈的可能性。

歐盟的愿景：決勝2nm芯片

就在今年3月，歐盟曾發布2030 Digital Compass規劃（2030年數字指南針規劃），提出到2030年歐洲數字化轉型的愿景和途徑，制定了與車聯網、智能手機、芯片等領域相關的多個科技目標，包括：2030年前歐洲生產的先進芯片價值量占全球的20％、5年內自行打造首部量子電腦等，降低歐盟對美國和中國關鍵技術的依賴，以及人口密集區實現5G全覆蓋等。

具體包括：

1、專家數量：在職信息和通信技術（ICT）專家達到2000萬名。

2、5G通信：千兆網絡覆蓋所有歐洲家庭，實現5G覆蓋歐洲人口密集地區。

3、2nm芯片：歐洲生產的先進芯片價值量占全球的20％，瞄準2nm節點，能效是今天的10倍。

4、邊緣／云：部署10000個氣候中立高度安全邊緣節點，幫助歐洲發展自己的云基礎設施，以確保企業能夠以幾毫秒的低延遲方式快速訪問數據服務。

5、量子計算：到2025年，歐洲將擁有第1臺具有量子加速功能的計算機。

6、數字企業：實現75％歐洲企業在云計算、大數據、人工智能等領域。

7、數字中小企業：讓90％以上的歐洲中小企業至少達到基本的數字強度水平。

8、獨角獸數量：通過擴大創新規模、改善融資渠道，讓估值10億美元的獨角獸公司數量增加1倍。

9、關鍵公共服務：為歐洲公民和企業提供100％的在線關鍵公共服務。

10、遠程醫療：100％的歐洲公民可以訪問醫療記錄（電子記錄）。

11、數字身份證：80％的公民將使用數字身份證解決方案。

我們來具體看看半導體芯片方面所提到的“2nm芯片：歐洲生產的先進芯片價值量占全球的20％，瞄準2nm節點，能效是今天的10倍。”

眾所周知，歐洲曾經是全球范圍內半導體產業最發達的地區之一，尤其是英飛凌、ST和NXP這三巨頭，無論從營收還是排名來說，一直都保持相對平穩的位置，波動不大。這是因為歐洲半導體產業長期以來都依托歐洲在機械工程和汽車工業上的傳統優勢。這一歷史沉淀讓功率半導體和車用半導體成為了歐洲半導體產業最具競爭力的領域，但也正因為如此，歐洲三巨頭似乎顯得穩健有余，而活力不足。

這么多年來，歐洲也曾嘗試過提升自身的芯片制造能力，但一直沒有出現更加先進的晶圓廠，原來的代工廠在營收規模上始終被美國、韓國，以及中國臺灣的臺積電壓制著。

業內人士分析認為，歐洲芯片制造業的原地踏步，主要原因是對芯片業不夠重視。因此，這也是為什么歐盟現如今會拋出建立一個新的代工廠，或者改造現有的代工廠，以幫助提高歐洲半導體產量的計劃。有業者提出，要滿足以上目標，必須邀請到臺積電、三星等代工大廠參與。但對于赴歐建新廠，臺積電曾強調，目前未有赴歐設廠具體規劃，而其他廠商也表示需要時間評估。

實現2nm工藝有多難？歐盟17國抱團也趕不上臺積電

摩爾定律大家都知道，每過18～24個月，芯片上的晶體管數量就會翻一倍，性能也會相應地增強一倍。這條定律被看作是芯片制程向前發展的基本準則，自從第一塊集成電路誕生以來，已經被無數次驗證了。

以世界規模最大的代工龍頭臺積電為例，臺積電代表了目前最先進的芯片工藝水平，從28nm到14nm，再到7nm和5nm，臺積電每次突破的時間都在兩年左右。在去年下半年，臺積電就實現了5nm芯片的量產，如今正朝著3nm和2nm制程進發。

據悉，臺積電早在2019年就成立了2nm專案研發團隊。去年9月就有臺媒報道了臺積電2nm工藝取得重大突破的消息，不同于臺積電現在的先進節點和即將量產的3nm，臺積電將在2nm上首次應用GAAFET架構，具體來說是MBCFET。

具體來看，典型的GAAFET，這被稱為具有“薄”鰭的納米線。而MBCFET，則被稱為具有“厚”鰭的納米片。以環繞閘極（GAA）制程為基礎的MBCFET架構，能用以解決FinFET因制程微縮產生電流控制漏電的物理極限問題。由于臺積電的研發進度超前，業界看好其2023年下半年風險試產良率就可以達到90％。

歐盟在2nm研發上走到了哪一步呢？從行動上來看是大張旗鼓，但實際上目前還看不到有效的成果。去年年底，歐盟24個國家中有17個國家日前聯合宣布了一項野心勃勃的《歐洲處理器和半導體科技計劃聯合聲明》，旨在鼓勵歐盟聯合研究及投資先進處理器及半導體工藝。

聲明中指出，歐盟的半導體技術與自身經濟地位不匹配，明明占了全球GDP的16％，但在價值4400億歐元的半導體市場上，歐盟國家的份額卻只有10％。

因此該計劃提出，未來兩三年中可能會投入1450億歐元，約合1．2萬億人民幣的資金以推動歐盟國家掌握至關重要的半導體技術。歐盟重點提到了2nm先進工藝制造，這是未來尚待量產的新工藝，當前最先進的還是5nm工藝。加入聲明的包括德國、法國、荷蘭、意大利等西歐發達國家，也是目前世界上半導體實力最強的隊伍之一。但到目前來看，歐盟的2nm芯片研發計劃，似乎還只是一個“計劃”……