經(jīng)過幾年的追趕，國產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片由合肥長鑫在2019年量產(chǎn)，首發(fā)的是19nm工藝，今年合肥長鑫就要推出下一代的17nm工藝內(nèi)存芯片了，不過首發(fā)產(chǎn)品不是傳聞中的DDR5，而是DDR4。
來自大摩的分析稱，合肥長鑫的17nm工藝DRAM芯片良率已經(jīng)達(dá)到了40%，預(yù)計(jì)Q2季度就會給客戶供應(yīng)產(chǎn)品，其成本相比臺系廠商的20nm、25nm工藝內(nèi)存更有優(yōu)勢。
至于生產(chǎn)方面，大摩稱合肥長鑫的產(chǎn)能今年會增加到8萬片晶圓/月，并在北京新建工廠，量產(chǎn)17nm工藝內(nèi)存芯片。
此前的報(bào)道中，長鑫還會研發(fā)7nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內(nèi)存，再下一代的10G5工藝中，除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存。
此外，長鑫在2020年、2021年分別實(shí)現(xiàn)了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的目標(biāo)，2022年的產(chǎn)能目標(biāo)是12萬片晶圓/月，未來的產(chǎn)能目標(biāo)是30萬片晶圓/月。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。