BJT是所有電子元件之王，它改變了電子技術的進程。晶體管_也可以是一個功率元件，并允許重要的電流值通過。功率 BJT 雖然采用與信號晶體管不同的技術制造，但具有非常相似的工作特性。主要區別在于較高的耐受電壓和電流值以及較低的電流增益。為此，需要以相當高的基極電流驅動功率晶體管。

　　功率晶體管的開關速度不是很高，因此，在最新一代的設計中，不再使用這些組件。功率 BJT 由三個端子組成：集電極 （C）、發射極 （E） 和基極 （B）。發射極-基極結遠小于集電極-基極結。基極很薄，電子可以很容易地穿過它，到達集電極區，它攜帶更多的電荷。功率晶體管用于放大器、電源和開關電路。

　　當一個小信號被饋送到基極時，BJT 會傳導大量電流。只要在底座上有控制信號，該組件就保持在 ON 狀態。功率晶體管可以用作放大器、線性區域或開關。如果它用作放大器，那么小的輸入電流會產生大的輸出電流。相反，作為開關，它工作在遮斷 （OFF） 或飽和 （ON） 狀態，耗散更少的功率。圖 5 顯示了晶體管的一般操作。該方案包括輝煌的 2N3055 晶體管，具有以下特性的示例：

　　集電極-基極電壓 （VCBO）：100 V;

　　集電極-發射極電壓 （VCEO）：60 V;

　　發射極-基極電壓 （VEBO）：7 V;

　　集電極電流 （Ic）：15 A;

　　基極電流 （Ib）：7 A;

　　總功耗（Pd，TC=25°C）：115 W;

　　直流電流增益 （hfe）：70。

　　示例電路的特點是直流電源電壓為 48 V，燈為 3 A，基極電阻為 220 Ohm。在飽和條件下，約 200 mA 的基極電流足以使約 3 A 的電流通過集電極和負載，晶體管的總功耗約為 1.5 W。為確保良好的飽和度，它足以讓比理論電流高 4-5 倍的電流通過基極，顯然是考慮到組件的增益。圖“a”顯示了集電極電流隨基極電流變化的趨勢。在電路采用的配置中，比例集電極電流對應于 0 mA 和 200 mA 之間的基極電流。一旦超過這個門檻，晶體管處于飽和狀態，基極電流的進一步增加不再影響集電極電流。下一個模擬涉及通過兩種不同的技術以一半功率打開燈泡：

　　· 提供基極電流以使集電極達到 VCC / 2;

　　· PWM信號的使用

　　在第一種情況下，使用了一個 850 歐姆的電阻，以使僅 56 mA 的電流通過基極，使晶體管進入線性區域，并在集電極上流過 1.5 A 的電流。這種技術有效并且允許燈泡以一半的光亮起，但晶體管耗散（以及隨之而來的功率損耗）太高（參見圖表“b”的結果）。事實上，測量產生了以下結果：

　　IB：56毫安；

　　Ic：1.58 安；

　　Pd（電池）：75.8 W;

　　Pd（燈）：37.4 W;

　　Pd（BJT）：38.4 瓦；

　　Pd（R_base）：2.6W;

　　效率：只有49.3%。

　　超過 50% 的功率因晶體管不必要地因熱量而損失，為了使其無危險地工作，必須使用良好的散熱器對其進行充分冷卻。然而，使用 PWM 技術，在獲得與燈相同的照明時，耗散和功率損耗要低得多。該技術包括使晶體管的基極經受一系列適當寬度的開-關脈沖。負載由所有可用能量供電，并且半導體組件耗散非常低的功率。對 PWM 解決方案進行的測量返回以下結果：

　　信號：矩形 50 Hz，占空比 25 %;

　　Ib：53毫安（平均）；

　　Ic：0.8 A（平均）；

　　Pd（電池）：38.1 W;

　　Pd（燈）：37.7 W;

　　Pd（BJT）：385.6 毫瓦；

　　Pd（R_base）：2.54 W;

　　效率：99%。

　　您會立即注意到兩種解決方案在效率和功耗方面的差異。圖“c”顯示了晶體管導通開始時的功率損耗。在這種僅持續幾微秒的情況下，電流和電壓不再彼此同相，并產生耗散功率的高峰值。在元件導通結束期間也會重復相同的峰值。所有電源設備都存在同樣的問題。

　　電力電子課程：第 6 部分 -  BJT圖 5：晶體管可以使用多種技術驅動大負載

　　結論

　　在本文中，我們研究了一些更常用的功率元件。

　　在一些解決方案中，它們仍然被使用。

　　其他功率元件類型將在下一篇文章中進行探討；其中一些是近年來電子技術開發的設備，代表了該行業的未來。

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