據(jù)韓國(guó)媒體TheElec爆料稱，三星電子、SK海力士已大幅下修半導(dǎo)體硅片的采購(gòu)量，這也預(yù)示著這兩家存儲(chǔ)芯片大廠或?qū)p產(chǎn)。
報(bào)道稱，三星、SK海力士在2022年第四季已經(jīng)分別與半導(dǎo)體硅片供應(yīng)商討論上述議題。
目前硅晶圓有五大供應(yīng)商，分別是日本的信越化學(xué)(Shin-Etsu)、勝高(Sumco)，中國(guó)臺(tái)灣的環(huán)球晶圓，德國(guó)的世創(chuàng)(Siltronic AG)以及韓國(guó)的SK Siltron。
過(guò)去兩年疫情期間，半導(dǎo)體硅片供應(yīng)吃緊，雖然全球經(jīng)濟(jì)2022年開(kāi)始下行，半導(dǎo)體硅片供應(yīng)也依然相對(duì)吃緊。這主要是因?yàn)榘雽?dǎo)體硅片屬于最上游的半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)，消費(fèi)類市場(chǎng)需求下滑最先影響的是直接賣產(chǎn)品給顧客的終端產(chǎn)業(yè)，對(duì)于最上游產(chǎn)業(yè)的沖擊較晚。去年三季度眾多芯片廠商凈利下滑的情況下，半導(dǎo)體硅片廠商卻仍維持了增長(zhǎng)。
SK海力士此前已宣布，計(jì)劃在2023年將資本支出同比削減50%(估計(jì)為17.47萬(wàn)億韓元)，并削減DRAM和NAND的產(chǎn)量(主要是傳統(tǒng)產(chǎn)品)。
此外，鎧俠已于今年10月宣布，旗下位于日本的兩座位NAND閃存工廠從10月開(kāi)始晶圓生產(chǎn)量將減少約30%，以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化。
12月21日，美光在公布了糟糕的最新一季財(cái)報(bào)后，也宣布將2023年資本開(kāi)支減少到70-75億美元，其原計(jì)劃是120億美元，投資額度大幅減少近40%。同時(shí)還將減少20%的NAND Flash和DRAM的晶圓產(chǎn)出。此外，美光還宣布全球裁員10%，預(yù)計(jì)將裁員4800人。
SK海力士此次大幅減少其內(nèi)部的團(tuán)隊(duì)數(shù)量，并提拔年輕高管，似乎也是為了更好的應(yīng)對(duì)接下來(lái)存儲(chǔ)市場(chǎng)的挑戰(zhàn)。
柳副社長(zhǎng)還表示：“開(kāi)發(fā)出業(yè)界速度最快的 MCR DIMM 充分彰顯了 SK 海力士 DDR5 技術(shù)的又一長(zhǎng)足進(jìn)步。我們將繼續(xù)尋求突破技術(shù)壁壘，鞏固在服務(wù)器 DRAM 市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。”
英特爾內(nèi)存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 博士表示，英特爾與 SK 海力士在內(nèi)存創(chuàng)新、針對(duì)服務(wù)器的高性能、可擴(kuò)展的 DDR5 領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，在同一梯隊(duì)的還有其他一些主要的行業(yè)合作伙伴。
“此次采用的技術(shù)源于英特爾和關(guān)鍵業(yè)界合作伙伴多年的共同研究，極大提高了英特爾 Xeon 處理器可提供的帶寬。我們期待該技術(shù)能夠應(yīng)用到未來(lái)的英特爾 Xeon 處理器上，支持業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)化和多世代開(kāi)發(fā)。”
瑞薩電子副總裁兼 Memory Interface 部門長(zhǎng) Sameer Kuppahalli 表示，該數(shù)據(jù)緩沖器從構(gòu)思到實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化歷經(jīng)三年，“對(duì)于能夠攜手 SK 海力士和英特爾將該技術(shù)轉(zhuǎn)化為優(yōu)秀的產(chǎn)品，我們深感自豪。”
三星、SK海力士三季度來(lái)自美國(guó)的營(yíng)收顯著增加，分別環(huán)比增加了2.0724萬(wàn)億韓元、9201億韓元。SK海力士來(lái)自美國(guó)的營(yíng)收占比從二季度的51.32%增長(zhǎng)至56.16%，但三星卻從二季度的42.07%下降至39.60%，但仍比去年同期增加了3.01個(gè)百分點(diǎn)。
三星的半導(dǎo)體解決方案部門包括存儲(chǔ)器、邏輯和代工業(yè)務(wù)部門，預(yù)計(jì)2023年?duì)I業(yè)利潤(rùn)為13.1萬(wàn)億韓元。如果達(dá)到這一目標(biāo)，三星半導(dǎo)體部門員工預(yù)計(jì)將在 2023 年獲得相當(dāng)于其年薪 5% 至 11% 的獎(jiǎng)金，該獎(jiǎng)金將于 2024 年 1 月支付。
報(bào)導(dǎo)引用相關(guān)知情人士的說(shuō)法，三星預(yù)計(jì)在位于韓國(guó)平澤的P3工廠增加DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，屆時(shí)12 吋晶圓月產(chǎn)能將可達(dá)7 萬(wàn)片，高于目前P3廠DRAM產(chǎn)線的每月2萬(wàn)片產(chǎn)能。截至第3季，三星每月的DRAM晶圓總產(chǎn)量為66.5萬(wàn)片，以增產(chǎn)5萬(wàn)片計(jì)算，增幅約7.5%。三星還將使用新的設(shè)備生產(chǎn)12nm級(jí)DRAM。另外，三星還計(jì)劃把P3廠的晶圓代工產(chǎn)能提高到3 萬(wàn)片，并增加4nm產(chǎn)能，強(qiáng)攻先進(jìn)制程。截至第3季，三星的每月晶圓代工總產(chǎn)量為47.6萬(wàn)片。
為應(yīng)對(duì)DRAM與晶圓代工先進(jìn)新產(chǎn)能需求，三星還將新增至少10臺(tái)極紫外光(EUV)光刻機(jī)，目前三星已有約40臺(tái)EUV光刻機(jī)。三星在全球DRAM市場(chǎng)市占率節(jié)節(jié)攀升，從2021年第4季的41.9%，今年第2季擴(kuò)大到43.4%，穩(wěn)居龍頭。
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