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·數(shù)據(jù)速率提高到 7200 MT/秒，內(nèi)存帶寬比目前的第一代 DDR5 設(shè)備提高了 50%
·擴大在服務(wù)器主內(nèi)存中關(guān)鍵內(nèi)存接口芯片解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先地位
·支持針對生成式人工智能和其他高級數(shù)據(jù)中心工作負載的服務(wù)器性能加速路線圖
中國北京，2023年12月27日 —— 作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布推出最先進的第四代 DDR5 寄存時鐘驅(qū)動器 （RCD），并于 2023 年第四季度開始向主要 DDR5 內(nèi)存模塊 （RDIMM） 制造商提供樣品。Rambus 第四代 RCD 將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到 7200 MT/s，設(shè)立了新的性能標(biāo)桿，相比目前的 4800 MT/s DDR5 模塊解決方案，其內(nèi)存帶寬提高了 50%。它支持服務(wù)器主內(nèi)存性能的快速提升，以滿足生成式人工智能和其他高級數(shù)據(jù)中心工作負載的需求。
Rambus首席運營官范賢志表示：“內(nèi)存是服務(wù)器性能的重要推動因素，在生成式人工智能等高要求工作負載的推動下，對更大內(nèi)存帶寬的需求繼續(xù)急劇上升。Rambus 第四代 DDR5 RCD 是我們致力于提供領(lǐng)先于市場需求的產(chǎn)品，以支持客戶當(dāng)前和計劃中的服務(wù)器平臺的最新證明。”
IDC計算半導(dǎo)體的副總裁Shane Rau表示：“在人工智能領(lǐng)域令人驚嘆的創(chuàng)新步伐引導(dǎo)下，高級工作負載正推動數(shù)據(jù)中心新服務(wù)器平臺的加速發(fā)展，DDR5 RCD 對于支持人工智能服務(wù)器中 RDIMM 所需的性能、功耗和信號完整性至關(guān)重要。”
Rambus DDR5內(nèi)存接口芯片組包含RCD、串行檢測（SPD）集線器和溫度傳感器，對于提升領(lǐng)先服務(wù)器的性能水平十分重要。憑借在高性能內(nèi)存領(lǐng)域積累30多年的經(jīng)驗，Rambus以其信號完整性（SI）/電源完整性（PI）方面的專業(yè)技術(shù)著稱。這些專業(yè)技術(shù)有助于實現(xiàn) DDR5 內(nèi)存接口芯片，為數(shù)據(jù)中心服務(wù)器 RDIMM 提供卓越的性能和可靠性。
產(chǎn)品上市時間
Rambus 7200 MT/s DDR5 RCD 于今日上市。
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