英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效氮化鎵（GaN） 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 正在與全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克股票代碼：QRVO）合作開發 GaN 在電機控制應用中的參考設計和評估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）應用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 電機控制器和驅動器設計的 EVK 中采用了 CGD的ICeGaN? （IC 增強型 GaN）技術。

Giorgia longobardi   | CGD 首席執行官

“與其他同行提供的   GaN 性能不同，我們提供的 ICeGaN   HEMT 提供了接口電路，沒有集成控制器；因此通過與高度集成的電機控制器和驅動   IC 進行簡單的結合，ICeGaN 就可以由例如   Qorvo 的 PAC5556A 600 V高性能   BLDC/PMSM 電機控制器和驅動器的驅動器輕松驅動。我們很高興與   Qorvo 合作，使其電機控制器和驅動器應用盡享 GaN 帶來的益處。”  

JEff Strang | Qorvo功率管理事業部總經理

“GaN 和碳化硅（SiC）等寬禁帶半導體因憑借其更高的功率密度和效率優勢而被積極用于各種電機控制應用中。CGD的 ICeGaN 產品提供了易用性和可靠性，這些是電機控制和驅動設計師關心的兩個關鍵因素。我們很高興看到設計工程師將 CGD 的 ICeGaN 與我們高度集成的 PAC5556A 600V 無刷直流電機控制解決方案相結合時的反應。”

GaN 帶來的多種益處包括：更低的損耗，從而帶來更高的效率，進而增加了功率可用性和產生更少的熱量。這減少了對復雜、龐大和昂貴的熱管理解決方案的需求，從而產生更小、更強大、壽命更長的系統。GaN 還可以在低速時提供更高的扭矩，因此可以實現更精確的控制。此外，GaN 可實現高速開關，這可以減少可聽噪聲，這對于吊扇、熱泵和冰箱等家電尤其重要。

除了易用性之外，與其他 GaN 器件相比，ICeGaN 還提供了以下幾個顯著的優點。ICeGaN 的柵極驅動電壓與 IGBT 兼容。由于 ICeGaN 在 GaN IC 內集成了米勒箝位，所以不需要負關斷電壓，并且可以使用低成本的電流驅動器。最后，ICeGaN 內嵌電流感測功能，簡化了電路設計并減少了物料清單（BOM）。

參考設計現已上市，EVK RD5556GaN 將在今年第3季度上市。該產品將于2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開展示。CGD的展位號為7-643。Qorvo展位號為7-406。

結語

關于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶體管和 IC 的設計、開發與商業化，以實現能效和緊湊性的突破性飛躍。我們的使命是通過提供易于實現的高能效 GaN 解決方案，將創新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN? 技術經證明適合大批量生產，并且 CGD 正在與制造合作伙伴和客戶攜手加快擴大規模。CGD 是一家無晶圓廠企業，孵化自劍橋大學。公司首席執行官兼創始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍與世界知名的劍橋大學高壓微電子和傳感器研究組 (HVMS) 保持著緊密聯系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技術背后有不斷擴充的強大知識產權組合做支撐，這也是公司努力創新的結晶。CGD 團隊在技術和商業方面的專業知識以及在功率電子器件市場上的大量突出表現，為其專有技術在市場上的認可程度奠定了堅實的基礎。欲了解更多信息，請訪問 https://camgandevices.com/zh/。