頭條 高多層電路板的IIC電路設計 IIC（Inter IC Bus）協議是一種廣泛應用于嵌入式系統中的同步半雙工通信協議。隨著電子設備的復雜性不斷增加，高多層電路板設計變得越來越普遍。在高多層電路板中實現可靠的IIC通信，需要綜合考慮布線策略、電源設計、抗干擾措施等多個方面。本文將結合IIC協議的基本原理和高多層電路板設計的特點，探討如何優化IIC電路設計。 最新資訊 RW61X：安全i.MX RT MCU中的Wi-Fi 6三頻器件 目前，智能家居和現代化樓宇至少有100多種使用不同無線標準的互聯設備。恩智浦RW61x是高度集成的安全三頻無線MCU，通過簡單高效的無線連接為這一需求提供了強大的解決方案。 發表于：2024/11/18 品英Pickering公司推出新款面向未來的PXIe單槽控制器 新款PXIe嵌入式控制器將在2024年德國慕尼黑電子展（11月12日至15日）上首次亮相，提供前一代產品的兩倍性能。 發表于：2024/11/15 松下汽車電子系統與 Arm 攜手推進軟件定義汽車標準化 松下汽車電子系統株式會社 (PAS) 與 Arm 近日宣布達成戰略合作，共同推進軟件定義汽車 (SDV) 架構的標準化。雙方基于共同的愿景，致力于共創能夠滿足當前及未來汽車需求的靈活軟件棧，并已通過積極參與SOAFEE【注】行業倡議，推動汽車市場軟件開發的標準化合作。 發表于：2024/11/14 英飛凌推出新型高性能微控制器AURIX? TC4Dx 【2024年11月13日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布推出最新AURIX? TC4x系列的首款產品AURIX? TC4Dx微控制器（MCU）。AURIX? TC4Dx基于28nm技術，可提供更強大的性能和高速連接。 發表于：2024/11/14 華邦電子推出全新LPDDR4/4X 2024年11月13日，商華邦電子今日正式發布 LPDDR4/4X 內存產品。該產品系列專為最新一代汽車應用設計，在能效、性能和減少碳排放方面都獲得顯著提升。LPDDR4/4X 是第四代低功耗內存，能夠在保持性能的前提下實現節能。LPDDR4/4X 內存產品專為滿足汽車和工業領域的嚴苛需求而設計，提供雙倍數據傳輸速率，具備低功耗和設計靈活性。 發表于：2024/11/13 英特爾® 至強® 6處理器：定義下一代計算的未來 英特爾® 至強® 6 處理器引入強大的計算平臺，實現了更高性能和更優能效，而這兩大特性對滿足現代數據中心不斷變化的需求至關重要。從計算密集型 AI 到可擴展微服務，該處理器可靈活滿足多種工作負載的不同需求。根據相關聲明，以 5 年硬件換新周期來看，與第二代英特爾® 至強® 可擴展處理器相比，英特爾® 至強® 6 處理器具備顯著優勢。與第五代英特爾® 至強® 可擴展處理器相比，也具備優勢。 發表于：2024/11/13 Imagination DXS GPU 已獲得ASIL-B官方認證 硅谷和中國北京 – 2024年11月12日 – 全球領先的硅知識產權（IP）提供商Imagination Technologies（以下簡稱“Imagination”）宣布：其最新專注汽車領域的 Imagination DXS GPU IP 已通過 SGS-TÜV Saar（SGS旗下，世界領先的測試、檢驗和認證機構）的全面審核與評估，正式獲得 ISO 26262 標準的 ASIL-B 級別認證。 發表于：2024/11/12 化繁為簡，恩智浦安全邊緣方案化解萬物智聯挑戰 恩智浦（NXP）的業務布局中，工業與物聯網是堪比肩汽車的重要領域。日前，恩智浦工業與物聯網峰會在京舉辦之際，恩智浦全球資深副總裁、工業及物聯網邊緣業務總經理Charles Dachs等對于恩智浦面向工業和物聯網領域的邊緣業務戰略和發展作了深入解讀。 發表于：2024/11/8 英飛凌推出全球首款非接觸式支付卡技術SECORA? Pay Green 【2024年11月7日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出 SECORA? Pay Green技術。基于該技術的卡片設計將生產出全球首款采用環保和本地材料的完全可回收非接觸式（雙界面）支付卡卡體，為大幅減少支付卡行業的塑料廢棄物和二氧化碳排放奠定基礎。 發表于：2024/11/7 從富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無延遲數據存儲需求 在人工智能大型模型和邊緣智能領域的算力需求激增的推動下，市場對于高性能存儲解決方案的需求也在不斷增加。據此預測，2024年全球存儲器市場的銷售額有望增長61.3%，達到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲器正迎來市場快速增長的發展大時代，如鐵電存儲器FeRAM和ReRAM，以及磁性存儲器MRAM、阻變式存儲器ReRAM等。 發表于：2024/11/6 ?…3456789101112…?
