微波射頻相關文章 關于旁路電容的深度研討(一) 旁路電容是關注度低、沒有什么魅力的元器件，一般來說，在許多專題特寫中不把它作為主題，但是，它對于成功、可靠和無差錯的設計是關鍵。來自Intersil公司的作者David Ritter和Tamara Schmitz參加了關于該主題的進一步對話。本文是對話的第一部分。Dave和Tamara信仰辯論的價值、教育的價值以及謙虛地深入討論核心問題的價值；簡而言之，為了獲取知識而展開對一個問題的討論。下面請“聆聽”并學習。 發表于：1/14/2010 電阻市場發展前景向好 2010年需求強勁 電阻器是各類電子設備不可或缺的元器件，在全球經濟危機的背景下，電阻器廠家面對生產成本上升與產品價格下降的雙重壓力，激烈的市場競爭也在不斷壓縮廠家的利潤空間。盡管挑戰嚴峻，但隨著全球消費類電子產品的不斷增加，如DVD播放器、數碼相機、MP3播放器以及手機、電腦和外圍設備、數字A/V設備和汽車電子產品等強大的銷量和需求維持著中國電阻市場的發展。 發表于：1/14/2010 Vishay最新推出的超小型雙向對稱單線ESD保護二極管具有極低容值 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用LLP006封裝的新款雙向對稱(BiSy)單線ESD保護二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值，可保護便攜式電子設備中的天線、USB 3.0和HDMI端口免受瞬態電壓信號的損害。 發表于：1/12/2010 Vishay最新推出的超小型雙向對稱單線ESD保護二極管具有極低容值 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用LLP006封裝的新款雙向對稱(BiSy)單線ESD保護二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值，可保護便攜式電子設備中的天線、USB 3.0和HDMI端口免受瞬態電壓信號的損害。 發表于：1/8/2010 功率電感對電源的改善 將集中控制電源的PMIC(Power Management IC)的開關頻率，將從一直使用的1MHz變為3MHz,還有管理單獨電源的DC-DC轉換器IC中主流頻率一直是3～4MHz，對于此種情況，作為主要元件的功率電感就需要1.0uH到2.2uH的低感值產品。而開關頻率數的提高使靜噪成為必須，為了解決這些課題，推動了功率電感的開發。 發表于：1/7/2010 Vishay新一代超高精度Bulk Metal®箔電阻設定新的行業標準，并開啟電阻全新應用領域 器件具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范圍，穩定率可達2ppm(±0.0002%)，上升時間小于1ns；H系列的最大TCR為±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR僅有±0.2ppm/℃ 發表于：1/6/2010 MOSFET柵漏電流噪聲模型研究 基于MOSFET柵氧擊穿效應和隧穿效應，總結了柵漏電 流噪聲特性，歸納了4種柵漏電流噪聲模型，并對各種模型的特性和局限性進行了分析。 發表于：1/6/2010 光電式電流互感器原理及應用 光電式電流互感器原理及應用。 發表于：1/6/2010 Vishay Siliconix最新推出的12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET提供了業內最低的導通電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業內P溝道器件最低的導通電阻。 發表于：1/5/2010 第十屆高交會電子展現場采訪TDK中國本部董事中尾禮次 在第十屆高交會電子展的TDK展示區，《電子技術應用》記者采訪了TDK中國本部董事、副總經理中尾禮次。中尾禮次先生就展會效果、TDK目前發展狀況，主要展示產品回答了記者的提問。 發表于：10/15/2008 SiRF遭遇侵權官司，采用其GPS芯片的產品不能出口美國了？ SiRF遭遇侵權官司，采用其GPS芯片的產品不能出口美國了？ 發表于：9/2/2008 德州儀器高度集成2.4GHz RF前端將低功耗無線系統覆蓋范 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向低功耗與低電壓無線應用推出業界集成度最高的 2.4GHz 射頻 (RF) 前端 CC2591。該產品集成了可將輸出功率提高 ＋22 dBm 的功率放大器以及可將接收機靈敏度提高 ＋6 dB 的低噪聲放大器，從而能夠顯著增加無線系統的覆蓋范圍。 發表于：8/5/2008 SiGe技術提高無線前端性能 這篇應用筆記描述了硅鍺技術是如何提高RF應用中IC性能的。文中使用Giacoleto模型分析噪聲的影響。SiGe技術顯示出更寬的增益帶寬從而可以給出更小的噪聲。SiGe技術在線性度方面的影響還在研究中。 發表于：5/19/2006 430MHz/144MHz廉價同軸高增益天線 UV波段由于通信話音質量好、干擾小，器材易得，是廣大HAM常用的理想近距離通信波段。但由于頻率較高，傳播特性為視距傳播，通信距離較近。如何提高它的通信效果，是每個HAM所不斷追求的。 發表于：4/27/2006 無線電臺站類別表 無線電臺站類別表 發表于：4/16/2006 ?…169170171172173174175176177178?
