《電子技術(shù)應(yīng)用》
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高速CMOS鐘控比較器的設(shè)計(jì)
摘要: 本文設(shè)計(jì)了一個(gè)基于1. 8 V電源電壓、時(shí)鐘頻率可以達(dá)到500MHz的高速鐘控電壓比較器,采用預(yù)放大級、判斷級、輸出緩沖級結(jié)構(gòu),每一級的電路結(jié)構(gòu)簡單,通過對各個(gè)部分電路的特點(diǎn)進(jìn)行分析,優(yōu)化了前置放大器的晶體管的尺寸,實(shí)現(xiàn)了高速、高精度、低功耗的要求。在SMIC 0. 18μm CMOS工藝模型下,采用Hspice對電路進(jìn)行仿真,結(jié)果表明在500 MHz的時(shí)鐘頻率下,比較精度可達(dá)0. 3 mV,功耗僅為26. 6μW,該電路可以應(yīng)用在高速Flash ADC電路中。
Abstract:
Key words :

    隨著現(xiàn)代通信技術(shù)的廣泛應(yīng)用,高速低功耗的電子設(shè)備成為市場的主流,這些設(shè)備都依賴高性能的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC) ,特別是對速度的要求越來越高,高速ADC成為決定設(shè)備性能的關(guān)鍵因素。而電壓比較器" title="比較器">比較器是模數(shù)轉(zhuǎn)換電路中的重要模塊,比較器的性能往往對轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換速度和精度具有決定性的影響,高速比較器的設(shè)計(jì)是高速ADC設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。

  應(yīng)用于ADC時(shí),比較器重要的性能指標(biāo)包括工作速度、精度、功耗、輸入失調(diào)電壓" title="失調(diào)電壓">失調(diào)電壓(offset voltage)和踢回噪聲( kickback noise)等。鎖存比較器是常用的一種比較器,具有速度高、功耗小的特點(diǎn)。它通過正反饋機(jī)制,將輸入的模擬信號再生成數(shù)字信號。在再生節(jié)點(diǎn),較高的電壓變化會通過寄生電容耦合到輸入端,形成踢回噪聲,從而破壞輸入信號。此外,鎖存比較器的速度和失調(diào)也是一對矛盾,為了提高比較器的性能,需要在它們之間進(jìn)行折中。

  采用預(yù)放大級、判斷級、輸出級這一結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的比較器具有低輸入失調(diào)電壓和低踢回噪聲,預(yù)放大器進(jìn)行輸入信號的放大以提高輸入信號的靈敏度,并且把比較器的輸入信號與來自正反饋判斷級的踢回噪聲隔離開,這一點(diǎn)對保證電路的性能非常重要。

  本文通過理論和仿真對比較器結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析,優(yōu)化預(yù)放大電路和比較電路,設(shè)計(jì)了一種由預(yù)放大級、判斷級、輸出級構(gòu)成的鐘控比較器。把時(shí)鐘脈沖應(yīng)用于比較器的設(shè)計(jì),極大地提高了比較器的性能和速度,該結(jié)構(gòu)的比較器具有低輸入失調(diào)電壓和低踢回噪聲的特點(diǎn),速度快,精度高,適用于高速Flash ADC電路。

  1 比較器電路設(shè)計(jì)

  比較器總體電路如圖1所示。本文采用的高速比較器結(jié)構(gòu)包括預(yù)放大級、判斷級和輸出級。其中預(yù)放大級放大比較器的輸入信號以提高輸入信號的靈敏度,并且把比較器的輸入信號與來自正反饋級的踢回噪聲隔離開;判斷級對經(jīng)過放大的輸入信號進(jìn)行比較;輸出級把比較級的輸出信號放大到數(shù)字邏輯電平。下面具體討論各部分電路結(jié)構(gòu)。

 比較器整體電路圖
 

圖1 比較器整體電路圖

  1. 1 預(yù)放大級電路

  在高速比較器中,為了使判斷級的輸入信號在盡可能短時(shí)間內(nèi)到達(dá),要求前置放大器有很高的帶寬,同時(shí)為了提高增益,需要采用多級放大實(shí)現(xiàn)。本文中的預(yù)放大級為兩級,M1 和M2 組成差分輸入電路結(jié)構(gòu),可以得到較強(qiáng)的共模抑制能力,提高比較器對噪聲的抑制能力。M5 和M6 構(gòu)成二極管連接的負(fù)載,M3 和M4 組成交叉耦合的負(fù)載,用來提高放大器的增益。M7 和M8 組成第二級放大器。比較器的輸入電容由M1 和M2 管的尺寸決定。本設(shè)計(jì)將著重關(guān)注電路的速度,因此輸入差分對晶體管使用最小柵長。

  1. 2 判斷級電路

  判斷級電路是比較器的核心,應(yīng)該能分辨出毫伏量級的輸入信號差。本文采用具有回滯效應(yīng)的判斷電路,這種結(jié)構(gòu)使用正反饋結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)兩個(gè)信號的比較,速度快、精度高,而且能抑制信號上的噪聲。

  該電路通過把M9 和M10管的柵極交叉互聯(lián),實(shí)現(xiàn)正反饋,以提高判斷電路的增益。當(dāng)時(shí)鐘信號CLK為高電平時(shí),判斷電路的輸出依賴于輸入信號,比較器處于比較狀態(tài),在下一個(gè)時(shí)鐘階段,也就是時(shí)鐘信號CLK為低電平時(shí),M13管截止,比較器停止比較,處于鎖存狀態(tài),記下CLK為低電平時(shí)的比較器輸入狀態(tài),把輸出信號鎖存為邏輯“1”或“0”。時(shí)鐘信號CLK為高電平時(shí)。

  此時(shí)判斷級電路是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)交叉耦合電路。

  如果io + < io - ,M9 和M12導(dǎo)通,M10和M11截止,此時(shí)判斷級的等效電路如圖2 ( b)所示。如果β1 1 =β12 =βA,β9 =β1 0 =βB ,則vo + =VDS9≈ 0 V (此時(shí)M9 導(dǎo)通) ,vo - 為; 當(dāng)io + > io - 時(shí), M10和M11導(dǎo)通,M9 和M12截止,此時(shí)判斷級的等效電路如圖2 ( c)所示, vo + 為。因此vo +和vo - 的最大值不超過2VTHN 。分析判斷級的等效電路可以得到由圖2 ( b)的狀態(tài)到圖2 ( c)的狀態(tài)的轉(zhuǎn)換電流值為: io + =βB ·io - /βA ,由圖2 ( c)的狀態(tài)到圖2 ( b)的狀態(tài)的轉(zhuǎn)換電流值為: io - =βB ·io + /βA , 這個(gè)電流臨界點(diǎn)也是輸出電壓發(fā)生轉(zhuǎn)換的臨界點(diǎn)。如果βA =βB , 那么, 輸出電壓的轉(zhuǎn)換將發(fā)生在電流io + = io - 的時(shí)候。如果βA 與βB 不等,那就會使比較器表現(xiàn)出磁滯現(xiàn)象。


  1. 3 輸出緩沖級電路結(jié)構(gòu)

  比較器的最后一級是輸出緩沖級(又被稱為后放大器) ,其主要作用是把判斷電路的輸出信號轉(zhuǎn)化為數(shù)字邏輯電平(0 V或1. 8 V) ,輸出緩沖器的輸入是一對差分信號,沒有壓擺率的限制。本文采用自偏置的差分放大器" title="差分放大器">差分放大器( self2biasing differential am2p lifier)作為輸出緩沖級,同時(shí)在放大器的輸出端加兩級反相器,用作附加的增益級,并實(shí)現(xiàn)負(fù)載電容和自偏置差分放大器之間的隔離。

  圖3所示是一個(gè)自偏置的差分放大器,它包括兩個(gè)差分放大器,每一個(gè)均作為另一個(gè)的負(fù)載。M15和M16的柵極沒有連接到外部偏置,而是連接到M17和M18的漏級,形成負(fù)反饋環(huán)路,來實(shí)現(xiàn)差分放大器尾電流的自適應(yīng)。M15和M16工作在線性區(qū),可以獲得大的輸出電壓擺率,使得輸出電壓直接轉(zhuǎn)換到數(shù)字邏輯電平。當(dāng)M17和M18的柵極電壓增大時(shí),M17和M18的漏級電壓下降,并使M15導(dǎo)通,電流增大,這個(gè)電流通過M19流向連接在M19和M20漏極的輸出電容。在這種情況下,M16的電流為零。當(dāng)M17和M18的柵極電壓下降時(shí),M16導(dǎo)通,那么大電流經(jīng)過輸出電容通過M16泄露。因此,這一結(jié)構(gòu)的電路具有吸入和供出大電流的能力, 且沒有靜態(tài)電流,這個(gè)特性非常適合于高速比較器的應(yīng)用。

 自偏置差分放大器
 


圖3 自偏置差分放大器

  2 電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)

  2. 1 速度優(yōu)化

  比較器的工作速度與預(yù)運(yùn)放" title="運(yùn)放">運(yùn)放的增益、時(shí)間常數(shù)" title="時(shí)間常數(shù)">時(shí)間常數(shù)和判斷級的時(shí)間常數(shù)有關(guān)。圖4給出了預(yù)運(yùn)放交流小信號等效電路圖。

  在該電路中, gm1 = gm2 , gm3 = gm4 , gm5 = gm6 , CA =CB ,由圖可得預(yù)運(yùn)放的傳輸函數(shù)為:

 

  從式(2)可以看出,只要gm5小于gm3 ,預(yù)運(yùn)放的極點(diǎn)就在左半S 平面, 系統(tǒng)將是穩(wěn)定的。預(yù)運(yùn)放的直流增益為:

 


  從式(4)可看出,由于添加了交叉耦合負(fù)載M3和M4 ,預(yù)運(yùn)放的增益提高了gm3 / ( gm3﹣ gm5 )倍, 只要調(diào)整M3、M4 與M5、M6 的寬長比, 即調(diào)整gm3與gm5之比,就可方便地調(diào)整預(yù)運(yùn)放的增益提升量。

  從式( 2) 還可以看出, 預(yù)運(yùn)放的時(shí)間常數(shù)為CA / ( gm 3﹣ gm5 ) ,降低預(yù)運(yùn)放的時(shí)間常數(shù)需要減小預(yù)運(yùn)放輸出端的電容, 同時(shí)合理選擇差分對管的偏置電流并適當(dāng)提高gm5與gm 3的差。

 預(yù)運(yùn)放交流小信號等效電路圖
 

 圖4 預(yù)運(yùn)放交流小信號等效電路圖。

  當(dāng)時(shí)鐘信號CLK為低電平時(shí),判斷級的等效電路如圖5所示。其中Vi9和Vi10分別為M9 和M10漏極的初始電壓, C9、R9 和C10、R10分別為M9、M10管漏級到地的電容與電阻,理想情況下M9 和M10完全對稱, R9 = R10 = R, C9 =C10 =C。

 
( a)判斷級等效原理圖, ( b)小信號等效模型

 圖5 ( a)判斷級等效原理圖, ( b)小信號等效模型。

  由圖5 ( b)小信號模型得到比較器傳輸延時(shí)的時(shí)間常數(shù)為:

 

  其中τ= RC, Iss為判斷級的尾電流源(M14 )電流。根據(jù)式(5) ,為了減小時(shí)間常數(shù)提高比較器的速度,一般可以采用最小尺寸的溝道長度, 此外還可以增大判斷級的尾電流,但這也會帶來功耗增加和輸入共模范圍減小等不利因素。

  2. 2 失調(diào)電壓

  比較器的失調(diào)電壓主要來源于預(yù)運(yùn)放的失調(diào)電壓。它主要是由MOS管閾值電壓的失配和電流的失配引起的,它的標(biāo)準(zhǔn)差如下式:

 
 

  其中:



  式中,δ21, 2是預(yù)運(yùn)放輸入差分對失調(diào)電壓的標(biāo)準(zhǔn)差,δ23, 5是預(yù)運(yùn)放負(fù)載管失凋電壓的標(biāo)準(zhǔn)差; AVTN , AVTP ,AβN , AβP分別是NMOS管和PMOS管工藝模型中閾值電壓的失配因子和電流的失配因子。從式( 6) 、(7) 、(8)可以看出,減小預(yù)運(yùn)放輸入差分對管和負(fù)載管的過驅(qū)動電壓,并適當(dāng)增加它們的面積可有效地減小輸入失調(diào)電壓。但同時(shí)增大了漏極電容,降低比較器的速度。因此,比較器的設(shè)計(jì)需要在功耗、速度和精度之間進(jìn)行折中。

  3 電路仿真

  通過以上分析,使用Hsp ice進(jìn)行仿真與優(yōu)化,最終確定比較器的核心電路(預(yù)運(yùn)放與判斷級電路)內(nèi)各晶體管尺寸如表1所示。

表1 比較器核心電路各晶體管的寬長比

 比較器核心電路各晶體管的寬長比
 

  在電源電壓1. 8 V、SM IC 0. 18μm CMOS工藝模型下,采用Hsp ice對前面設(shè)計(jì)的比較器電路進(jìn)行仿真。為了檢驗(yàn)比較器在各種工作情況下輸出的正確性,在比較器的輸入端加上幅度和極性隨時(shí)間變化的信號作為測試信號,工作時(shí)鐘頻率為500MHz,仿真波形如圖6所示。圖6 ( a) 、( b)中第一欄是時(shí)鐘控制信號CLK,第2欄是輸入信號Vin和參考電壓Vref ,第三欄是比較器的輸出信號Vout。通過對仿真結(jié)果進(jìn)行分析,在輸入信號為具有大跳變極端信號(在基準(zhǔn)參考電壓0. 8 V 下,兩信號為0. 81、0 V或是0. 79、1. 8 V)的情況下,比較器的最小精度為±0. 3 mV (基準(zhǔn)電壓1 V) ,仿真結(jié)果驗(yàn)證了比較器功能的正確性。

 比較器整體仿真波形
 


圖6 比較器整體仿真波形

  4 結(jié)論

  本文設(shè)計(jì)了一個(gè)基于1. 8 V電源電壓、時(shí)鐘頻率可以達(dá)到500MHz的高速鐘控電壓比較器,采用預(yù)放大級、判斷級、輸出緩沖級結(jié)構(gòu),每一級的電路結(jié)構(gòu)簡單,通過對各個(gè)部分電路的特點(diǎn)進(jìn)行分析,優(yōu)化了前置放大器的晶體管的尺寸,實(shí)現(xiàn)了高速、高精度、低功耗的要求。在SMIC 0. 18μm CMOS工藝模型下,采用Hspice對電路進(jìn)行仿真,結(jié)果表明在500 MHz的時(shí)鐘頻率下,比較精度可達(dá)0. 3 mV,功耗僅為26. 6μW,該電路可以應(yīng)用在高速Flash ADC電路中。

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