1 C8051F060單片機(jī)的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)
圖1 是C8051F060單片機(jī)的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)圖。顯然,該單片機(jī)采用了標(biāo)準(zhǔn)8051的程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器獨(dú)立編址的結(jié)構(gòu),程序存儲(chǔ)器為64KB的Flash結(jié)構(gòu),外加128字節(jié)Flash;數(shù)據(jù)RAM除包含標(biāo)準(zhǔn)51單片機(jī)256字節(jié),還有4KB片上XRAM和可外擴(kuò)64KB數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的接口。 圖1 C8051F060單片機(jī)的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)圖
2 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器及其編程
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器分為內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部存儲(chǔ)器。內(nèi)部RAM包含256字節(jié),其高端128字節(jié)為雙映射結(jié)構(gòu),即間接尋址訪問(wèn)128字節(jié)通用RAM,直接尋址訪問(wèn)128字節(jié)的特殊功能寄存器SFR地址空間,這個(gè)空間又分為256個(gè)SFR頁(yè),由特殊功能寄存器SFRPAGE來(lái)切換。這樣,單片機(jī)就有足夠的SFR來(lái)設(shè)定和配制各種接口資源,并為以后擴(kuò)展預(yù)留了足夠的空間,見(jiàn)例程1;低端的128字節(jié)RAM可通過(guò)直接或間接尋址來(lái)訪問(wèn),這和8051單片機(jī)的RAM完全一樣。其中前32個(gè)字節(jié)是4個(gè)通用工作寄存器區(qū),接下來(lái)的16字節(jié)機(jī)可以按字節(jié)尋址,也可以按位尋址。
C8051F060單片機(jī)還有一個(gè)4KB的片內(nèi)XRAM,其尋址范圍以4KB為邊界覆蓋整個(gè)64KB的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器地址空間。另外,該單片機(jī)還有一個(gè)外部存儲(chǔ)器接口EMIF,用于訪問(wèn)片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器尋址范圍可以只映射為片內(nèi)存儲(chǔ)器、片外存儲(chǔ)器或二者的組合,即4KB以內(nèi)指向片內(nèi),4KB以上指向外部存儲(chǔ)器接口EMIF,該EMIF可以配置為復(fù)用和非復(fù)用地址線/數(shù)據(jù)線兩種方式。編程步驟是：①EMIF端口的選擇和配置;②確定地址形成非復(fù)用/復(fù)用和地址/數(shù)據(jù)復(fù)用方式;③存儲(chǔ)器方式為片內(nèi)方式,不帶地址選擇的分片方式,有地址選擇的分片方式,片外工作方式;④確定接口定時(shí)參數(shù)。
例程1：高端128字節(jié)的尋址
;直接尋址于SFR
MOV 0F0H,#5AH
;間接尋址于高端RAM
MOV R0,#0F0H
MOV @R0,#0A5H
在復(fù)位缺省狀態(tài)下,MOVX指令訪問(wèn)4KB片內(nèi)XRAM,可用16位間址,也可用8位間址指令來(lái)尋址,這時(shí)高端地址放在EMI0CN寄存器中,如例程2。
例程2：4K XRAM 8/16位讀寫(xiě)
4K XRAM 16位讀寫(xiě)
MOV A,#36H
MOV DPTR,#0000H
MOVX @DPTR,A
MOV DPTR,#0000H
MOVX A,@DPTR
MOV R6,A
4K XRAM 8 位讀寫(xiě)
MOV EMI0CN,#00H
MOV R0,#01H
MOV A,#37H
MOVX @R0,A
MOV EMI0CN,#00H
MOV R0,#01H
MOVX A,@R0
MOV R7,A
例程3為非復(fù)用方式XRAM寫(xiě),是分片無(wú)塊選方式。注意分片方式有兩種,分為有塊選擇和無(wú)塊選擇兩種,對(duì)16位間址是一樣的,對(duì)8位間址有區(qū)別。例程4是非復(fù)用分片方式讀,為有塊選方式,要特別注意特殊功能寄存器EMI0CF的賦值。
例程3：片外XRAM寫(xiě)
MOV SFRPAGE,#0FH
MOV P4MDOUT,#0FFH
MOV P5MDOUT,#0FFH
MOV P6MDOUT,#0FFH
MOV P7MDOUT,#0FFH
CLR P4.5
NOP
MOV SFRPAGE,#00H
MOV PSCTL,#00H
MOV EMI0TC,#45H
MOV EMI0CF,#34H
CLR EA
NOP
MOV DPTR,#4000H
MOV A,#39H
MOVX @DPTR,A
NOP
SETB EA
MOV SFRPAGE,#0FH
SETB P4.5
例程4: 片外XRAM讀
MOV SFRPAGE,#0FH
CLR P4.5
MOV SFRPAGE,#00H
MOV EMI0TC,#45H
MOV EMI0CF,#38H
CLR EA
NOP
MOV DPTR,#4000H
MOVX A,@DPTR
NOP
SETB EA
MOV SFRPAGE,#0FH
SETB P4.5
注意,在對(duì)片外XRAM進(jìn)行讀寫(xiě)時(shí),指令尋址時(shí)序并不產(chǎn)生片選信號(hào),所以要先置CS片選端為低,本例中為P4.5端,具體電路圖略。而WR和RD信號(hào)由接口參數(shù)確定時(shí)序,但P4.5在0F頁(yè),一定要注意頁(yè)切換。
3 程序存儲(chǔ)器及其編程
C8051F060單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器為64KB的Flash存儲(chǔ)器,它能以512字節(jié)為扇區(qū)實(shí)現(xiàn)在系統(tǒng)編程,無(wú)需提供片外專用編程電壓,其中從0xFC00~0xFFFF的1024字節(jié)為保留區(qū)。另外,從0x10000~0x1007F的128字節(jié)Flash存儲(chǔ)器,可以作為非易失存儲(chǔ)器,由軟件來(lái)訪問(wèn),它最適合用于存放系統(tǒng)參數(shù)等,參見(jiàn)例程5。64KB的Flash存儲(chǔ)器區(qū)除了可以存放程序代碼外,也可以用來(lái)存放非易失數(shù)據(jù)。既可以在開(kāi)發(fā)系統(tǒng)中,通過(guò)JTAG接口編程,也可以用MOV指令來(lái)實(shí)現(xiàn)軟件編程,參見(jiàn)例程6。注意,在對(duì)Flash存儲(chǔ)器操作時(shí),讀操作用MOVC指令,寫(xiě)操作用MOVX指令,若用MOVX讀操作時(shí),只能讀到XRAM區(qū)。另外,要特別搞清楚程序存儲(chǔ)讀/寫(xiě)控制寄存器PSCTL和Flash存儲(chǔ)器控制寄存器FLSCL的各個(gè)位的確切含義。
例程5：128 Flash讀寫(xiě)
;128 Flash 讀
MOV SFRPAGE,#00H
MOV PSCTL,#04H
MOV FLSCL,#40H
MOV DPTR,#0020H
CLR A
MOVC A,@A+DPTR
MOV PSCTL,#00H
MOV R7,A
;128 Flash 寫(xiě)
MOV FLSCL,#01H
MOV PSCTL,#07H
CLR A
MOV DPTR,#0020H
MOVX @DPTR,A
MOV PSCTL,#05H
MOV A,#35H
MOV DPTR,#0020H
MOVX @DPTR,A
MOV PSCTL,#00H
MOV FLSCL,#00H
例程6：64K程序Flash讀寫(xiě)
;64K Flash 讀
MOV SFRPAGE,#00H
MOV PSCTL,#00H
MOV FLSCL,#40H
MOV DPTR,#2020H
CLR A
MOVC A,@A+DPTR
MOV R6,A
;64K Flash寫(xiě)
MOV FLSCL,#01H
MOV PSCTL,#03H
CLR A
MOV DPTR,#2020H
MOVX @DPTR,A
MOV PSCTL,#01H
MOV A,#33H
MOV DPTR,#2020H
MOVX @DPTR,A
MOV PSCTL,#00H
MOV FLSCL,#00H
由于Flash存儲(chǔ)器只能寫(xiě)0不能寫(xiě)1,只能通過(guò)對(duì)其寫(xiě)數(shù)據(jù)前擦除來(lái)實(shí)現(xiàn)寫(xiě)1,所以每次寫(xiě)Flash存儲(chǔ)器前,都要進(jìn)行擦除操作。由于64KB的Flash是以512字節(jié)為一頁(yè)組織的,擦除寫(xiě)操作對(duì)整個(gè)頁(yè)進(jìn)行了寫(xiě)0FFH操作,為提高速度,不必逐字節(jié)操作,只要對(duì)其中的任一字節(jié)進(jìn)行操作即可。