《電子技術(shù)應(yīng)用》
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單片開關(guān)電源設(shè)計要點及電子數(shù)據(jù)表格
沙占友,龐志峰,張?zhí)K英
摘要: 單片開關(guān)電源設(shè)計要點及電子數(shù)據(jù)表格.開關(guān)電源效率(η)是指其輸出功率(PO)與輸入功率(PI)(即總功率)的百分比。需要指出,單片開關(guān)電源的效率隨輸出電壓(UO)的升高而增加。
Abstract:
Key words :

1單片開關(guān)電源的設(shè)計要點

1.1電源效率的選定

開關(guān)電源效率(η)是指其輸出功率(PO)與輸入功率(PI)(即總功率)的百分比。需要指出,單片開關(guān)電源的效率隨輸出電壓(UO)的升高而增加。因此,在低壓輸出時(UO=5V或3.3V),η可取75%;高壓輸出時(UO≥12V),η可取85%。在中等電壓輸出時(5V因電源效率η=PO/PI,故開關(guān)電源的總功耗PD=PI-PO=-PO=·PO(1)

PD中包括次級電路功耗和初級電路功耗。重要的是應(yīng)知道初、次級功耗是如何分配的。損耗分配系數(shù)(Z)即反映出這種關(guān)系。

設(shè)初級功耗為PP,次級功耗為PS,則PP+PS=PD,Z=PS/PD,而1-Z=PP/PD。需要注意的是,次級功耗與高頻變壓器傳輸功率的大小有關(guān),而初級鉗位二極管的功耗應(yīng)歸入次級功耗之中。這是因為輸入功率在漏極電壓被鉗位之前,已被高頻變壓器傳輸?shù)酱渭壍木壒省?/p>

1.2如何計算輸入濾波電容的準確值

輸入濾波電容的容量是開關(guān)電源的一個重要參數(shù)。CIN值選的過小,會使UImin值大大降低,而輸入脈動電壓UR卻升高。但CIN值取得過大,會增加電容器成本,而且對于提高UImin值和降低脈動電壓的效果并不明顯。下面介紹計算CIN準確值的方法。

交流電壓u經(jīng)過橋式整流和CIN濾波,在u=umin情況下的輸入電壓波形如圖1所示。該圖是在PO=POM,fL=50Hz(或60Hz)、整流橋的響應(yīng)時間tc=3ms、η=80%的情況下繪出的。由圖可見,在直流高壓UImin上還要疊加上一個幅度為UR的初級脈動電壓,這是CIN在充放電過程中形成的。

欲獲得CIN的準確值,可按下式進行計算:CIN=(2)

圖1交流電壓為最小值時的輸入電壓波形

圖2正向恢復(fù)時間的電壓波形

圖3TOPSwitchⅡ等系列在230V交流輸入時各電壓參數(shù)的電位分布

舉例說明,在寬范圍電壓輸入時,umin=85V。取UImin=90V,fL=50Hz,tc=3ms,假定PO=30W,η=80%,一并帶入式(2)中求出CIN=84.2μF,比例系數(shù)CIN/PO=84.2μF/30W=2.8μF/W,這恰好在(2~3)μF/W允許的范圍之內(nèi)。

1.3初級各電壓參數(shù)的電位分布情況

下面詳細介紹輸入直流電壓的最大值UImin、初級感應(yīng)電壓UOR、鉗位電壓UB與UBM、最大漏極電壓

UDmax、漏源擊穿電壓U(BR)DS這6個電壓參數(shù)的電位分

布情況,使讀者能有一個定量的概念。

對于TOPSwitchⅡ系列單片開關(guān)電源,其功率開

關(guān)管的漏源擊穿電壓U(BR)DS≥700V,現(xiàn)取下限值700V,

其感應(yīng)電壓UOR=135V。本來初級鉗位二極管的鉗位電壓UB只需取135V,即可將疊加在UOR上由漏感而造成的尖峰電壓吸收掉,實際卻不然。手冊中給出UB參數(shù)值僅表示工作在常溫、小電流情況下的數(shù)值。實際上鉗位二極管(即瞬態(tài)電壓抑制器TVS)還具有正向溫度系數(shù),它在高溫、大電流條件下的鉗位電壓UBM要遠高于UB。實驗表明,二者存在下述關(guān)系:

UBM≈1.4UB(3)

這表明UBM大約比UB高40%。此外,為防止鉗位二極管對初級感應(yīng)電壓UOR也起到鉗位作用,所選用的TVS鉗位電壓應(yīng)按下式計算:

UB=1.5UOR(4)

此外,還須考慮與鉗位二極管相串聯(lián)的阻塞二極管VD1的影響。VD1一般采用超快恢復(fù)二極管(SRD),其特征是反向恢復(fù)時間(trr)很短。但是VD1在從反向截止到正向?qū)ㄟ^程中還存在著正向恢復(fù)時間(tfr),還需留出20V的電壓余量。正向恢復(fù)時間定義為:給二極管施加一個正向瞬態(tài)電壓,使之從電流為零的反向電壓偏置狀態(tài)轉(zhuǎn)入正向電壓偏置狀態(tài),直到管子的正向電壓恢復(fù)到規(guī)定值所需要的時間間隔。設(shè)二極管正向壓降的典型值為UF,這里講的規(guī)定值即為1.1UF。正向恢復(fù)時間的電壓波形如圖2所示。由圖可見,當(dāng)給二極管加上正向瞬態(tài)電壓時,管子由截止狀態(tài)轉(zhuǎn)變成導(dǎo)通狀態(tài)的過程如下:管子的正向電壓首先要從零上升到0.1UF,然后達到峰值電壓UFM,再下降到1.1UF。規(guī)定從0.1UF恢復(fù)到1.1UF所需時間,即為正向恢復(fù)時間。需要注意,正向恢復(fù)時間(tfr)和反向恢復(fù)時間(trr)屬于兩個性質(zhì)不同的特征參數(shù)。

考慮上述因素之后,TOPSwitchⅡ的最大漏源極

電壓的經(jīng)驗公式應(yīng)為:

UDmax=UImax+1.4×1.5UOR+20V(5)TOPSwitchⅡ各系列在230V交流固定輸入時,初級電壓參數(shù)對應(yīng)于波形的分布情況如圖3所示。此時u=230V±35V,即umax=265V,UImax=umax≈375V,UOR=135V,UB=1.5UOR≈200V,UBM=1.4UB=280V,UDmax=675V,最后再留出25V的電壓余量,因此U(BR)DS=700V。實際上U(BR)DS也具有正向溫度系數(shù),當(dāng)環(huán)境溫度升高時U(BR)DS也會升高,上述設(shè)計就為芯片耐壓值提供了額外的余量。

1.4根據(jù)IP值選擇芯片的方法

單片開關(guān)電源的極限電流最小值ILIMIT(min),均是針對室溫情況下定義的。若芯片工作在比較高的溫度下,其額定值應(yīng)減小10%,因此通常取初級峰值電流IP=0.9ILIMIT(min)。這表明在選擇芯片時,可先將IP除以0.9,轉(zhuǎn)換成ILIMIT(min)值,從有關(guān)參數(shù)表中查出符合上述要求且與該數(shù)值最為接近的TOPSwitch芯片。

在PO確定之后,采用連續(xù)模式能降低IP,允許使用功率較小的芯片。若要減小磁芯及高頻變壓器的尺寸,應(yīng)適當(dāng)增加初級脈動電流IR與峰值電流IP的比值KRP。KRP的取值范圍是0~1.0。KRP愈大,磁芯尺寸愈小,其代價是需采用輸出功率較大的芯片。另外,增大KRP值還意味著開關(guān)電源要向不連續(xù)模式過渡,此時初級電感量LP↓,IP↑,IRMS↑,導(dǎo)致η↓。因此,在選擇KRP值時應(yīng)權(quán)衡利弊,要在減小磁芯尺寸與保證盡量高的效率這二者之間,確定最優(yōu)設(shè)計方案。

2電子數(shù)據(jù)表格的結(jié)構(gòu)

在用計算機設(shè)計單片開關(guān)電源時,需借助于電子數(shù)據(jù)表格才能完成。這種表格的內(nèi)容以高頻變壓器設(shè)計為主,其它外圍電路及關(guān)鍵元器件參數(shù)計算為輔。單路輸出式開關(guān)電源的電子數(shù)據(jù)表格共分6列。A列代表輸入和輸出的參數(shù)。B列中是由用戶輸入的數(shù)據(jù)。C列為計算過程中保留的數(shù)據(jù),這些數(shù)據(jù)可作為中間變量,在前、后設(shè)計步驟中交叉使用。D列為計算結(jié)果。E列給出的是單位(SI制)。F列是對參數(shù)的說明。

舉例說明:由TOP222Y構(gòu)成的7.5V、15W單片開關(guān)電源模塊,其交流輸入電壓范圍是85V~265V,電壓調(diào)整率SV=±0.5%(85V~265V),負載調(diào)整率SI=±1%(負載電流從滿載的10%變化到100%),輸出紋波電壓最大值為±50mV。表1給出該模塊所對應(yīng)的電子數(shù)據(jù)表格,可供讀者在設(shè)計開關(guān)電源時參考。需要指出,在設(shè)計和使用電子表格時,還可根據(jù)實際電路的要求,適當(dāng)增加一些參數(shù)。例如在第16行下面插入TOPSwitch的極限電流最大值ILIMIT(max)參數(shù),并注明由此選定的芯片型號,作為新的17行,原17行就改為18行,依次順延。表中預(yù)留出的空行也是專為插入新參數(shù)而設(shè)置的。

表1設(shè)計7.5V、15W開關(guān)電源用的電子數(shù)據(jù)表格

  A B C D E F
1 輸入 中間過程 輸出 單位 參數(shù)說明
2 參數(shù) 數(shù)據(jù) 保留數(shù)據(jù) 計算結(jié)果   7.5V、15W開關(guān)電源
3 umin 85     V 交流輸入電壓最小值
4 umax 265     V 交流輸入電壓最大值
5 fL 50     Hz 電網(wǎng)頻率
6 f 100     kHz 開關(guān)頻率
7 UO 7.5     V 直流輸出電壓
8 PO 15     W 輸出功率
9 η 80     電源效率
10 Z 0.5       損耗分配系數(shù)
11 UFB 10.4     V 反饋電壓
12 tc 3.2     ms 整流橋響應(yīng)時間
13 CIN 33     μF 輸入濾波電容
14            
15 輸入TOPSwitch的變量  
16 UOR 85     V 初級繞組的感應(yīng)電壓
17 UDS(ON) 10     V TOPSwitch的漏-源導(dǎo)通電壓

續(xù)表

18 UF1 0.4     V 次級肖特基整流管正向壓降
19 UF2 0.7     V 反饋電路中高速開關(guān)整流管正向壓降
20 KRP 0.92     初級脈動電流IR與峰值電流IP的比例系數(shù)
21            
22 輸入高頻變壓器的結(jié)構(gòu)參數(shù)  
23   EE22       鐵氧體磁芯型號
24 SJ 0.41     cm2 磁芯有效橫截面積
25 l 3.96     cm 有效磁路長度
26 AL 2.4     μH/匝 磁芯不留間隙時的等效電感
27 b 8.43     mm 骨架寬度
28 M 0     mm 安全邊距(安全邊界寬度)
29 d 2     初級繞組層數(shù)
30 NS 5     次級匝數(shù)
31    
32 直流輸入電壓參數(shù)  
33 UImin     93 V 直流輸入電壓最小值
34 UImax     375 V 直流輸入電壓最大值
35            
36 初級電流波形參數(shù)  
37 Dmax     51 最大占空比(對應(yīng)于umin時)
38 IVAG     0.20 A 輸入電流的平均值
39 IP     0.74 A 初級峰值電流
40 IR     0.68 A 初級脈動電流
41 IRMS     0.32 A 初級有效值電流
42    
43 變壓器初級設(shè)計參數(shù)  
44 LP     623 μH 初級電感量
45 NP     54 初級繞組匝數(shù)
46 NF     7 反饋繞組線數(shù)
47 ALG   0.215   μH/匝 磁芯留間隙后的等效電感
48 BM     0.2085 T 最大磁通密度(BM=0.2~0.3T)
49 BAC   0.0959   T 磁芯損耗交流磁通密度(峰峰值×0.5)
50 μ   1845     磁芯無氣隙時的相對磁導(dǎo)率
51 δ     0.22 mm 磁芯的氣隙寬度(δ≥0.051mm)
52 α   16.85   mm 有效骨架寬度
53 DPM     0.31 mm 初級導(dǎo)線的最大外徑(帶絕緣層)
54 e   0.05   mm 估計的絕緣層總厚度(厚度×2)
55 DPm     0.26 mm 初級導(dǎo)線的裸線直徑
56 公制線徑     0.280 mm 初級導(dǎo)線規(guī)格
57 SP   0.0516   mm2 初級導(dǎo)線的橫截面積
58 J     0.67 A/mm2 電流密度J=(4~10A)/mm2
59            
60 變壓器次級設(shè)計參數(shù)  
61 ISP     7.95 A 次級峰值電流
62 ISRMS     3.36 A 次級有效值電流
63 IO     2.00 A 直流輸出電流
64 IRI     2.70 A 輸出濾波電容上的紋波電流
65            
66 SSmin   0.546   mm2 次級線圈最小橫截面積
67 公制線徑     0.900 mm 次級導(dǎo)線規(guī)格
68 DSm     0.91 mm 次級導(dǎo)線最小直徑(裸線)
69 DSM     1.69 mm 次級導(dǎo)線最大直徑(帶絕緣層)
70 NSS   0.39   mm 次級絕緣最大厚度
71            
72 電壓極限參數(shù)  
73 UDmax     573 V 最高漏極電壓估算值(包括漏感的作用)
74 U(BR)S     42 V 次級整流管最高反向峰值電壓
75 U(BR)FB     59 V 反饋電路整流管的最高反向峰值電壓
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