《電子技術應用》
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超低功耗5.8GHz雙模前置分頻器設計
摘要: 基于目前流行的TSPC高速電路,利用TSMC90nm1.P9M1.2VCMOS工藝設計了高速、低壓、低功耗32/33雙模前置分頻器,其適用于WLANIEEE802.1la通信標準。運用MentorGraphicsEldo對該電路進行仿真,仿真結果顯示,工作在5.8GHz時功耗僅0.8mW,電路最高的工作頻率可達到6.25GHz。
Abstract:
Key words :

0 引言

隨著移動通信技術的迅速發展,對射頻電路的高速、低功耗要求日益增長。基于鎖相環(PLL)結構的頻率合成器是收發機前端電路的重要組成部分,對為混頻器提供純凈的本振信號,具有重要地位。在PLL中,壓控振蕩器(VCO)和前置分頻器(Prescaler)是工作在最高頻率的兩個模塊,它們是限制 PLL工作頻率的主要瓶頸,因此提高前置分頻器的工作速度是解決限制PLL工作頻率上限的一個關鍵因素。為了滿足高頻通信的要求,必須對前置分頻器和 VCO進行高速、低功耗的優化設計。

雙模前置分頻器以D觸發器為主要單元。近年來涌現了很多不同結構的高速D觸發器。第1種是靜態SCL結構,由ECL電路結構演變而成。與傳統的靜態分頻器相比,由于它的擺幅較小,所以工作速度快。但是典型SCL結構的2分頻電路包括尾電流源在內至少需要18個MOS管,MOS管無法做到小尺寸,導致輸入電容很大甚至超過了管子本身的電容,所以SCL分頻器功耗較高。第2種是動態的TSPC(單相時鐘)結構,它采用單相時鐘的TSPC技術使構成分頻器的元件數目減少,可以提高電路的工作速度,同時這種電路的功耗極低,所以經常在前置分頻器中采用。TSPC分頻器的不足是噪聲性能不佳,因為動態單端結構比SCL結構更容易受噪聲的影響。第3種是注鎖式(iniected-locked)電路,由于要使用電感器,因而它的體積過大且工藝難度高,很少被應用。具體采用哪種電路結構應視情況而定。

本文采用動態TSPC結構,利用TSMC 90nm 1P9M 1.2VCMOS工藝,設計了一個適用于WLAN IEEE802.11a標準的雙模前置分頻器,具有高速、低壓、低功耗的特點。

1 電路設計

1.1 電路總體架構

雙模前置分頻器的基本結構如圖1所示,包括三個部分:同步2/3分頻器,由異步除2分頻器構成的分頻器鏈,以及反饋部分。控制信號MC控制分頻比,當MC=1時為32分頻,當MC=O時為33分頻。

圖l雙模前置分頻器結構圖

本設計基于上述傳統結構,通過減少高頻同步分頻器單元中MOS管的個數,達到降低功耗的目的。

1.2 同步分頻器設計

同步2/3分頻器的結構框圖如圖2所示,它是整個分頻器工作頻率最高的部分,亦是決定前置分頻器速度和功耗的關鍵部分。

MC為邏輯高電平時,電路實現2分頻;MC為邏輯低電平時,電路實現3分頻。采用同步2/3分頻器,大大減少了工作在高頻部分MOS管的數目,從而同步部分的功耗有所下降。同時將“與”門設計在D觸發器中。這種集成“與”門的觸發器不但簡化了電路設計,而且避免了單獨設計邏輯門所帶來的寄生參數的影響,減少了速度損失,從而很好地緩解了工作速度和功耗之間的矛盾。

1.3 優化功耗

從以上的分析可以看出,電路最大的功耗來自同步2/3分頻器,但無論是同步2/3分頻器還是異步分頻器鏈都必須采用D觸發器,因此設計好高速低功耗的D觸發器是影響整個分頻器速度和功耗的關鍵。

圖3為常用的Yuan-Svensson型D觸發器(下降沿觸發),這種電路采用動態CMOS技術,從左至右由一個N-C2MOS級,一個P- PrechargeCMOS級和一個P-C2MOS級組成。相對于傳統的靜態分頻器,它的各項性能已經有了明顯的改善,但是由于大多數MOS管既是前級的負載管又是后級的驅動管,每一級三個MOS管疊加帶來了大的RC延遲,所以就算減小其尺寸也不能提高速度。為此我們對圖3中的C2MOS電路進行改進,用鐘控偽PMOS反相器代替N-C2MOS,這樣MOS管的數目、負載電容都有減小。同樣用鐘控偽NMOS反相器代替PC2MOS,構成圖4所示的動態有比鎖存器,當時鐘信號為低(高)電平時鎖存器工作在求值(保持)模式,與Yuan-Svensson結構的D觸發器相比具有更低的RC,因此減小了功耗和傳輸延遲。

需要注意的是,當圖4的鎖存器工作在求值模式時(CLK為低電平),如果此時輸入信號D由高電平向低電平變化,則輸出Q的狀態發生翻轉,導致誤操作。于是需要在鎖存器的輸入端加上一級時鐘偽PMOS,如圖5,以防止圖4所示的鎖存器工作在求值模式時輸入端D電壓發生由高到低的翻轉,保證鎖存器的輸出在單個周期僅可以改變一次。圖5即為本文采用的負邊沿觸發的動態D觸發器,相比于圖3所示的YuanSvensson D觸發器,動態D觸發器的晶體管數目減少了三個,增強了時鐘的驅動能力,不僅提高了電路的工作頻率,而且大大降低了功耗。同時將“與 ”門集成到DFF中去,如圖6所示。仿真結果表明這種集成“與”門的D觸發器工作速度有一定提高,同時也降低了電路的功耗。在同步2/3分頻器中,DFFl采用的是不帶“與”門的D觸發器,DFF2采用帶“與”門的觸發器。

1.4 異步除2分頻器

經過同步2/3分頻器分頻后,信號的頻率已經降低。由于方波驅動較長分頻鏈時,可能引起模塊內部某點的高電平陷落,從而造成整個電路的邏輯混亂。由于同步分頻器中D觸發器的NQ端輸出的高電平不穩定,可以通過在Q端添加緩沖器予以解決。仿真結果表明,用該觸發器組成的異步鏈可在速度、頻率和功耗間達到很好的折衷。

2 電路的調試與仿真

調試時,首先要確定P1管與Nl管的寬長比(W/L)以保證時鐘為高電平時,圖4所示的鎖存器N2管總保持在關斷狀態,電路處于保持模式,因而輸出 O點的電壓保持不變。當時鐘從高變為低時,鎖存器進入求值模式,此時如果輸入D為低電平,這時N2管和P2管都導通,要求P2管的上拉能力比N2的下拉能力弱,以保證Q點輸出VOLQ比下一級門電路的輸入電壓VIL低,即輸出在低電平范圍內。

采用TSMC90nm CMOS工藝,電源電壓1.2V,使用Mentor公司的Eldo軟件對本設計進行仿真,仿真結果顯示,輸入頻率為5.8GHzH寸,電路功耗僅為O.8mW。

3 結論

對于一個雙模前置分頻器來說,工作的速度(輸入信號的頻率)和功耗是其性能最重要的兩個參數,本文采用動態有比D觸發器的結構,相比于傳統的 Yuan-SvenssonTSPC D觸發器,MOS管的數目減少了3個,這個對于VLSI來說將大大提高了其集成度,因此有著更好的工作頻率和更低的功耗。并在此基礎上設計了一個前置分頻器。完全覆蓋了WLAN IEEE802.11a通信標準的所有頻段。采用TSMC90nmCMOS工藝,電源電壓1.2V,運用Mentor公司的Elod軟件對本設計進行仿真,電路工作在5.8GHz時功耗僅為0.8mW。電路最高工作頻率可達到6.25GHz。

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