4月16日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和美光周四推出一種新型閃存存儲(chǔ)制造技術(shù)，這一技術(shù)使電子存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)更加密集化，有利于縮小產(chǎn)品占據(jù)的空間。此款20納米級(jí)的 NAND芯片產(chǎn)品估計(jì)可在今年下半年大量生產(chǎn)。
英特爾和美光曾經(jīng)合作制造的AND快閃存儲(chǔ)芯片很多年，具有長(zhǎng)期的合作伙伴關(guān)系。NAND閃存常用于制造智能手機(jī)或平板電腦。
先前版本的芯片為25納米級(jí)，英特爾表示升級(jí)至20納米后，不僅可維持同等級(jí)運(yùn)算性能和耐久度，儲(chǔ)存空間更是多出50％大小。
美光的NAND市場(chǎng)部總裁凱文基爾伯克宣稱(chēng)：持續(xù)縮減NAND的尺寸，確實(shí)為市場(chǎng)帶來(lái)新應(yīng)用程序空間在現(xiàn)有產(chǎn)品格式下，我們擁有更多空間放入 存儲(chǔ)，或能以更低的成本價(jià)位，保持同等存儲(chǔ)規(guī)格。
目前的8G的NAND閃存芯片采用新款20納米級(jí)技術(shù)，可減少約30-40％的體積，也讓平板電腦和智能手機(jī)制造商節(jié)省空間，可以使用作額外功能改 善，例如加大電池續(xù)航力，擴(kuò)大屏幕，增添芯片來(lái)支持新的功能等等。
英特爾和美光稱(chēng)，他們預(yù)計(jì)將在今年下半，推出16G的NAND閃存的新芯片產(chǎn)品。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題，請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。