日前，德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機存取存儲器(FRAM) 16位微控制器，從而宣告可靠數(shù)據(jù)錄入和射頻(RF) 通信能力進入了一個新時代。新型MSP430FR57xx FRAM系列的面市進一步彰顯了TI 在嵌入式處理技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，與基于閃存和EEPROM的微控制器相比，該FRAM系列可確保100倍以上的數(shù)據(jù)寫入速度和250倍的功耗降幅。此外，這種片上FRAM還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次的寫入次數(shù)、并為開發(fā)人員提供了一個全新的靈活度（允許其通過軟件變更來完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū)）。FR57xx系列突破了現(xiàn)有的存儲器功耗及可寫入次數(shù)限制，使得開發(fā)人員能夠憑借功能更多、連續(xù)工作時間更長的新產(chǎn)品所擁有的更高性價比的數(shù)據(jù)錄入、遠程感測和無線升級能力讓世界變得更加智能。如欲了解有關(guān)TI經(jīng)FRAM存儲器驗證的新型FR57xx微控制器的更多信息，敬請訪問www.ti.com/fr57xx-pr-lp。

SP430FR57xx FRAM微控制器的主要特性及優(yōu)勢
    當從FRAM中執(zhí)行代碼時，可將目前業(yè)界最佳功耗水平降低50%之多——工作流耗為100μA/MHz（主動模式）和3μA（實時時鐘模式）
    超過100萬億次的可寫入次數(shù)能支持連續(xù)數(shù)據(jù)錄入，從而無需采用昂貴的外部EEPROM及依賴電池供電的SRAM
    統(tǒng)一存儲器允許開發(fā)人員利用軟件來輕松改變程序、數(shù)據(jù)以及緩存之間的內(nèi)存分配，從而簡化了目錄管理并降低了系統(tǒng)成本
    所有電源模式中的數(shù)據(jù)寫入及數(shù)據(jù)保存保障可確保代碼安全性，以簡化開發(fā)流程、降低存儲器測試成本及提升終端產(chǎn)品可靠性
    實現(xiàn)了可靠的遠程軟件升級——特別是可以實現(xiàn)空中升級——旨在為設(shè)備制造商提供更廉價、更便捷的軟件升級途徑
    密度高達16kB的集成型FRAM以及模擬和連接外設(shè)選項，包括10位ADC、32位硬件乘法器、多達5個16位定時器和乘法增強型SPI/I2C/UART總線
    所有MSP平臺上的代碼兼容性以及低成本、易用型工具、綜合全面的文檔資料、用戶指南和代碼示例可方便開發(fā)人員立即啟動開發(fā)工作
    眾多由TI提供的兼容型射頻 (RF) 工具可簡化系統(tǒng)開發(fā)工作

    可實現(xiàn)無電池的智能型RF連接解決方案
    FR57xx MCU基于TI先進的低功耗、130nm嵌入式FRAM工藝