RAM(隨機存取存儲器)是一種在電子系統中應用廣泛的器件，通常用于數據和程序的緩存。隨著半導體工業的發展，RAM獲得了飛速的發展，從RAM、DRAM(Dynamic RAM，即動態RAM)發展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即同步動態RAM)，RAM的容量越來越大、速度越來越高，可以說存儲器的容量和速度已經成為半導體工業水平的標志。
1 任務背景
　　SDRAM具有大容量和高速的優點，目前其存取速度可以達到100～133MHz，單片容量可以達到64Mbit或更高，因此在需要高速、大容量存儲器的系統中得到廣泛應用，如應用在目前的計算機內存中。但是SDRAM的控制比較復雜，其接口不能直接與目前廣泛應用的普通微處理器(例如MCS－51系列、Motorola 68000系列)連接，這樣就限制了SDRAM在微處理器系統中的應用。
　　我們的任務是設計一個通用微處理器，它要具有語音、數據、圖像等多種處理功能，并具有RS232、USB等多種接口，另外由于多個通道的數據都需要進行緩存和處理，因此高速大容量的緩存是此系統必須的，所以選用了SDRAM作為緩存器件。來自多個輸入通道的數據在采集后需要暫時存儲在SDRAM中，處理后的數據也需要存儲在SDRAM中，再輸出到輸出通道中。在SDRAM與多個輸入輸出通道之間，采用多個雙口RAM作為接口器件。輸入通道采集的數據首先存儲在雙口RAM中，采集滿后，通過若干條指令將RAM中的數據轉移到SDRAM中的一定位置中，將SDRAM中的數據轉移到RAM中也只需要若干條指令來完成。這樣通過幾條指令來設置RAM起始地址、SDRAM起始地址、傳送數據長度、傳送數據方向之后，SDRAM與RAM之間數據傳送就完全可以通過硬件實現，不必占用微處理器的指令時間。
2 SDRAM簡介
　　SDRAM具有多種工作模式，內部操作是一個非常復雜的狀態機。SDRAM的管腳分為以下幾類：
　　(1) 控制信號：包括片選、時鐘、時鐘有效、行/列地址選擇、讀寫選擇、數據有效；
　　(2) 地址：時分復用管腳，根據行/列地址選擇管腳控制輸入地址為行地址或列地址；
　　(3) 數據：雙向管腳，受數據有效控制；
　　根據控制信號和地址輸入，SDRAM包括多種輸入命令：① 模式寄存器設置命令；② 激活命令；③ 預充命令；④寫命令；⑤ 讀命令；⑥自動刷新命令；⑦ 自我刷新命令；⑧突發停止命令；⑨ 空操作命令。
　　根據輸入命令，SDRAM狀態在內部狀態間轉移。內部狀態包括：①模式寄存器設置狀態；②激活狀態；③預充狀態；④寫狀態；⑤讀狀態；⑥自動刷新狀態；⑦自我刷新狀態；⑧節電狀態。
3 SDRAM接口狀態機設計
　　根據系統的要求，采用固定型號SDRAM，我們對SDRAM的操作進行了以下簡化：
　　(1)不考慮隨機存取模式，只采用突發讀寫數據模式，固定突發數據長度為2；
　　(2)固定SDRAM讀命令輸入到數據輸出延時時鐘周期為2；
　　(3)刷新模式僅采用自我刷新模式，不采用自動刷新模式；
　　(4)SDRAM的初始化、節電模式由微處理器控制；
　　(5)SDRAM為16位數據總線，RAM為32位數據總線，SDRAM進行一次突發操作，RAM進行一次讀寫操作，以實現速度匹配；
　　(6)SDRAM和RAM讀寫地址采用遞增模式，連續變化。

　　簡化的SDRAM接口狀態轉移圖如圖1所示。其中，初始化、自我刷新、電源關斷、讀操作、寫操作、預充等狀態又分別各由一組子狀態組成。
　　為充分利用SDRAM的高速存取特性，讀、寫時序必須仔細設計，應基本可以實現每個時鐘周期進行一次數據存取。
3.1 SDRAM讀操作時序設計
　　當數據轉移方向為從SDRAM到雙口RAM時，如果SDRAM讀操作行地址未發生變化，可以滿足每時鐘周期輸出一次數據的高速操作。但是當SDRAM行地址發生變化時，必須返回預充狀態，由于從SDRAM的讀命令輸入到SDRAM數據輸出之間有2個時鐘周期的延時，所以判斷下一讀操作的行地址是否發生變化必須提前兩個周期判斷。讀操作部分的狀態轉移圖如圖2所示。

3.2 SDRAM寫操作時序設計
　　當數據轉移方向為從雙口RAM到SDRAM時，如果SDRAM寫操作行地址未發生變化，可以滿足每時鐘周期寫入一次數據的高速操作。但是當SDRAM行地址發生變化時，必須返回預充狀態，由于從SDRAM的寫命令輸入到SDRAM數據輸入之間沒有延時，所以判斷下一寫操作的行地址是否發生變化無需提前判斷，因此寫操作狀態轉移圖比讀操作部分簡單。寫操作部分的狀態轉移圖如圖3所示。