1 Si襯底LED芯片制造
1.1 技術路線
在Si襯底上生長GaN，制作LED藍光芯片。
工藝流程：在Si襯底上生長AlN緩沖層→生長n型GaN→生長InGaN/GaN多量子阱發光層→生長p型AIGaN層→生長p型GaN層→鍵合帶Ag反光層并形成p型歐姆接觸電極→剝離襯底并去除緩沖層→制作n型摻si層的歐姆接觸電極→合金→鈍化→劃片→測試→包裝。
1.2 主要制造工藝
采用Thomas Swan CCS低壓MOCVD系統在50mm si(111)襯底上生長GaN基MQW結構。使用三甲基鎵(TMGa)為Ga源、三甲基鋁(TMAI)為Al源、三甲基銦(TMIn)為In源、氨氣(NH3)為N源、硅烷(SiH4)和二茂鎂(CP2Mg)分別用作n型和p型摻雜劑。首先在Si(111)襯底上外延生長AlN緩沖層，然后依次生長n 型GaN層、InGaN/GaN多量子阱發光層、p型AlGaN層、p型GaN層，接著在p面制作Ag反射鏡并形成p型歐姆接觸，然后通過熱壓焊方法把外延層轉移到導電基板上，再用Si腐蝕液把Si襯底腐蝕去除并暴露n型GaN層，使用堿腐蝕液對n型面粗化后再形成n型歐姆接觸，這樣就完成了垂直結構LED芯片的制作。結構圖見圖1。
從結構圖中看出，Si襯底芯片為倒裝薄膜結構，從下至上依次為背面Au電極、Si基板、粘接金屬、金屬反射鏡(p歐姆電極)、GaN外延層、粗化表面和Au電極。這種結構芯片電流垂直分布，襯底熱導率高，可靠性高;發光層背面為金屬反射鏡，表面有粗化結構，取光效率高。
1.3 關鍵技術及創新性
用Si作GaN發光二極管襯底，雖然使LED的制造成本大大降低，也解決了專利壟斷問題，然而與藍寶石和SiC相比，在Si襯底上生長GaN更為困難，因為這兩者之間的熱失配和晶格失配更大，Si與GaN的熱膨脹系數差別也將導致GaN膜出現龜裂，晶格常數差會在GaN外延層中造成高的位錯密度;另外Si襯底LED還可能因為Si與GaN之間有0.5 V的異質勢壘而使開啟電壓升高以及晶體完整性差造成p型摻雜效率低，導致串聯電阻增大，還有Si吸收可見光會降低LED的外量子效率。因此，針對上述問題，深入研究和采用了發光層位錯密度控制技術、化學剝離襯底轉移技術、高可靠性高反光特性的p型GaN歐姆電極制備技術及鍵合技術、高出光效率的外延材料表面粗化技術、襯底圖形化技術、優化的垂直結構芯片設計技術，在大量的試驗和探索中，解決了許多技術難題，最終成功制備出尺寸1mm×1mm，350mA下光輸出功率大于380mW、發光波長451nm、工作電壓3.2V的藍色發光芯片，完成課題規定的指標。采用的關鍵技術及技術創新性有以下幾個方面。
(1)采用多種在線控制技術，降低了外延材料中的刃位錯和螺位錯，改善了Si與GaN兩者之間的熱失配和晶格失配，解決了GaN單晶膜的龜裂問題，獲得了厚度大于4μm的無裂紋GaN外延膜。
(2)通過引入AIN，AlGaN多層緩沖層，大大緩解了Si襯底上外延GaN材料的應力，提高了晶體質量，從而提高了發光效率。
(3)通過優化設計n-GaN層中Si濃度結構及量子阱/壘之間的界面生長條件，減小了芯片的反向漏電流并提高了芯片的抗靜電性能。
(4)通過調節p型層鎂濃度結構，降低了器件的工作電壓;通過優化p型GaN的厚度，改善了芯片的取光效率。
(5)通過優化外延層結構及摻雜分布，減小串聯電阻，降低工作電壓，減少熱產生率，提升了LED的工作效率并改善器件的可靠性。
(6)采用多層金屬結構，同時兼顧歐姆接觸、反光特性、粘接特性和可靠性，優化焊接技術，解決了銀反射鏡與p-GaN粘附不牢且接觸電阻大的問題。
(7)優選了多種焊接金屬，優化焊接條件，成功獲得了GaN薄膜和導電Si基板之間的牢固結合，解決了該過程中產生的裂紋問題。
(8)通過濕法和干法相結合的表面粗化，減少了內部全反射和波導效應引起的光損失，提高LED的外量子效率，使器件獲得了較高的出光效率。
(9)解決了GaN表面粗化深度不夠且粗化不均勻的問題，解決了粗化表面清洗不干凈的難題并優化了 N電極的金屬結構，在粗化的N極性n-GaN表面獲得了低阻且穩定的歐姆接觸。
2 Si襯底LED封裝技術
2.1 技術路線
采用藍光LED激發YAG/硅酸鹽/氮氧化物多基色體系熒光粉，發射黃、綠、紅光，合成白光的技術路線。
工藝流程：在金屬支架/陶瓷支架上裝配藍光LED芯片(導電膠粘結工藝)→鍵合(金絲球焊工藝)→ 熒光膠涂覆(自動化圖形點膠/自動噴射工藝)→Si膠封裝(模具灌膠工藝)→切筋→測試→包裝。
2.2 主要封裝工藝
Si襯底的功率型GaN基LED封裝采用仿流明的支架封裝形式，其外形有朗柏型、矩形和雙翼型。其制作過程為：使用導熱系數較高的194合金金屬支架，先將LED芯片粘接在金屬支架的反光杯底部，再通過鍵合工藝將金屬引線連接LED芯片與金屬支架電極，完成電氣連接，最后用有機封裝材料(如Si膠)覆蓋芯片和電極引線，形成封裝保護和光學通道。這種封裝對于取光效率、散熱性能、加大工作電流密度的設計都是最佳的。其主要特點包括：熱阻低(小于10 ℃/W)，可靠性高，封裝內部填充穩定的柔性膠凝體，在-40～120℃范圍，不會因溫度驟變產生的內應力，使金絲與支架斷開，并防止有機封裝材料變黃，引線框架也不會因氧化而沾污;優化的封裝結構設計使光學效率、外量子效率性能優異，其結構見圖2。
2.3 關鍵技術及創新性
功率型LED的熱特性直接影響到LED的工作溫度、發光效率、發光波長、使用壽命等，現有的Si襯底的功率型GaN基LED芯片設計采用了垂直結構來提高芯片的取光效率，改善了芯片的熱特性，同時通過增大芯片面積，加大工作電流來提高器件的光電轉換效率，從而獲得較高的光通量，也因此給功率型LED的封裝設計、制造技術帶來新的課題。功率LED封裝重點是采用有效的散熱與不劣化的封裝材料解決光衰問題。為達到封裝技術要求，在大量的試驗和探索中，分析解決相關技術問題，采用的關鍵技術和創新性有以下幾點。
(1)通過設計新型陶瓷封裝結構，減少了全反射，使器件獲得高取光效率和合適的光學空間分布。
(2)采用電熱隔離封裝結構和優化的熱沉設計，以適合薄膜芯片的封裝要求。
(3)采用高導熱系數的金屬支架，選用導熱導電膠粘結芯片，獲得低熱阻的良好散熱通道，使產品光衰 ≤5%(1 000 h)。
(4)采用高效、高精度的熒光膠配比及噴涂工藝，保證了產品光色參數可控和一致性。
(5)多層復合封裝，降低了封裝應力，實施SSB鍵合工藝和多段固化制程，提高了產品的可靠性。
(6)裝配保護二極管，使產品ESD靜電防護提高到8 000 V。
3 產品測試結果
3.1 Si襯底LED芯片
通過優化Si襯底表面的處理和緩沖層結構，成功生長出可用于大功率芯片的外延材料。采用Pt電極作為反射鏡，成功實現大功率芯片的薄膜轉移。采用銀作為反射鏡，大大提高了反射效率，通過改進反射鏡的設計并引入粗化技術，提高了光輸出功率。改進了Ag反射鏡蒸鍍前p型GaN表面的清洗工藝和晶片焊接工藝，改善了銀反射鏡的歐姆接觸，量子阱前引入緩沖結構，提高了芯片發光效率，優化量子阱/壘界面生長工藝，發光效率進一步提高，通過改進焊接技術，減少了襯底轉移過程中芯片裂紋問題，芯片制備的良率大幅度提高，且可靠性獲得改善。通過上述多項技術的應用和改進，成功制備出尺寸1 mm×1 mm，350 mA下光輸出功率大于380 mW的藍色發光芯片，發光波長451 nm，工作電壓3.2 V，完成課題規定的指標。表1為芯片光電性能參數測試結果。
注：測試條件為350 mA直流，Ta=25℃恒溫。
3.2 Si襯底LED封裝
根據LED的光學結構及芯片、封裝材料的性能，建立了光學設計模型和軟件仿真手段，優化了封裝的光學結構設計。通過封裝工藝技術改進，減少了光的全反射，提高了產品的取光效率。改進導電膠的點膠工藝方式，并對裝片設備工裝結構與精度進行了改進，采用電熱隔離封裝結構和優化的熱沉設計，降低了器件熱阻，提高了產品散熱性能。采用等離子清洗工藝，改善了LED封裝界面結合及可靠性。針對照明應用對光源的光色特性的不同要求，研究暖白、日光白、冷白光LED顏色的影響因素：芯片參數、熒光粉性能、配方、用量，并通過改進熒光膠涂覆工藝，提高了功率LED光色參數的控制能力，生產出與照明色域規范對檔的產品。藍光和白光LED封裝測試結果見表2。表中：φ為光通量;K為光效;P為光功率;R為熱阻;μ為光衰;I為飽和電流。
4 結語
Si襯底的GaN基LED制造技術是國際上第三條LED制造技術路線，是LED三大原創技術之一，與前兩條技術路線相比，具有四大優勢：第一，具有原創技術產權，產品可銷往國際市場，不受國際專利限制。第二，具有優良的性能，產品抗靜電性能好，壽命長，可承受的電流密度高。第三，器件封裝工藝簡單，芯片為上下電極，單引線垂直結構，在器件封裝時只需單電極引線，簡化了封裝工藝，節約了封裝成本。第四，由于Si襯底比前兩種技術路線使用的藍寶石和SiC價格便宜得多，而且將來生產效率更高，因此成本低廉。