《電子技術(shù)應(yīng)用》
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基于單片機(jī)的涌流抑制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
烏云高娃1,2, 劉滌塵2, 葉
摘要: 從勵(lì)磁涌流的成因出發(fā),設(shè)計(jì)涌流抑制器,通過計(jì)算變壓器分/合閘時(shí)間以控制變壓器分/合閘角度來抑制涌流,從而消除勵(lì)磁涌流對電網(wǎng)的污染等一系列危害。
Abstract:
Key words :

    摘  要:勵(lì)磁涌流的成因出發(fā),設(shè)計(jì)涌流抑制器,通過計(jì)算變壓器分/合閘時(shí)間以控制變壓器分/合閘角度來抑制涌流,從而消除勵(lì)磁涌流對電網(wǎng)的污染等一系列危害。 

    關(guān)鍵詞: 變壓器; 涌流抑制器; 合閘角; 存儲系統(tǒng)

 

    在電力變壓器空載接入電源及變壓器發(fā)生故障被繼電保護(hù)裝置切除時(shí),因變壓器某側(cè)繞組感受到外施電壓的驟增而產(chǎn)生有時(shí)數(shù)值極大的勵(lì)磁涌流,對電網(wǎng)及電器設(shè)備造成極為不利的影響。目前勵(lì)磁涌流領(lǐng)域的研究多集中在用各種算法辨別涌流與故障電流來避免保護(hù)誤動[1],但涌流還是會發(fā)生,對系統(tǒng)造成的危害仍然存在。本文研制的涌流抑制器從勵(lì)磁涌流成因出發(fā)[2],設(shè)計(jì)重點(diǎn)是削弱或抑制涌流的發(fā)生,使其不發(fā)生或發(fā)生時(shí)幅值足夠小而不足以引起危害,并且具備對涌流的自動錄波功能。 

1 涌流抑制器的設(shè)計(jì)思想

    涌流抑制器的設(shè)計(jì)思想是消除涌流發(fā)生的條件。根據(jù)參考文獻(xiàn)[3-7]中關(guān)于變壓器瞬變過程的討論,由磁鏈?zhǔn)睾阍恚贸龃磐?phi;由穩(wěn)態(tài)磁通φs、剩磁通φr和偏磁φp三項(xiàng)構(gòu)成。設(shè)變壓器在時(shí)間t=0時(shí)刻合閘,可繪出電壓為U、空投合閘角α=0時(shí)的磁通變化曲線,如圖1所示。 

 

 

    總磁通由剩磁、偏磁(暫態(tài)磁通)及穩(wěn)態(tài)磁通三者組成。不難看出,在圖1偏磁的情況下,如剩磁為正,則總磁通曲線向上平移,即磁路更易飽和,勵(lì)磁涌流幅值會更大。如剩磁為負(fù),則勵(lì)磁涌流將被抑制。隨著偏磁φp的衰減,總磁通φ將逐步與穩(wěn)態(tài)磁通φs重合,變壓器進(jìn)入穩(wěn)態(tài)運(yùn)行。 

    分閘時(shí)變壓器的偏磁和剩磁肯定不會導(dǎo)致變壓器鐵芯飽和。當(dāng)變壓器沒有電容性負(fù)載時(shí),如果根據(jù)前次的分閘角選擇合適的合閘角,使偏磁與剩磁極性相反,鐵心不飽和就沒有勵(lì)磁涌流,如鐵心輕度飽和,則勵(lì)磁涌流很小。 

2 涌流抑制器的工作原理

    涌流抑制器的主要工作原理如圖2所示。通過計(jì)算分/合閘時(shí)間從而控制變壓器分/合閘角度來抑制涌流。通過采樣器采集變壓器的分/合閘指令,并記錄本次合閘/分閘的時(shí)間點(diǎn)、各相當(dāng)時(shí)的相位角。當(dāng)涌流抑制器收到分/合閘指令時(shí),先根據(jù)上次記錄的各相的相位角歷史數(shù)據(jù)和指令下達(dá)時(shí)間計(jì)算出可以有效抑制勵(lì)磁涌流的合閘/分閘時(shí)間,并根據(jù)計(jì)算出的時(shí)間點(diǎn)發(fā)出分/合閘指令,以達(dá)到抑制勵(lì)磁涌流的功能。 

 

 

3 涌流抑制器的硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) 

3.1 硬件框圖設(shè)計(jì)

    硬件設(shè)計(jì)如圖3所示,設(shè)備設(shè)計(jì)有CPU處理模塊板、MOSFET模塊板、TA板(CT/PT模塊)、電源板和總線板等。 

 

 

    各個(gè)模塊板的功能為: 

    (1) CPU處理模塊板:提供系統(tǒng)總線和總控功能,處理合閘、分閘操作,測量斷路器精確的合閘和分閘時(shí)間、加密狗控制、實(shí)現(xiàn)與上位機(jī)的通訊等。 

    (2) MOSFET模塊板:接收CPU板的合閘、分閘命令,實(shí)現(xiàn)對外部斷路器的控制。 

    (3) TA板(CT/PT模塊):測量三相TA的二次電流。 

    (4) 電源板/TV板:提供系統(tǒng)所需電源并測量三相TA的二次電壓。 

3.2 單片機(jī)C8051F020控制模塊

    單片機(jī)C8051FXXX采用流水線結(jié)構(gòu),C8051F020速度可達(dá)25 MIPS,高的可達(dá)100 MIPS,70%的指令執(zhí)行時(shí)間只需要1個(gè)或2個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘周期;比標(biāo)準(zhǔn)的8051增加了中斷數(shù)量達(dá)22個(gè)中斷源;片內(nèi)有64 KB程序存儲器、4 KB XRAM并具有64 KB外部數(shù)據(jù)存儲器接口;外部數(shù)據(jù)總線可編程為標(biāo)準(zhǔn)8 051復(fù)用方式或非復(fù)用方式。 

    C8051F020數(shù)據(jù)接口包括:8個(gè)8 bit 雙向I/O,其中P0~P3口具有位控功能,并通過編程可使其具有第二功能;1個(gè)硬件SMBus(與I2C兼容)接口;1個(gè)硬件SPI接口;2個(gè)硬件UART串口;5個(gè)通用定時(shí)器,1個(gè)專用看門狗定時(shí)器。 

    系統(tǒng)總線采用非復(fù)用方式,P7口為數(shù)據(jù)總線,P5口為地址高8位,P6口為地址低8位,P4口的P4.7為WR,P4.6為RD,其結(jié)構(gòu)如圖4所示。 

 

 

    非復(fù)用方式總線I/O口配置、外設(shè)配置如下: 

    void Init_Device(void) 

    { 

        EMI0CF    = 0x37;   // 配置P7..4口為非復(fù)用總線 

        P0MDOUT   = 0x01; // TXD1為推挽方式 

        XBR0      = 0x05;   // 配置串口0,I2C端口 

        XBR2      = 0x40;   //  

    } 

    地址分配:采用地址線與的方式A[15..12] 

    液晶屏地址:7000H~7FFFH 

    鍵盤模塊地址:B000H~BFFFH 

    TV板地址:D000H~DFFFH 

    TA板地址:E000H~EFFFH 

3.3 存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì) 

    采用帶有2線工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)串行接口的非易失性FRAM產(chǎn)品FM24C512進(jìn)行錄波存儲和漢字存儲, FM24C512 是512  KB非易失性RAM,與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)24C512的 EEPROM的引腳兼容,易于開發(fā),并以高達(dá)1 MHz的總線速度執(zhí)行讀操作和無須等待的寫入操作。 

    基本電路原理設(shè)計(jì)如圖5所示,由4片24C512組成存儲系統(tǒng)。其中2片用于存放漢字庫,另外2片24C512采用循環(huán)存儲的方式進(jìn)行過程錄波,可對IA、IB、IC、三個(gè)電流量進(jìn)行操作過程錄波,并保留最近2次的錄波數(shù)據(jù)。 

 

 

    系統(tǒng)上電后,MCU主控初始化程序開始運(yùn)行,并進(jìn)行初始化工作。初始化程序?qū)OSFET進(jìn)行檢查。MOSFET正常無誤后初始化程序取出密碼狗密鑰,送交加密芯片AT88SC0104C進(jìn)行驗(yàn)證。如果密鑰正確,則AT88SC0104C進(jìn)行對MCU主控程序動態(tài)解密。MCU開始執(zhí)行加密主控程序。主控程序按照周期進(jìn)行操作。 

4 空投變壓器時(shí)的涌流抑制器應(yīng)用 

4.1 涌流抑制器的控制原理

    圖6為通過斷路器控制變壓器空投時(shí)使用涌流抑制器的原理框圖。涌流抑制器接收到合閘命令后,根據(jù)預(yù)先設(shè)置的三相斷路器合閘時(shí)間及通過電壓互感器二次電壓獲得的電壓相位角測量值,第一時(shí)間發(fā)出合斷路器命令。由斷路器輔助接點(diǎn)向涌流抑制器提供測量斷路器分、合閘時(shí)間的信號。考慮到輔助接點(diǎn)與主觸頭的動作時(shí)間差,涌流抑制器專門配有測量裝置,在斷路器脫離一次回路電源時(shí)測量這一時(shí)差的功能,作為修正斷路器分、合閘時(shí)間之用。 

 

 

    涌流抑制器一般情況下只對斷路器實(shí)施合閘操作,人工或繼電保護(hù)可直接對斷路器進(jìn)行分閘操作。在某些情況下,例如人們希望變壓器在某個(gè)電源電壓相位角時(shí)斷電,則可通過涌流抑制器按設(shè)定的角度進(jìn)行分閘操作,操作主流程如圖7所示。

 

 

    試驗(yàn)與實(shí)際使用表明,變壓器在某個(gè)相位角時(shí)電源切除,下次在此相近的相位角時(shí)合閘上電,偏磁可以抵消剩磁從而抑制勵(lì)磁涌流。需要指出的是,變壓器鐵心受到高于材料居里點(diǎn)的高溫作用后剩磁才會衰減或消失,但是現(xiàn)場通常不會出現(xiàn)這種情況,從而保證了設(shè)備使用的正常工況。 

參考文獻(xiàn)

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