擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出兩款面向手機(jī)基站設(shè)備的低功耗、低失真射頻（RF）至中頻（IF）混頻器以擴(kuò)展其模擬無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品組合。新的器件可改善系統(tǒng)三階互調(diào)（IM3）性能并減少功耗，從而實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的服務(wù)質(zhì)量（QoS）和 4G 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中更小的附件和增強(qiáng)的可靠性。
　
　　IDT F1150 和 F1152 是低功耗、低失真的雙通道 1700 – 2200MHz RF 至 IF 混頻器，擁有非常好的線性指標(biāo)（+42 dBm）三階交調(diào)（IP3O）以實(shí)現(xiàn)極佳的互調(diào)抑制，使其成為 4G 無(wú)線基站中多載波、多模蜂窩系統(tǒng)的理想選擇。與標(biāo)準(zhǔn)混頻器相比，該混頻器減少功耗超過(guò) 40%，極大減少了熱耗散并減輕了射頻的散熱要求－這對(duì)如今高度緊湊設(shè)備來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)關(guān)鍵因素。此外，器件改善 IM3 失真超過(guò) 15 dB，可實(shí)現(xiàn)更好的信噪比（SNR），使得客戶能夠使用更高的前端增益改進(jìn)性能。
　
　　IDT 公司通信部總經(jīng)理兼副總裁 Tom Sparkman 表示：“我們最新的 RF 至 IF 混頻器產(chǎn)品鞏固了我們?cè)跓o(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位和將我們的產(chǎn)品組合擴(kuò)展到射頻信號(hào)鏈。IDT F1150 和 F1152 擁有低功耗和低 IM3 失真，可滿足我們客戶正緊密部署的 4G 基站解決方案的關(guān)鍵需求。我們的客戶非常歡迎混頻器高性能和全功能的特點(diǎn)，他們已經(jīng)在使用 IDT 的高性能產(chǎn)品，包括時(shí)鐘和計(jì)時(shí)、RapidIO® 和來(lái)自我們完整通信產(chǎn)品組合的其他器件。”
　
　　IDT F1150 和 F1152 與低噪聲數(shù)字控制 IF 可變?cè)鲆娣糯笃?F1200 相得益彰，F(xiàn)1200 是 IDT 不斷增加的 RF 信號(hào)通道產(chǎn)品中最近推出的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品利用 IDT 的模擬專長(zhǎng)和豐富的數(shù)字經(jīng)驗(yàn)，以提供可優(yōu)化客戶應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)解決方案。
　
供貨
　　IDT F1150（高本振注入）和 F1152（低本振注入）已向合格客戶提供樣品，提供 36 引腳 6x6 毫米 QNF 封裝。欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.idt.com/go/RF。