《電子技術(shù)應(yīng)用》
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電磁兼容與 EMI抑制器件技術(shù)
摘要: 本文介紹EMI濾波器的常見(jiàn)問(wèn)題、發(fā)展趨勢(shì)及改善EMI濾波器性能的辦法;從濾波器L/C器件性能影響因素、L磁飽和/頻率的影響、LC溫度的影響、濾波器L/C器件雜散耦合的影響、寄生參數(shù)/耦合的抑制五大方面分析無(wú)源EMI濾波器高頻性能的改善方案;并介紹了平面集成設(shè)計(jì)(電磁集成;電容、電感集成)及混合集成設(shè)計(jì)兩大EMI濾波器小型化設(shè)計(jì)技術(shù)。
Abstract:
Key words :

中心議題:

開(kāi)關(guān)電源三高一低的發(fā)展趨勢(shì),使EMI濾波器面臨著持續(xù)改進(jìn)壓力!本文介紹EMI濾波器的常見(jiàn)問(wèn)題、發(fā)展趨勢(shì)及改善EMI濾波器性能的辦法;從濾波器L/C器件性能影響因素、L磁飽和/頻率的影響、 LC溫度的影響、濾波器L/C器件雜散耦合的影響、寄生參數(shù)/耦合的抑制五大方面分析無(wú)源EMI濾波器高頻性能的改善方案;并介紹了平面集成設(shè)計(jì)(電磁集成;電容、電感集成)及混合集成設(shè)計(jì)兩大EMI濾波器小型化設(shè)計(jì)技術(shù)。

一、電磁兼容新進(jìn)展

開(kāi)關(guān)電源三高一低的發(fā)展趨勢(shì),EMI濾波器面臨著持續(xù)改進(jìn)壓力!
          一、電磁兼容新進(jìn)展
EMI濾波器應(yīng)達(dá)到高衰減性能、小體積、低成本。

EMI濾波器的常見(jiàn)問(wèn)題:

  • 低頻傳導(dǎo)發(fā)射高
  • 高頻傳導(dǎo)/輻射發(fā)射高
  • 體積大

影響EMI濾波器性能/體積的因素:

  • L、C最小否? 從主電路結(jié)構(gòu)、控制及頻率方面來(lái)看LC對(duì)濾波器的性能影響
  • 拓?fù)鋬?yōu)化否?拓?fù)涫欠駜?yōu)化要看阻抗失配的情況如何。
  • 材料影響否? 對(duì)于材料,主要考慮的是磁芯Bs/u’+ju’’
  • 寄生/耦合影響否?對(duì)于元器件之間的寄生/耦合作用是否影響濾波器的性能,主要是從器件工藝/布局方面來(lái)考慮,通過(guò)優(yōu)化器件的布局來(lái)盡量減少影響作用,提高性能。

改善濾波器性能/體積的可能方法:

  • 低通濾波器的精細(xì)設(shè)計(jì)
  • 新型濾波器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

二. 無(wú)源EMI濾波器性能改善設(shè)計(jì)
                     無(wú)源EMI濾波器性能改善設(shè)計(jì)
無(wú)源LC反射濾波或吸收濾波,可覆蓋150kHz-1GHz。

              •EMI濾波器應(yīng)處于阻抗失配狀態(tài)
              •電感、電容應(yīng)有足夠的電壓、電流容量
              •Ldm電感、Cx、Cy電容有最大值限制

如何選擇EMI濾波器拓?fù)洌?br />
                  如何選擇EMI濾波器拓?fù)洌? height=
如果一階濾波器無(wú)法滿足要求,可以使用多階濾波器。

 改善的CM/DM濾波器拓?fù)洌?/strong>


 改善的CM/DM濾波器拓?fù)洌? height=
                                      改善的CM/DM濾波器拓?fù)? height=
濾波器L/C器件性能影響因素分析
 
電容引腳:
                             電容引腳:
 
電感
                           電感
        電感
 改進(jìn)方案
                                               改進(jìn)方案

 

                                                             短管腳并小容值電容PCB引線也要短


                                    加大匝間距漸進(jìn)繞組
                                                                     加大匝間距漸進(jìn)繞組

 

L磁飽和/頻率的影響
            L磁飽和/頻率的影響
                                                         高飽和密度磁芯 合適橫截面積
                         選擇寬帶磁材料、u
LC溫度的影響
                                                           LC溫度的影響
 濾波器L/C器件雜散耦合的影響
                                                          濾波器L/C器件雜散耦合的影響
                                                 濾波器L/C器件雜散耦合的影響
寄生參數(shù)/耦合的抑制
                              寄生參數(shù)/耦合的抑制

 電感EPC的抑制
                                     電感EPC的抑制

 電容ESL抑制
                               電容ESL抑制
耦合的抑制
                  耦合的抑制

EMI濾波器小型化設(shè)計(jì)技術(shù)

EMI的小型化主要受電源原始噪聲大小、電感與電容體積影響,通過(guò)采用新型磁材料、平面化集成設(shè)計(jì)、混合濾波器設(shè)計(jì)的方式,可以有效減小其體積。
 
平面集成設(shè)計(jì)

平面電磁集成化

                               平面集成設(shè)計(jì)
                                   平面集成設(shè)計(jì)
                        平面電磁集成化

平面集成電容、電感集成
                                   平面集成電容、電感集成
   平面集成電容、電感集成

混合集成化
                混合集成化

小結(jié):EMC標(biāo)準(zhǔn)的提升,要求抑制器件的高頻性能進(jìn)一步提升;EMI的小型化主要受電源原始噪聲大小、電感與電容體積影響,通過(guò)采用新型磁材料、平面化集成設(shè)計(jì)、混合濾波器設(shè)計(jì)等方式,可以有效減小其體積。

 

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