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GaAs和InP技術支撐光纖模擬芯片市場高增長

2009-08-14
作者:來源:國際電子商情

??? StrategyAnalytics發布最新研究報告“光纖模擬芯片市場機會:2008-2013”。化合物半導體正在越來越多地被應用在更高價值、更高成長性的細分產品市場上。在不斷增長的光纖模擬芯片市場,硅(Silicon),硅化鍺(SiGe),砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)技術各有所長,將爭奪化合物半導體市場份額。報告提供對光纖模擬芯片,包括跨阻抗放大器(TIAs-transimpedanceamplifiers),激光驅動器(laserdrivers)和后置/限幅放大器(post/limitingamplifiers)的增長預測。

速度小于2.5Gbps的舊版網絡目前仍主導市場份額,但是在預測期內將增長緩慢。受到市場對帶寬需求不斷增長的驅動,10Gbps網絡將成為行業的事實標準,在2011-2013年期間,其復合年增長率將達到20%。隨著市場不斷推進向更高網速的發展,40Gbps網絡也會出現強勢增長。


??? StrategyAnalytics的GaAs和化合物半導體技術市場研究部主管AsifAnwar認為:“相比其它大多數通信市場,光纖抗市場風險的能力更強。這是因為市場對更多、更快的帶寬需求似乎總不滿足,而鋪設光纖的資本支出也早已到位。StrategyAnalytics預期,基于砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)的激光驅動器和TIAs是推出更高速的10Gbps,40Gbps,乃至100Gbps網絡的關鍵支持技術。”


??? 光纖模擬芯片市場需求將受益于消費者和企業用戶對“高帶寬應用”使用的不斷增長,這些應用包括:

--基于IP(InternetProtocol)的語音,視頻和數據應用

--高帶寬視頻服務,如高清電視(HDTV)和視頻點播(VOD)

--企業存儲網絡

--高成長的3G和4G無線標準的更高帶寬回程


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