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60年代:中國半導體產業發展歷史大事記

2009-09-22
作者:AET

?? 1960年,中科院在北京建立半導體研究所,同年在河北建立工業性專業化研究所――第十三所(河北半導體研究所)。

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?? 1962年,天津拉制出砷化鎵單晶(GaAs),為研究制備其他化合物半導體打下了基礎。

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?? 1962年,我國研究制成硅外延工藝,并開始研究采用照相制版,光刻工藝。

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?? 1963年,河北省半導體研究所制成硅平面型晶體管。

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?? 1964年,河北省半導體研究所研制出硅外延平面型晶體管。

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?? 1965年12月,河北半導體研究所召開鑒定會,鑒定了第一批半導體管,并在國內首先鑒定了DTL型(二極管――晶體管邏輯)數字邏輯電路。

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?? 1966年底,在工廠范圍內上海元件五廠鑒定了TTL電路產品。這些小規模雙極型數字集成電路主要以與非門為主,還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。標志著中國已經制成了自己的小規模集成電路。

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?? 1968年,組建國營東光電工廠(878廠)、上海無線電十九廠,至1970年建成投產,形成中國IC產業中的“兩霸”。

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? ?1968年,上海無線電十四廠首家制成PMOS(P型金屬-氧化物半導體)電路(MOSIC)。拉開了我國發展MOS電路的序幕,并在七十年代初,永川半導體研究所(現電子第24所)、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路。之后,又研制成CMOS電路。

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