１９５６年中國提出“向科學進軍”，國家制訂了發展各門尖端科學的“十二年科學技術發展遠景規劃”，明確了目標。根據國外發展電子器件的進程，提出了中國也要研究發展半導體科學，把半導體技術列為國家四大緊急措施之一。從半導體材料開始，自力更生研究半導體器件。為了落實發展半導體規劃，中國科學院應用物理所首先舉行了半導體器件短期訓練班。請回國的半導體專家內昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導體理論、晶體管制技術和半導體線路。參加短訓班的約１００多人。 當時國家決定由五所大學-北京大學、復旦大學、吉林大學、廈門大學和南京大學聯合在北京大學半導體物理專來，共同培養第一批半導體人才。五校中最出名的教授有北京大學的黃昆、復旦大學的謝希德和吉林大學的高鼎三。

   １９５７年就有一批畢業生，其中有現在成為中國科學院院士的王陽元（北京大學）、工程院院士的許居衍（華晶集團公司）和電子工業部總工程師俞忠鈺等人。之后，清華大學等一批工科大學也先后設置了半導體專業。 中國半導體材料從鍺（Ｇｅ）開始。通過提煉煤灰制備了鍺材料。１９５７年北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應用物理研究所和二機部十局第十一研究所開發鍺晶體管。前者由王守武任半導體實驗室主任，后者由武爾楨負責。１９５７可國依靠自己的技術開發，相繼研制出鍺點接觸二極管和三極管（即晶體管）。　　

    為了加強半導體的研究，中國科學院于１９６０年在北京建立了半導體研究所，同年在河北省石家莊建立了工業性專業研究所-第十三研究所，即現在的河北半導體研究所。到六十年代初，中國半導體器件開始在工廠生產。此時，國內搞半導體器件的已有十幾個廠點。當時北方以北京電子管廠為代表，生產了ＩＩ－６低頻合金管和ＩＩ４０１高頻合金擴散管；南方以上海元件五廠為代表。 在鍺之后，很快也研究出其他半導體材料。１９５９年天津拉制了硅（Ｓｉ）單晶。　

   １９６２年又接制了砷化鎵（ＧａＡｓ）單晶，后來也研究開發了其他種化合物半導體。 硅器件開始搞的是合金管。１９６２年研究成外延工藝，并開始研究采用照相制版、光刻工藝，河北半導體研究所在１９６３年搞出了硅平面型晶體管，１９６４年搞出了硅外延平面型晶體管。在平面管之前不久，也搞過錯和硅的臺面擴散管，但一旦平面管研制出來后，絕大部分器件采用平面結構，因為它更適合于批量生產。 當時接制的單晶棒的直徑很小，也不規則。一般將硅片切成方片的形狀，如７＊７、　１０＊１０、１５＊１５ｍｍ２。后來單晶直徑拉大些后，就開始采用不規則的圓片，但直徑一般在３５－４０ｍｍ之間。 在半導體器件批量生產之后，六十年代主要用來生產晶體管收音機，電子管收音機在體積上大為縮小，重量大為減輕。一般老百姓把晶體管收音機俗稱為“半導體”。它在六十年代成為普通居民所要購買的“四大件”之一。（其他三大件為縫紉機、自行車和手表）另一方面，新品開發主要研究方向是硅高頻大功率管，目的是要把部隊所用的采用電子管的“八一”電臺換裝為采用晶體管的“小八一”電臺，它曾是河北半導體所和北京電子管廠當年的主攻任務。 除了收訊放大管之外，之后也開發了開關管。中國科學院在半導體所之外建立了一所實驗工廠，取名１０９廠。（后改建為微電子中心）它所生產的開關管，供中國科學院計算研究所研制成第二代計算機。隨后在北京有線電廠等工廠批量生產了ＤＪＳ－１２１型鍺晶體管計算機，速度達到1萬次以上。后來還研制出速度更快的１０８機，以及速度達２８萬次、容量更大的ＤＪＳ－３２０型中型計算機，該機采用硅開關管。

    總之，向科學進軍的號如下，中國的知識分子、技術人員在外界封鎖的環境下，在海外回國的一批半導體學者帶領下，憑藉知識和實驗室發展到實驗性工廠和生產性工廠，開始建立起自己的半導體行業。這期間蘇聯曾派過半導體專家來指導，但很快因中蘇關系惡化而撤走了。這一發展分立器件的階段歷時十年，與國外差距為十年。