摘  要： 研究在發(fā)電機勵磁系統(tǒng)中設(shè)計實時數(shù)據(jù)記錄及參數(shù)顯示模塊，將總線傳遞的數(shù)據(jù)進行處理，并實時存儲的一種設(shè)計方案。系統(tǒng)采用鐵電存儲器、磁電阻隨機存儲器擴展了存儲容量，使故障錄波得以實現(xiàn)；應(yīng)用RTC和PIT，完成了毫秒級的計時，完善了錄波功能。
關(guān)鍵詞： FRAM；MRAM；故障錄波；SPI模塊；勵磁系統(tǒng)

　隨著計算機技術(shù)、自動化技術(shù)不斷發(fā)展和CAN總線等現(xiàn)場總線技術(shù)的日益完善，勵磁控制系統(tǒng)逐步向分布式現(xiàn)場總線方向發(fā)展。本設(shè)計所研究的勵磁系統(tǒng)實時數(shù)據(jù)記錄及參數(shù)顯示模塊，既是發(fā)電機勵磁控制部分的重要部分，也是勵磁控制系統(tǒng)體現(xiàn)控制分散、信息集中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，用以實現(xiàn)完成現(xiàn)場數(shù)據(jù)顯示、便捷的參數(shù)修改及故障錄波。本系統(tǒng)采用鐵電存儲器和磁電阻隨機存儲器[1]，可大容量支持掉電保存的存儲器，存儲故障時的開關(guān)量和模擬量，用于故障顯示和分析。
1 鐵電存儲器
1.1 存儲器基本工作原理
　當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場方向在晶體里移動。并通過能量壁壘，引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存儲器。移去電場后，中心原子保持不動，存儲器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲器不需要定時更新，掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存，速度快而且不容易寫壞。
1.2 鐵電存儲器的應(yīng)用
　本系統(tǒng)采用的是Ramtron公司的FM25L256，用來存儲時間標簽和對應(yīng)的開關(guān)量。
　FRAM可以像RAM一樣以總線速度完成讀寫操作，由于不是用電荷來存儲數(shù)據(jù)而是工作在極化狀態(tài)，所以在寫入數(shù)據(jù)后無需等待，沒有寫操作延時，同時還可以像傳統(tǒng)非易失性存儲器一樣提供非易失性的存儲功能。可以保存數(shù)據(jù)達10年以上，使用起來更加簡捷，提高了系統(tǒng)的可靠性。與高速RAM相同，支持幾乎無限次的讀寫循環(huán)操作。這些優(yōu)點使得將RAM的功能和ROM的技術(shù)結(jié)合在一個芯片中[2]。FM25L256的功能框圖如圖1所示，引腳功能表如表1所示。
1.3 SPI模塊的工作原理
　FM25L256通過SPI總線與單片機相連。圖2給出了SPI總線接線圖。主機(單片機)中的8位數(shù)據(jù)寄存器和從機(FM25L256)中的8位數(shù)據(jù)寄存器通過MOSI和MISO組成了一個16位分散式移位寄存器。在數(shù)據(jù)傳輸

1.4 SPI軟件程序設(shè)計
　在本系統(tǒng)中，SPI工作在主機、模式3下。以下程序完成的內(nèi)容主要包括SPI初始化。
void initial_SPI1(void)
      {
      SPI1CR1  =0x5E；       
      SPI1CR2  =0x10；        
　    SPI1BR   =0x22；       
　    }
　讀操作主要是訪問存儲在FM25L256中的數(shù)據(jù)，寫操作是把采集到的數(shù)據(jù)存儲到FM25L256中的指定位置。SPI的讀寫操作具體過程如下所述：
　(1)讀操作
　首先判斷是否進入讀操作函數(shù)。進入后，讀狀態(tài)寄存器SPI0SR，判斷數(shù)據(jù)寄存器是否為空，空時發(fā)送讀數(shù)據(jù)命令。發(fā)送完畢后讀狀態(tài)寄存器SPI0SR，判斷數(shù)據(jù)寄存器是否為空，空時發(fā)送高位地址，直到發(fā)送完畢再讀狀態(tài)寄存器SPI0SR。判斷數(shù)據(jù)寄存器是否為空，空時發(fā)送低位地址，直到發(fā)送完畢再讀狀態(tài)寄存器SPI0SR。判斷數(shù)據(jù)寄存器是否為空，此時若為空，讀數(shù)據(jù)寄存器，此次讀操作完成。
　(2)寫操作
　首先判斷是否進入寫操作函數(shù)。進入后，讀狀態(tài)寄存器SPI0SR，判斷數(shù)據(jù)寄存器是否為空，空時發(fā)送寫使能命令。經(jīng)過延遲后讀狀態(tài)寄存器SPI0SR，判斷數(shù)據(jù)寄存器是否為空，空時發(fā)送高位地址，直到發(fā)送完畢再讀狀態(tài)寄存器SPI0SR。判斷數(shù)據(jù)寄存器是否為空，空時發(fā)送低位地址，直到發(fā)送完畢再讀狀態(tài)寄存器SPI0SR。判斷數(shù)據(jù)寄存器是否為空，此時若為空，發(fā)送數(shù)據(jù)，此次寫操作完成。
2 磁電阻隨機存儲器
2.1 磁電阻隨機存儲器原理介紹
　MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。MRAM中每個存儲元件采用磁隧道結(jié)(MTJ)器件來進行數(shù)據(jù)存儲。當向MTJ施加偏壓時，被磁層極化的電子會通過一個稱為遂穿(Tunneling)的過程，穿透絕緣隔離層。當自由層的磁矩與固定層平行時，MTJ器件具有低電阻；而當自由層的磁矩方向與固定層反向平行(Anti-Parallel)時，則具有高電阻。隨著器件磁性狀態(tài)的改變，電阻也會變化，其數(shù)據(jù)作為一種磁性狀態(tài)(而不是電荷)存儲，并且通過測量電阻來感應(yīng)，不會干擾磁性狀態(tài)[3]。
2.2 磁電阻隨機存儲器的應(yīng)用
設(shè)計采用Freescale Semiconductor提供的磁電阻隨機存儲器MR2A16A，以存儲勵磁系統(tǒng)的各種電參量。引腳功能如表2所示。
2.3 外部擴展總線
　MCU與外部擴展總線有關(guān)的引腳如表3所示。本設(shè)計采用獨立的16位數(shù)據(jù)總線DATA[15，0]和18位地址總線ADDR[18，1]，外部擴展的內(nèi)存映射地址為0x20_0000到0x27CFFF，共512 KB。MCU與MR2A16A的連接方式如圖4所示。

　MCU通過以下步驟完成一次讀的操作：驅(qū)動/CS1 、驅(qū)動ADDR、/UDS&/LDS、驅(qū)動/RE、等待、從DATA線上讀取數(shù)據(jù)、恢復(fù)/RE、恢復(fù)/CS1及/UDS&/LDS。
編寫程序時只需將變量定義到外部地址，然后像對待普通變量一樣對外部變量進行操作就可以完成在外部存儲器上的讀寫。
3 時間標簽
　沒有時間記錄的數(shù)據(jù)是不完整的。對于本系統(tǒng)來說，準確、快速地存儲CAN總線上傳輸來的數(shù)據(jù)非常重要。本系統(tǒng)采用DS3234和MCU內(nèi)部的PIT一起記錄時間，同時可記錄數(shù)據(jù)傳輸來的時間，并精確到毫秒級[4]。
　本模塊體現(xiàn)了勵磁控制系統(tǒng)向控制分散、信息集中發(fā)展的趨勢，實現(xiàn)了系統(tǒng)所需的功能，即MCU分析所接收的現(xiàn)場數(shù)據(jù)，判斷故障。當故障發(fā)生時將數(shù)據(jù)存儲于鐵電存儲器或磁電阻隨機存儲器中，并加入毫秒級的時間標簽。用戶可以隨時查看任意次故障的電壓等電參量的波形。
　本文所討論的設(shè)計方案已經(jīng)通過了實驗室驗證，方案真實可行。所研究的對象不但適用于勵磁系統(tǒng)，而且可以應(yīng)用在其他工業(yè)控制領(lǐng)域，如各種儀器儀表、各種監(jiān)控系統(tǒng)等。只要對設(shè)計內(nèi)容稍加修改，或者通過對各個模塊簡單的組合就可以適用于多種系統(tǒng)中，令系統(tǒng)具有很強的實用性和多用性。
參考文獻
[1] 周志剛，王耘波，王華.鐵電存儲器研究進展[J].信息記錄材料，2002，3(1).
[2] 孫樹印.鐵電存儲器原理及應(yīng)用比較[J].單片機與嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用，2004(9)：15-18.
[3] 孟臣，李敏.高性能鐵電存儲器FM24C256及其在單片機中的應(yīng)用[J].電子技術(shù)，2003(1).
[4] 賈文峰.人機界面設(shè)計研究[J].洛陽大學(xué)學(xué)報，1999，14(4)：55-56.