我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展，已經(jīng)成為目前主流的選擇，而且現(xiàn)在性能最高也達到了DDR3-2133，明年DDR4內(nèi)存將會出現(xiàn)，預(yù)計數(shù)據(jù)傳輸率將會從1600起跳，可以達到4266的水平，是DDR3的兩倍。在很多人看來，內(nèi)存已經(jīng)很少給電腦性能帶來太大幫助，DDR4內(nèi)存是否性能過剩，成為末路黃花?目前還不好說，不管怎么樣，技術(shù)總是要向前發(fā)展的。
今天我們就看到國外媒體有討論DDR4內(nèi)存的發(fā)展。有興趣的朋友可以通過下面的文檔進行了解。
現(xiàn)在Intel平臺內(nèi)存規(guī)格
DDR內(nèi)存的發(fā)展趨勢
此前JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會就正式宣布未來DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵技術(shù)，預(yù)計將會在2012年中，DDR4內(nèi)存將會具備更高的性能，并且功耗方面更低。
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