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IR推出采用 TO-220 fullpak 封裝、堅固可靠的車用功率MOSFET

2012-06-20

 

全球功率半導體和管理方案領導廠商– 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列,適合包括無刷直流電機、水泵和冷卻系統在內的各類汽車應用。

在N和P通道配置中,該新型55V平面器件可作為標準和邏輯電平柵極驅動MOSFET來使用,提供的最大導通電阻(Rds(on))低達8mΩ。TO-220 fullpak封裝無需額外的絕緣硬件,所以能夠簡化設計和提高整體系統可靠性。

 

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“新MOSFET系列基于IR已被驗證的平面技術,采用TO-220 fullpak封裝,在線性模式和汽車應用中都表現良好,這其中需要堅固耐用且可靠的MOSFET來驅動高電感負載。”

 

所有IR車用MOSFET產品都遵循IR要求零缺陷的汽車質量理念,并經過了動態和靜態器件平均測試及100%自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101標準要求器件在經過1,000次溫度循環測試后,導通電阻變化幅度不能超過20%。然而,經過延長測試后,IR的新AU物料單在5,000次溫度循環時的最大導通電阻變化低于10%,體現了該物料單的高強度和耐用性。

 

新器件符合AEC-Q101標準,所采用的材料環保、不含鉛,也符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)。

 

產品規格

 

標準柵極驅動

器件編號

封裝

V(BR)DSS (V)

10VGS時的最大導通電阻(mΩ)

TC25°C 時的ID最大值(A)

10VGS時的QG典型值(nC)

AUIRFI3205

TO-220 FullPak

55

8.0

56

113

AUIRFIZ44N

TO-220 FullPak

55

24

28

43

AUIRFIZ34N

TO-220 FullPak

55

40

19

23

AUIRFI4905

TO-220 FullPak

-55

20

-74

120

 

 

 

邏輯電平柵極驅動

器件編號

封裝

V(BR)DSS (V)

4.5VGS時的最大導通電阻(mΩ)

TC25°C時的ID最大值(A)

4.5VGS時的QG典型值(nC)

AUIRLI2505

TO-220 FullPak

55

8.0

58

130

 

新器件正接受批量訂單。相關數據和認證標準,請瀏覽IR的網站www.irf.com,IR還根據客戶需求提供Spice模型。

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