據(jù)日經(jīng)新聞網(wǎng)報道，尼康將與美國英特爾(微博)聯(lián)手開發(fā)新一代半導(dǎo)體制造核心的曝光設(shè)備。
據(jù)悉，新設(shè)備將通過在更大尺寸的半導(dǎo)體晶圓上繪制電路，將生產(chǎn)成本降低一半，目標是2018年投入實際生產(chǎn)。英特爾將承擔數(shù)百億日元的開發(fā)費用。尼康是該設(shè)備領(lǐng)域的全球第2大廠商。此次將通過其最大客戶英特爾的資金支持加速開發(fā)進程。
半導(dǎo)體曝光設(shè)備領(lǐng)域占全球8成份額的荷蘭阿斯麥(ASML)也獲得了英特爾的出資等援助，剛剛達成了最高可達41億美元的資本合作。半導(dǎo)體廠商和設(shè)備廠商間的合作日趨密切。
此次尼康和英特爾要開發(fā)的半導(dǎo)體晶圓曝光設(shè)備，將可支持的晶圓直徑由目前的300毫米加大到了450毫米。1枚450毫米晶圓可生產(chǎn)的半導(dǎo)體芯片數(shù)量會增加1倍，因此生產(chǎn)成本可以降低一半。尼康希望通過與英特爾聯(lián)手，比阿斯麥更快推出新一代曝光設(shè)備。
英特爾則希望通過與兩大制造設(shè)備廠商加強合作來提高尖端技術(shù)的開發(fā)能力，從而在半導(dǎo)體領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位。今后，全球第2大半導(dǎo)體廠商韓國三星(微博)電子和日本半導(dǎo)體廠商也很有可能加強與半導(dǎo)體設(shè)備廠商間的合作。(蕭然)
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