1 引言
隨著電子設(shè)備功能的增加，輸入∕輸出連接器也隨之增多，這為靜電放電" title="靜電放電" target="_blank">靜電放電（ESD）提供了進(jìn)入電路的路徑，靜電放電保護(hù)問題變得不容忽視。因此，有必要采用靜電放電保護(hù)元件，在靜電放電進(jìn)入電路板之前有效抑制靜電放電事件的發(fā)生。目前，用于抑制靜電放電的保護(hù)元件，主要是片式氧化鋅壓敏電阻器，具有抑制過電壓、吸收浪涌能量、抑制浪涌噪聲、穩(wěn)定高頻線路等優(yōu)勢。通過嚴(yán)格的IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的靜電放電試驗(yàn)時的4 級水平，即接觸放電8kV 和空氣放電15kV 的要求，可以達(dá)到優(yōu)良的靜電保護(hù)效果。

2 靜電的產(chǎn)生和放電
2.1 靜電的產(chǎn)生
物體的靜電帶電又稱靜電起電。它是由于處于不同帶電序列位置的物質(zhì)之間接觸分離（摩擦）、使物體上正負(fù)電荷失去平衡而發(fā)生的帶電現(xiàn)象。在大多數(shù)情況下，靜電起電與放電是同時發(fā)生的，而且靜電起電——放電是一個隨機(jī)的動態(tài)過程，在這過程中，不僅有靜電能量的傳導(dǎo)輸出，而且有電磁脈沖場的輻射。
（1）兩種介電常數(shù)不同的物質(zhì)摩擦?xí)r，正負(fù)極性的電荷分別積累在兩個物體上面，而形成正負(fù)電荷。當(dāng)兩個物體接觸時，其中的一個將從另一個吸取電子，因而兩者形成不同的電位。
（2）摩擦起電是一個機(jī)械過程，依靠相對表面移動傳送電量。傳送的電量取決于接觸的次數(shù)，表面粗糙度、濕度、接觸壓力、摩擦物質(zhì)的摩擦特性以及相對運(yùn)動速度。
（3）靜電只存在于物體表面，而非物體內(nèi)部，絕緣體中的電荷只保持在產(chǎn)生靜電的那些區(qū)域，而不會出現(xiàn)在整個表面。因此，絕緣體接地后不會失去這些電荷。與絕緣體相反，導(dǎo)體接地后便會失去自身電荷。
（4）如果將導(dǎo)體瞬間接地（例如，該物體被站立在地上的人接觸），那么遠(yuǎn)離帶電體表面的電荷就會釋放，導(dǎo)體將帶正電荷。

2.2 靜電放電
靜電放電（Electio Static Discharge， ESD）具有不同靜電電位的物體相互靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移。不同物質(zhì)的接觸、分離或相互摩擦，即可產(chǎn)生靜電。兩個帶上電荷的物體也就成了靜電源。靜電源跟其他物體接觸時，依據(jù)電荷中和的原則，存在著電荷流動，傳送足夠的電量以抵消電壓。這個高速電量的傳送過程中，將產(chǎn)生潛在的破壞電壓、電流以及電磁場，嚴(yán)重時將其中物體擊毀，這就是靜電放電。表1 列出日常活動產(chǎn)生的靜電電壓，表2 列出人體（C=200pF）日常活動中所產(chǎn)生的靜電量。

2.3 靜電的特點(diǎn)
（1）高電位，最高可達(dá)數(shù)104V 以至數(shù)105V。

（2）低電量，毫微庫侖（10-9C）級別。
（3）作用時間短，多為μs（10-6s）級。

3 靜電的危害
3.1 靜電敏感度
靜電敏感度（Electrostatic Discharge Sensitive, ESDS）是一種描述產(chǎn)品受ESD 損害的敏感程度。對靜電放電敏感的元器件稱為ESD 敏感器件。裝配有ESDS 的電路板也對ESD 敏感，稱為ESD 敏感組件。操作ESD 敏感器件和ESD 敏感組件的時候，必須注意ESD 保護(hù)。

（1）通常無源器件對ESD 不夠敏感，如：電阻器、電感器、電容器等。
（2）有源器件對ESD 較為敏感，稱為靜電敏感器件（StaticSensitivity Device, SSD），是一種易受ESD 損壞的靜電敏感元器件，如IC、晶體管、LED 等。

3.2 ESD 對電子產(chǎn)品的危害
3.2.1 電子產(chǎn)品危害的分類
（1）災(zāi)難性損壞（Catastrophic Failure）這種破壞可能使設(shè)備不能正常工作，或使某些節(jié)點(diǎn)擊穿等，一般能很容易檢測出來。ESD 損壞電子產(chǎn)品最小電壓力為20V。災(zāi)難性破壞發(fā)生幾機(jī)率占ESD 損壞率的10%。
（2）潛在性損傷（Latent Defect）這種破壞一般表現(xiàn)為靜電能量較小，不足以使設(shè)備立即失效，僅僅表現(xiàn)為工作不穩(wěn)定，或者干脆就沒有外在的特異表現(xiàn)，但是這種破壞卻最危險，輕則縮短設(shè)備的使用壽命，重則對以后的系統(tǒng)甚至人身產(chǎn)生危害；同時，因?yàn)閱栴}表現(xiàn)不明顯，所以給檢測帶來困難；更糟糕的是，維修人員一般把這種問題歸咎為材料不良或者設(shè)計缺陷等其他原因，從而對問題的解決抱有僥幸心理，直到災(zāi)難發(fā)生。潛在性損傷發(fā)生機(jī)率占ESD 損壞率的90%。

3.2.2 靜電使電子產(chǎn)品損壞的特點(diǎn)
（1）隱蔽性
人體帶電是電子產(chǎn)品靜電損傷的主因，但因?yàn)槿梭w不能直接感知靜電，除非發(fā)生靜電放電。人體也不一定能有電擊的感覺，這是因?yàn)槿梭w感知的靜電放電電壓為2kV ～ 3kV，小于3kV 的人體靜電，對人而言幾乎無法感知。所以靜電具有隱蔽性。
（2）潛在性
有些電子元器件受到靜電損傷后的性能沒有明顯的下降，并不馬上失效，但多次積累放電會給器件造成內(nèi)傷而形成隱患。因此，靜電對器件的損傷具有潛在性。
（3）隨機(jī)性

只要電壓超過或接近靜電感應(yīng)電壓閾值，就可能對電子元器件造成損壞；靜電的產(chǎn)生和放電都是瞬間發(fā)生的，很難預(yù)測和防護(hù)；在生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)均可能發(fā)生。
（4）復(fù)雜性
電子產(chǎn)品有精、細(xì)、小的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，而失效分析相當(dāng)復(fù)雜。如有些靜電損傷現(xiàn)象難以與其它原因造成的損傷加以區(qū)別，要求較高的技術(shù)并往往需要使用掃描電鏡等高精密儀器。

4 ESD 損壞模型
靜電放電主要損壞模式分為3 類：人體模型（HBM），機(jī)器模型（MM）和帶電器件模型（CDM）。

4.1 人體模型（Human Body Model, HBM）
人員未接地帶電接觸產(chǎn)品，造成產(chǎn)品損壞。人體在地上走動摩擦或其它因素在人體上已積累了靜電，
當(dāng)此人去碰撞到器件（IC）時，人體上的靜電便會經(jīng)由器件（IC）的插腳（pin）進(jìn)入器件內(nèi)，若器件有一端接地而形成放電路徑時，便會經(jīng)接地插腳放電到地，如圖1 所示。

此放電過程會在短短數(shù)百mμs（ns）的時間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)A的瞬間放電電流，進(jìn)而將器件的電路燒毀。

圖2 示出HBM 等效電路圖， 其中人體的等效電容為100pF，人體的等效放電電阻為1.5kΩ。圖3 示出HBM 靜電
電壓相對產(chǎn)生瞬間放電電流與時間的關(guān)系。

對于一般元件可耐受的HBM 2kV 來說，在2ns ～ 10ns的時間內(nèi)，瞬間放電電流峰值可達(dá)1.33A。
表3 列出人體模型下的敏感度分級。

4.2 機(jī)器模型（Machine Model, MM）
機(jī)器帶電接觸產(chǎn)品，放置在未接地的工裝、儀器、設(shè)備上時造成產(chǎn)品損壞。敏感器件在組裝過程中，會涉及許多金屬夾具、部件，當(dāng)帶上靜電并靠近器件時，會發(fā)生金屬夾具、部件與器件之間的插腳（pin）快速放電。機(jī)器模型表現(xiàn)出來的特征為低壓大電流，會直接燒壞組件本身，如圖4 所示。

因?yàn)闄C(jī)器是金屬，其等效電阻為0Ω，機(jī)器設(shè)備的電容遠(yuǎn)大于人體的電容，其等效電容為200pF。由于機(jī)器放電模式的等效電阻為0，故其放電過程更短，在幾ns~ 幾10ns 之間會有數(shù)A 的瞬間放電電流產(chǎn)生。

圖5 示出MM 等效電路圖。圖6 示出MM 靜電電壓相對產(chǎn)生的瞬間放電電流和時間的關(guān)系。表4 列出機(jī)器模型下的敏感度分級。

4.3 帶電器件模型（Charged Dovice Model, CDM）
物體接觸帶靜電的產(chǎn)品，造成產(chǎn)品損壞。
器件（IC）因摩擦或其它因素而在內(nèi)部積累了靜電，在靜電積累的過程中器件（IC）并未被損傷。此帶有靜電的器件（IC）在處理過程中，當(dāng)其任一插腳（pin）去碰撞到接地導(dǎo)體時，其內(nèi)部的靜電便會經(jīng)由插腳（pin）流出，造成放電現(xiàn)象，如圖7 所示。

此種模型的放電時間更短，僅約幾個mμs，且因?yàn)槠骷?nèi)部積累的靜電會因?qū)Φ氐牡刃щ娙葜刀儯刃щ娙葜涤趾推骷[放的角度與位置以及器件所用的包裝型式有關(guān)，所以放電現(xiàn)象更難真實(shí)模擬。圖8 示出CDM 等效電路圖。圖9 示出CDM 靜電電壓相對產(chǎn)生的瞬間放電電流與時間的關(guān)系。表5 列出帶電器件模型下的敏感度分級。

4.4 3 種放電模型比較
表6 列出了3 種放電模型參數(shù)比較。

3 種靜電模型的電路形式：HBM 為脈沖衰減電路，MM和CDM 為周期震蕩衰減電路。3 種模型的典型峰值電流：
HBM 為1.3A（2000V），MM 為3.8A（200V），CDM 為15A（1000V）。
3 種模型中，最常見也是最被重視的模型是人體模型（HBM），這種模型是模擬人體帶電（正電或負(fù)電）并接觸
電子設(shè)備時，人身上的電荷向設(shè)備轉(zhuǎn)移的情況。

4.5 人體對靜電的感覺
（1）當(dāng)人們穿著化纖織物時，人體運(yùn)動的充電電流約10-7A~10-6A，總的充電電荷約（0.1~5）×10-6C，人體對地的電容約為150pF~250pF，若以電荷3×10-6C 計，則充電電壓可達(dá)5kV~25kV。
（2）人體的靜電放電模型可用電阻和電容的串聯(lián)來模擬，設(shè)人體電阻R=500Ω，人體電容C=300pF，人體帶靜電電壓U=10kV，則靜電所含能量為：W=1 ∕ 2 CU2=15mJ。
（3）盡管靜電電壓高達(dá)10kV，能量級15mJ，對人體沒傷害。但是當(dāng)人手去觸摸設(shè)備的金屬部分時會產(chǎn)生火花放電，瞬間的脈沖峰值很高，很可能對電子電路產(chǎn)生干擾和破壞，放電電流峰值為：Ip ≈ U ∕ R=20A；放電時間很短，可近似為：Td ≈ RC=150ns，這對于MOS 電路來說，則將受到致命的沖擊。表7 列出人體帶電的電擊程度的關(guān)系。表8 列出半導(dǎo)體器件的ESD 失效電壓。

5 靜電放電控制方法
5.1 濕度
同樣條件下，濕度越高，產(chǎn)生的靜電將會越低，由于濕敏元件需要，所以通常濕度控制在30%-70% 之間。所以，有效的控制濕度可以抑制靜電大量產(chǎn)生，以降低靜電放電破壞的風(fēng)險。表9 列出靜電放電與濕度的關(guān)系。

5.2 接地
(1) 人
a) 將人體通過手腕帶及插孔接地。
b) 通過ESD 鞋與ESD 地面導(dǎo)通。
c) 通過ESD 椅子進(jìn)行接地。
(2) 設(shè)備和儀器
a) 機(jī)器及設(shè)備直接進(jìn)行硬接地。
b) ESD 部件進(jìn)行軟接地。
(3) 工作臺表面
使用ESD 臺墊和接地線進(jìn)行軟接地。
(4) 金屬物體
直接進(jìn)行硬接地。
a) 硬接地
指使用接地線對導(dǎo)體材料進(jìn)行接地，對地電阻應(yīng)小于1Ω。
b) 軟接地
指用較高阻抗物體進(jìn)行的接地，對地電阻應(yīng)小于1×109Ω。

5.3 屏蔽
(1) 生產(chǎn)過程
a) 人：穿防靜電服、手套、帽子，直接對人體進(jìn)行屏蔽保護(hù)接地。
b) 設(shè)備：機(jī)器及設(shè)備金屬外殼屏蔽內(nèi)部帶電物。
c) 絕緣材料：絕緣材料和工具等物體使用ESD 薄膜或法拉第罩，隔絕內(nèi)部或外部的靜電電場。

(2) 產(chǎn)品包裝
防靜電包裝材料的種類：
a) 電磁屏蔽材料
該材料作為包裝時形成會產(chǎn)生法拉第的靜電屏蔽效應(yīng)，可防止外部靜電場穿透屏蔽容器和包裝袋，表面電阻為小于1×103Ω 的材料。
b) 抗靜電材料
能抑制摩擦生電的材料，摩擦電壓小于200V 的材料。
c) 靜電消散性材料
① 具備一定的導(dǎo)電率，以便靜電荷被耗散掉，但導(dǎo)電率不可大到產(chǎn)生危害的程度。
② 表面電阻1×104 Ω~1×1011Ω 的材料。

5.4 中和（消除）
離子風(fēng)機(jī)可以消除絕緣物體上產(chǎn)生的大量靜電荷。其作用是產(chǎn)生大量正負(fù)離子，中和目標(biāo)物體上的電荷。

6 靜電放電波形
國際電工委員會(IEC) 在標(biāo)準(zhǔn)IEC 61000-4-2 中規(guī)定了靜電測試等級、試驗(yàn)發(fā)生器和靜電放電波形。中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 17626.2-1998 電磁兼容、試驗(yàn)和測量技術(shù)、靜電放電抗擾度試驗(yàn)，等同采用國際標(biāo)準(zhǔn)
IEC 61000-4-2。

6.1 試驗(yàn)等級
表10 列出IEC 61000-4-2 規(guī)定的靜電測試等級。

“*”是未定的等級，該等級必須在專用設(shè)備的規(guī)范中加以規(guī)定，如果規(guī)定了高于表格中的電壓，則可能需要專門的試驗(yàn)設(shè)備。

⑴ 接觸放電方法
試驗(yàn)發(fā)生器的電極保持與受試設(shè)備的接觸，并由發(fā)生器內(nèi)的放電開關(guān)激勵放電的一種試驗(yàn)方法。

⑵ 空氣放電方法
將試驗(yàn)發(fā)生器的充電電極靠近受試設(shè)備，并由火花對受試設(shè)備激勵放電的一種試驗(yàn)方法。表10 給出了靜電放電試驗(yàn)時，試驗(yàn)等級的優(yōu)先選擇范圍。接觸放電是優(yōu)先選擇的試驗(yàn)方法，空氣放電則用在不能使用接觸放電的設(shè)備中。每種試驗(yàn)方法的電壓列于表10 中，由于試驗(yàn)方法的差別，每種方法所示的電壓是不同的。兩種試驗(yàn)方法的嚴(yán)酷程度并不表示是相等的。

表10 之所以規(guī)定不同的放電等級，是考慮在不同的靜電放電情況，比如在半導(dǎo)體或IC 的保護(hù)中，2kV 的放電標(biāo)準(zhǔn)是經(jīng)常被引用的。在實(shí)際的IC 設(shè)計中，其靜電放電保護(hù)的方法之一，就是IC 內(nèi)自己做了保護(hù)。一般是1kV 或者2kV 的靜電保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)，但是這樣會占用寶貴的IC 空間，所以就有了第二種靜電保護(hù)方法，即芯片外保護(hù)。芯片外保護(hù)的另一個重要原因，是實(shí)際的靜電等級遠(yuǎn)大于2kV，而且在一些汽車標(biāo)準(zhǔn)中，有時還可能達(dá)到25kV 的靜電放電等級。

6.2 靜電放電實(shí)驗(yàn)發(fā)生器
圖10 示出靜電放電發(fā)生器簡圖。

圖10 中符號的含義：Rc—充電電阻，Cs—儲能電容器，Rd—放電電阻。
圖10 中省略的分布電容Cd，是存在于發(fā)生器與受試設(shè)備、接地參考平面以及耦合板之間的分布電容。由于此電容分布在整個發(fā)生器上，因此，在該回路中不可能標(biāo)明。

6.3 靜電放電波形
圖11 示出靜電放電發(fā)生器輸出電流的典型波形。

表11 列出靜電放電波形參數(shù)，放電的電流波形必需滿足
圖11 的要求。

通過分析靜電波形可以發(fā)現(xiàn)：
（1）靜電一般發(fā)生的時間特別短（在0.7ns ~ 1ns 之間）；
（2）雖然靜電的總體能量不大，但是瞬間電壓的峰值特別大，有時可達(dá)1kV 甚至幾十kV。

7 靜電放電的保護(hù)
7.1 靜電放電的保護(hù)原則
靜電放電的保護(hù)應(yīng)從靜電的產(chǎn)生、靜電的積累、靜電的釋放、靜電釋放路徑的選擇、以及釋放靜電量的控制等全方位考慮。但是，因?yàn)殪o電破壞的復(fù)雜性，至今還沒有一個很好的方法去完全解決靜電問題。

在靜電放電保護(hù)的過程中，只要遵循一個原則：即靜電的積累必然有靜電的釋放，所以我們只要給靜電選好放電的路徑和放電的去處（即放電地），就能很好地釋放靜電。事實(shí)上，靜電放電保護(hù)最常用的方法，是在被保護(hù)設(shè)備的兩端并聯(lián)一個過電壓保護(hù)器件，以使靜電超過某個安全閾值時使保護(hù)器件擊穿，從而把過電流釋放到安全地。表12 列出ESD 保護(hù)方法比較。

7.2 片式壓敏電阻的性能特點(diǎn)
片式壓敏電阻器的保護(hù)機(jī)理為隧道效應(yīng)、熱耗散和電荷轉(zhuǎn)移。

（1）尺寸體積小
現(xiàn)在已經(jīng)有0402(1.0mm×0.5mm)、0201(0.6mm×0.3mm)的產(chǎn)品，日本已開發(fā)出0.4mm×0.2mm 的新產(chǎn)品，適合表面安裝。
（2）響應(yīng)速度快
極快的反應(yīng)時間，脈沖電流的響應(yīng)時間小于0.5ns。
（3）通流容量大
疊層技術(shù)的器件，數(shù)百萬氧化鋅p-n 結(jié)及晶粒串并聯(lián)，吸收及傳導(dǎo)能量，具有很強(qiáng)的通流能力。
（4）電容量的選擇范圍大。
（5）良好的限制電壓特性由于片式壓敏電阻采用多層結(jié)構(gòu)，限制電壓小、保護(hù)性能好。
（6）較好的溫度特性使用溫度范圍廣，汽車總線系統(tǒng)最高工作溫度150℃。
（7）易實(shí)現(xiàn)低壓化
較低的觸發(fā)動作電壓，其最小保護(hù)不動作電壓已經(jīng)達(dá)到3V 的量級。
（8）靜電放電ESD 吸收能力
達(dá)到甚至超過IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的靜電放電試驗(yàn)時的接觸放電和空氣放電4 級水平（即接觸放電8kV 和空氣放電15kV 的ESD 吸收能力）的要求。
（9）具有雙向?qū)üδ?br /> 因?yàn)樗查g的電壓可能是正電壓，也可能是負(fù)電壓。

7.3 IC 耐受ESD 過電壓保護(hù)
ESD 浪涌是半導(dǎo)體元件失效的主要原因，占總失效模式的60%。片式壓敏電阻能有效地保護(hù)電子元器件免受ESD 的損傷。
圖12 示出IC 耐受ESD 過電壓保護(hù)電路圖。

ESD 對IC 的影響因素分析如下。

7.3.1 IC 兩端的脈沖電壓
通過壓敏電阻將ESD 過電壓抑制到100V 以下，遠(yuǎn)低于2kV。

7.3.2 通過IC 的脈沖電流
（1）調(diào)整線路布線結(jié)構(gòu)，減小通過IC 的脈沖電流回路面積，增大回路阻抗。
（2）通過型號選擇，降低壓敏電阻瞬態(tài)內(nèi)阻。要使IC 不受ESD 脈沖電流影響，壓敏電阻瞬態(tài)內(nèi)阻盡可能達(dá)到：
a）當(dāng)線路中出現(xiàn)8kV ESD 時，Rv ＜ R/3；
b）當(dāng)線路中出現(xiàn)15kV ESD 時，為了保險起見，選壓敏
電阻時，其瞬態(tài)電阻Rv 應(yīng)小于R/5。
（3）與IC 串聯(lián)磁珠或電阻，增加其回路電阻。

7.4 高頻信號傳輸線路中ESD 保護(hù)
隨著線路數(shù)據(jù)傳輸速度的不斷提高，保護(hù)抑制器電容帶來的影響，成為靜電放電保護(hù)設(shè)計中不容忽視的問題。合理的參數(shù)選擇對保證信號的穩(wěn)定性和完整性十分重要。對于低頻電路，大的保護(hù)抑制器電容是有益的，因?yàn)樗梢詾V去高頻干擾而使低頻信號順利通過。而對于高頻電路則完全相反，大的保護(hù)抑制器電容會導(dǎo)致信號惡化，降低電路對信號的識別能力。在通用串行總線標(biāo)準(zhǔn)USB 2.0 所支持的最高傳輸率為480 Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸線中，加入電容量僅為10pF 的ESD 保護(hù)抑制器，就足以使其信號的上升和下降時間增加140%，從而限制了它們的線路應(yīng)用。

在高速信號線，如果是USB2.0 接口和IEEE1394 中，它們的電容量分量可使波形衰退，從而限制了它們的線路應(yīng)用。

因此，高頻信號傳輸線路中的ESD 保護(hù)器必須具有足夠小的電容量，以保證傳輸數(shù)據(jù)的連續(xù)和完整，這必然要求片式壓敏電阻向低電容化的方向發(fā)展。

目前，片式壓敏電阻的標(biāo)準(zhǔn)電容值為數(shù)十pF 到幾千pF不等，可適用于從普通的音頻、視頻信號到符合USB1.1 標(biāo)準(zhǔn)，即數(shù)據(jù)傳輸率最高為12Mbps 的電子線路。可以考慮在原料中添加Sb2O3 以降低材料表觀電容率和在片式壓敏電阻內(nèi)部設(shè)計制作串聯(lián)微間隙，來降低片式壓敏電阻的電容量。

電容量小于3pF 的多層片式壓敏電阻器、符合IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的靜電放電試驗(yàn)時的接觸放電和空氣放電4 級水平的要求，可以用在USB2.0 接口和IEEE1394 中。隨著設(shè)備頻率的增加，ESD 保護(hù)器元件還需要進(jìn)一步降低其電容量。

7.5 片式壓敏電阻器參數(shù)選取
（1）最大直流工作電壓Udc
壓敏電阻器的最大直流工作電壓Udc 必須大于信號線的直流工作電壓Un，即Udc ≥ Un。
（2）電容Cp
適合不同頻率信號，對于高頻傳輸信號，電容Cp 應(yīng)小些，反之亦些。
（3）瞬態(tài)電阻匹配
壓敏電阻瞬態(tài)電阻Rv 與被保護(hù)元器件及IC 線路等效內(nèi)阻R（R ≥ 2Ω）匹配關(guān)系：Rv ≤ 1/5R。對于內(nèi)阻較小的被保護(hù)元器件，在不影響信號傳輸速率的情況下，盡量采用大電容壓敏電阻。
（4）空間位置
因地制宜，選取合適尺寸的壓敏電阻。
（5）放置位置
接近過電壓及ESD 源，即離接口部位越近越好。
（6）接地設(shè)計
良好的接地，盡可能大的接地面積。
表13 列出了推薦電容選擇。

8 結(jié)束語
靜電放電保護(hù)，包括ESD 浪涌抑制靜電過電壓、吸收浪涌能量、抑制浪涌噪聲、高頻信號傳輸線路信號的穩(wěn)定性。片式氧化鋅壓敏電阻器具有快速反應(yīng)速度，與反應(yīng)后的低導(dǎo)通阻抗，唯有如此才能提供低箝制電壓來保護(hù)系統(tǒng)的正常運(yùn)行。通過嚴(yán)格的IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的靜電放電試驗(yàn)時的4 級水平要求，即接觸放電8kV 和空氣放電15kV 的ESD 吸收能力，可以達(dá)到優(yōu)良的靜電放電保護(hù)效果。