致力于提供功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)絕緣柵雙極晶體管(insulated bipolar gate transistors, IGBT)產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPT IGBT產(chǎn)品系列專(zhuān)為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計(jì)，尤其適用于太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)和開(kāi)關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。

美高森美新的功率器件通過(guò)提供業(yè)界最佳的損耗性能來(lái)改進(jìn)效率，與最接近競(jìng)爭(zhēng)廠商的IGBT產(chǎn)品相比，效率提高了大約8%。新的NPT IGBT器件還能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)150 kHz的極高開(kāi)關(guān)速率，在與美高森美的碳化硅(silicon carbide, SiC)續(xù)流二極管(free-wheeling diode)配對(duì)使用時(shí)，開(kāi)關(guān)速率可以獲得進(jìn)一步提高。針對(duì)最高150 KHz的較低速率應(yīng)用，這些領(lǐng)先的650V NPT IGBT通過(guò)替代成本更高的600V至650V MOSFET器件，可讓開(kāi)發(fā)人員降低總體系統(tǒng)成本。

下一代650V產(chǎn)品系列中的所有器件都基于美高森美先進(jìn)的Power MOS 8^™ 技術(shù)，并且采用了最先進(jìn)的晶圓薄化(wafer thinning)工藝。與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，顯著降低了總體開(kāi)關(guān)損耗，并且可讓器件在難以置信的快速開(kāi)關(guān)頻率下工作。利用公司在大功率、高可靠性市場(chǎng)的豐富傳統(tǒng)，美高森美期望擴(kuò)大IGBT市場(chǎng)份額，根據(jù)Yole Développement最新報(bào)告，這個(gè)市場(chǎng)正從現(xiàn)今的36億美元增長(zhǎng)到2018年的60億美元。

這些NPT IGBT器件易于并聯(lián)(Vcesat正溫度系數(shù))，可以提升大電流模塊的可靠性。它們還具有額定短路耐受時(shí)間(short circuit withstand time rated, SCWT)，可以在嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境中可靠運(yùn)作。

新的IGBT器件備有各種封裝，包括TO-247、T-MAX和模塊。要了解更多信息或獲取樣品，請(qǐng)聯(lián)絡(luò)當(dāng)?shù)胤咒N(xiāo)商或美高森美銷(xiāo)售代表，或發(fā)送電子郵件到sales.support@microsemi.com。要了解更多的生產(chǎn)信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)公司網(wǎng)站www.microsemi.com。

關(guān)于美高森美公司

美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 為通信、國(guó)防與安全、航天與工業(yè)提供綜合性半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案，產(chǎn)品包括高性能、耐輻射的高可靠性模擬和射頻器件，可編程邏輯器件(FPGA)可定制單芯片系統(tǒng)(SoC) 與專(zhuān)用集成電路(ASIC)；功率管理產(chǎn)品、時(shí)鐘與語(yǔ)音處理器件，RF解決方案；分立組件；安全技術(shù)和可擴(kuò)展反篡改產(chǎn)品；以太網(wǎng)供電(PoE)IC與電源中跨(Midspan)產(chǎn)品；以及定制設(shè)計(jì)能力與服務(wù)。美高森美總部設(shè)于美國(guó)加利福尼亞州Aliso Viejo，全球員工總數(shù)約3,000人。欲獲取更詳盡信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)網(wǎng)站：http://www.microsemi.com。