“我們希望通過這次展會共同推動國內SOI工藝技術的廣泛發展，更要推動國內集成電路行業的發展。”談及2013 IC china的期待，沈陽硅基科技有限公司總裁海鳳濤如是說。

2013年11月13-15日，第11屆中國國際半導體博覽會暨高峰論壇(簡稱2013 IC china)將于上海隆重開幕。沈陽硅基科技有限公司將展出其自主研發生產的8英寸薄膜SOI產品。

這個產品的特點是：采用TM-SOI技術，自主研發的8寸晶圓薄膜SOI硅片。

2004年，沈陽硅基在遼寧沈陽出口加工區起航。公司集科研開發、生產制造、經營銷售于一體，主營半導體材料。

海鳳濤說：“我們做為半導體材料的生產廠家，其使命是生產高品質的產品，為客戶做好服務，以實現企業不斷發展。”

沈陽硅基是國內唯一使用“氫離子注入”和“薄膜轉移”技術的SOI硅片供應商，年產20萬8英寸薄膜SOI、8英寸外延SOI硅片、6-8英寸磨拋SOI硅片，以及15萬片高端8英寸外延硅片。

沈陽硅基

國產化是沈陽硅基的使命。通過這些專利技術，實現中國半導體集成電路芯片高端硅材料全面國產化，提升我國半導體集成電路芯片材料整體競爭能力,為國內外集成電路制造商和芯片代工廠提供低成本、高品質的SOI材料解決方案，服務于全球半導體客戶。

自主研發一直被公司視為生命。主導項目是具有自主知識產權的TM-SOI專利技術——6-12英寸的SOI絕緣層硅（Silicon On Insulator）。該項目填補了國內大尺寸SOI產業化技術空白，可生產超薄膜、薄膜、厚膜以及外延SOI，能滿足不同客戶的各種需求。

“未來將產品中心推向8-12寸片，薄膜SOI的方向發展。”沈陽硅基表示：公司將致力于SOI工藝晶圓的加工制造，會時刻關注SOI工藝在新興領域的發展動向，跟隨設計的更新，以適應市場的需要。

沈陽硅基希望能夠通過2013 IC china，能夠關注SOI工藝的功率器件及RF芯片的發展動向。關注發展動向，跟隨設計行業，形成產業互動性整合。

沈陽硅基