NAND閃存芯片利用3D堆疊技術成功解決體積壓縮難題
來源：ZDNet
摘要： 堆疊式3D NAND芯片將在未來四年內成為閃存芯片市場上的主流方案。根據(jù)分析企業(yè)IHS的推測，這項新技術的出現(xiàn)將令當下閃存制造商們所大肆宣揚的芯片尺寸壓縮方案變得黯然失色，并在未來成為削減產(chǎn)品尺寸、擴大產(chǎn)品容量的首先機制...
Abstract：
Key words :
堆疊式3D NAND芯片將在未來四年內成為閃存芯片市場上的主流方案。根據(jù)分析企業(yè)IHS的推測，這項新技術的出現(xiàn)將令當下閃存制造商們所大肆宣揚的芯片尺寸壓縮方案變得黯然失色，并在未來成為削減產(chǎn)品尺寸、擴大產(chǎn)品容量的首先機制。
這家技術分析企業(yè)還就此制作了一份圖表，其中顯示3D NAND方案到2017年將占據(jù)超過三分之二的閃存市場份額——相比之下，目前其市場占有率僅為1%到2%。
全球3D NAND出貨量在整體NAND閃存出貨量當中所占比例(來源：HIS，2013年10月)
為什么會這樣?簡而言之：目前16到19納米工藝已經(jīng)是NAND閃存產(chǎn)品的極限，任何進一步壓縮尺寸的嘗試都會帶來極高的成本且導致存儲位不再穩(wěn)定可靠。有鑒于此，要想在同樣體積的閃存產(chǎn)品中獲得更大存儲空間，我們就必須往芯片里塞進更多閃存單元層。
三星公司于今年八月宣布，他們正在利用其V-NAND技術將3D堆疊方案變成現(xiàn)實。
IHS公司內存與存儲高級分析師Dee Robinson在一份錄音聲明中這樣解讀上述圖表：“目前大部分技術人員已經(jīng)達成共識，NAND閃存再有一到兩代產(chǎn)品就將逼近傳統(tǒng)單導體技術的理論極限。隨著光刻技術精度的進一步提升，產(chǎn)品的性能表現(xiàn)與可靠性將大幅退化。如此一來，NAND根本無法以足夠低廉的成本廣泛普及到各種應用領域。”
在芯片上進行存儲層堆疊則不僅能夠增加容量，更可能在未來將閃存產(chǎn)品的成本控制到較低水平。
HIS公司的分析人士也表示：“這很可能成為NAND進入新水平的最具成本效益的方式，因為大部分現(xiàn)有生產(chǎn)設備都能夠與新產(chǎn)品順利對接，這一方面能夠最大限度減少開支、另一方面則有效提高了投資回報率。”不過需要指出的是，“由于堆疊式技術所使用的多級結構，故障分析工作會變得難于進行。”
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