富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，成功開發(fā)出擁有1Mb內存(128K字符X 8位)的全新FRAM產品---MB85RC1MT，是所有富士通半導體I2C串行接口產品中最高內存容量的產品，且即日起即可為客戶提供樣品。全新MB85RC1MT可保證有一萬億次寫入/擦除(write/erase) 周期，適用于需要經常重復寫入數(shù)據(jù)之應用，例如工廠自動化、測試儀器及工業(yè)設備所需之實時數(shù)據(jù)登錄應用。現(xiàn)在富士通半導體同時擁有廣泛的I2C與SPI串行接口產品系列，為客戶提供最符合他們要求的非揮發(fā)性存儲器產品。
FRAM是一種兼具非揮發(fā)性與隨機存取功能的存儲器，能在沒有電源的情況下可儲存及高速寫入數(shù)據(jù)。值得注意的是，在眾多非揮發(fā)性內存技術中，F(xiàn)RAM能保證一萬億次以上的寫入/擦除周期。富士通半導體自1999年開始量產FRAM產品以來，已將上述產品特性廣泛應用在工廠自動化設備、測試儀器、金融終端機及醫(yī)療裝置等領域。
MB85RC1MT可在攝氏零下40度至85度的溫度范圍以1.8V至3.3V工作電壓運作，可支持3.4MHz的“高速”操作模式，并可在與傳統(tǒng)EEPROM相同的1MHz環(huán)境進行讀寫數(shù)據(jù)作業(yè)。MB85RC1MT保證有一萬億次寫入/擦除周期，大幅超越傳統(tǒng)EEPROM的寫入/擦除周期次數(shù)，并可支持I2C接口及其他接口產品的實時數(shù)據(jù)登錄等頻繁的重復寫入數(shù)據(jù)作業(yè)。
此外，對于一些需要使用I2C接口EEPROM應用場合，現(xiàn)在都可以由富士通半導體的新款FRAM產品取而代之，以實現(xiàn)高頻率數(shù)據(jù)輸入和高精度數(shù)據(jù)擷取（如圖一），更能夠降低數(shù)據(jù)寫入的時功耗（如圖二）。
圖一：數(shù)據(jù)寫入/擦除周期比較
圖二：EEPROM和富士通半導體FRAM產品之數(shù)據(jù)寫入作業(yè)功耗比較
MB85RC1MT的出現(xiàn)增加了富士通半導體的FRAM產品陣容：I2C 接口（支持4 Kb至1 Mb內存容量）和SPI接口（16 Kb至2 Mb內存容量）（如圖三）。這些FRAM產品采用業(yè)界標準的8針腳SOP封裝，因而可取代EEPROM或序列閃存，并適用于工廠自動化、測試儀器及工業(yè)設備等應用，更無須大幅修改電路版的設計。
圖三：FRAM產品陣容（序列內存）
富士通半導體將持續(xù)開發(fā)FRAM產品以滿足客戶對低功耗產品之需求，例如需求日益增加的能量采集應用，其中低工作電壓是關鍵要素。
樣品供貨時程
富士通半導體從本月起已開始為客戶提供MB85RC1MT樣本，請與業(yè)務代表洽談詳細樣品價格。
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