近年來隨著無線通信的快速發(fā)展，WLAN已經(jīng)廣泛應(yīng)用于手機(jī)、掌上電腦、家庭娛樂設(shè)備中。射頻功率放大器（PA）用于射頻電路的發(fā)射端，以高線性、高效率以及輸出大功率為目的，它消耗了電路大部分的功率，決定著整個通信系統(tǒng)的性能[1]。對于WLAN PA中的應(yīng)用而言，線性度是一個很關(guān)鍵的因素。802.11g標(biāo)準(zhǔn)采用正交頻分復(fù)用（OFDM）調(diào)制技術(shù)，OFDM信號所具有的大的峰均功率比，要求PA具有很高的線性度。
    與GaAs、BiCMOS、SiGe等工藝相比，硅CMOS工藝成本最低，集成度最高，采用CMOS工藝能實(shí)現(xiàn)射頻部分與基帶部分很好地集成為片上系統(tǒng)。同時隨著CMOS工藝技術(shù)的發(fā)展，晶體管的特征尺寸越來越小，特征頻率越來越高，晶體管能夠提供更高的增益和更低的噪聲[2]。
    帶隙基準(zhǔn)源受電源電壓變化的影響非常小，它具備高穩(wěn)定度、低噪聲、低溫漂等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于大規(guī)模集成電路和數(shù)模混合電路中[3]。對射頻功放而言，直流偏置的任何偏差都會嚴(yán)重地影響功放的線性度、溫漂及輸出功率，因此電壓或電流基準(zhǔn)必不可少。
1 功率放大器的電路設(shè)計
    一個典型的PA通常包括輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、放大電路、直流偏置和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)，如圖1所示。匹配網(wǎng)絡(luò)主要用于減小有害反射，從而增加輸出功率；直流偏置主要為放大電路提供靜態(tài)工作點(diǎn)并抑制溫度變化給晶體管帶來的影響[4]。

    功率放大器采用SMIC 0.18 μm RF CMOS工藝設(shè)計，電源電壓為3.3 V，工作頻率為2.45 GHz。放大器采用兩級共源共柵(cascode)結(jié)構(gòu)，兩級放大器均采用class AB偏置，在獲得較好線性度的同時也有較高的效率。設(shè)計采用電流鏡為兩級放大電路提供靜態(tài)偏置電流，該電流鏡由帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生。功率放大器的原理圖如圖2所示。
1.1 輸出級電路設(shè)計
    輸出級電路以及輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計能極大地影響PA的輸出功率、效率等指標(biāo)。基于CMOS工藝所設(shè)計的PA常遇到兩個問題：柵氧化層擊穿和熱載流子效應(yīng)。柵氧化層擊穿限制了晶體管漏極點(diǎn)的電壓，熱載流子效應(yīng)會增加晶體管的閾值電壓并能顯著降低器件的性能。采用cascode結(jié)構(gòu)能有效地降低晶體管的氧化層擊穿電壓和熱載流子效應(yīng)。與共源結(jié)構(gòu)相比，cascode結(jié)構(gòu)能承受更高的電源電壓和更大的輸出阻抗，同時有更大的功率增益并能提供更好的輸入/輸出間的隔離度[5]，能方便地設(shè)計匹配網(wǎng)絡(luò)。共柵管采用R-C自偏置網(wǎng)絡(luò)，它能有效地降低共柵管的柵極電壓對共源管漏極電壓的限制，使得共源管能獲得更大的信號擺幅[6]。在圖2中，M2、M3構(gòu)成了cascode結(jié)構(gòu)，R4、C10組成了共柵管自偏置網(wǎng)絡(luò)。

    由P=V2DD/2Ropt找到能使功放輸出預(yù)定功率的最佳負(fù)載阻抗Ropt，通過優(yōu)化晶體管的W/L、偏置電流大小以及Ropt來調(diào)整輸出功率，在調(diào)整和優(yōu)化的過程中也要兼顧線性度和效率的要求。
1.2 驅(qū)動級電路設(shè)計
    驅(qū)動級主要對輸入的射頻信號進(jìn)行放大并為輸出級提供足夠的功率來驅(qū)動輸出級工作。驅(qū)動級也采用cascode和自偏置結(jié)構(gòu)。設(shè)計時要充分考慮穩(wěn)定性問題，尤其是低頻處的穩(wěn)定性。在共源管的柵極串聯(lián)一個小電阻以提高功率放大器工作的穩(wěn)定性[7]，該電阻降低了匹配網(wǎng)路的Q值，增加了信號的帶寬，同時也降低了驅(qū)動級的增益，進(jìn)一步提高了功放的線性度。在圖2中，M0、M1構(gòu)成了cascode結(jié)構(gòu)，R3、C8組成了共柵管自偏置網(wǎng)絡(luò)。
1.3 偏置電路的設(shè)計
    帶隙基準(zhǔn)源的工作原理是在正溫度系數(shù)的電壓上疊加一個負(fù)溫度系數(shù)的電壓，使這兩個溫度系數(shù)相互抵消，從而使電路的輸出與溫度無關(guān)。工作在有源區(qū)的雙極型晶體管的基極-發(fā)射極電壓VBE隨溫度升高而下降，擁有負(fù)的溫度系數(shù)；兩個有不同集電極電流密度的雙極型晶體管的基極-發(fā)射極電壓之差?駐VBE隨溫度升高而增大，擁有正的溫度系數(shù)。將VBE與?駐VBE以適當(dāng)權(quán)重相加即可得到零溫度系數(shù)[8]。圖2所示的Ibias1、Ibias2通過帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生，因此Ibias1、Ibias2具有良好的抗溫漂性能以及噪聲抑制性能，并能很好地改善功放的線性度。
1.4 匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計
    匹配網(wǎng)絡(luò)通常采用從后往前的設(shè)計方式。首先設(shè)計輸出匹配網(wǎng)絡(luò)，由設(shè)計指標(biāo)得到能使功放輸出預(yù)定功率最佳的負(fù)載阻抗Ropt2，然后將Ropt2變換到負(fù)載阻抗，實(shí)現(xiàn)最大功率輸出。如圖2所示，C5、C6、L3、L5為輸出匹配網(wǎng)絡(luò)。在設(shè)計級間匹配網(wǎng)絡(luò)時，同樣需要找出能使驅(qū)動級輸出預(yù)定功率最佳的負(fù)載阻抗Ropt1，然后將輸出級的輸入阻抗變換到Ropt1，實(shí)現(xiàn)最大功率傳輸。C3、C4、L2、L4為級間匹配網(wǎng)絡(luò)。最后設(shè)計輸入匹配電路，使驅(qū)動級的輸入阻抗與源阻抗50 ?贅匹配，C1、L1、C2為輸入匹配網(wǎng)絡(luò)。
2 版圖與仿真結(jié)果
    版圖設(shè)計采用Cadence Virtuso工具。在設(shè)計中要盡量實(shí)現(xiàn)緊湊、合理的布局走線,同時也要充分考慮各種寄生效應(yīng),因?yàn)檫@些寄生效應(yīng)會對PA的性能產(chǎn)生重要影響。為實(shí)現(xiàn)完整的射頻收發(fā)功能，設(shè)計時將PA、低噪聲放大器(LNA)、CMOS控制模塊集成在同一個版圖上來構(gòu)成射頻前端芯片。本設(shè)計的射頻前端芯片的面積為1.5 mm×1 mm。
    采用Cadence SpectreRF對電路進(jìn)行仿真和優(yōu)化。在考慮了ESD、鍵合線電感以及焊盤等因素影響后得到以下仿真結(jié)果。
    圖3為功放的輸出功率和功率增益隨輸入功率的變化曲線，當(dāng)輸入功率在-30 dBm～-9 dBm范圍內(nèi)時，功放的功率增益約為33.28 dB。放大器的飽和輸出功率達(dá)到30.68 dBm，可見功放具有很高的輸出功率，可滿足WLAN室外大功率、遠(yuǎn)距離的應(yīng)用。

    圖4所示為功放的輸出1 dB壓縮點(diǎn)和三階交調(diào)點(diǎn)隨輸入功率變化的曲線，在1 dB壓縮點(diǎn)處，輸入功率為-3.76 dBm，輸出功率為28.21 dBm；三階交調(diào)點(diǎn)處輸出功率為39.33 dBm，可見PA具有很好的線性度。
    圖5是功率附加效率(PAE)隨輸入功率變化的曲線，在1 dB壓縮點(diǎn)處，PAE約為30.26%。
    表1概括了本電路的性能參數(shù)以及與參考文獻(xiàn)中其他電路的對比。由表可見，本電路在功率增益、輸出1 dB壓縮點(diǎn)、PAE方面均有明顯優(yōu)勢。

    設(shè)計采用了SMIC 0.18 μm RF CMOS工藝模型。放大電路采用兩級cascode自偏置的架構(gòu)，采用帶隙基準(zhǔn)為放大器提供偏置，通過調(diào)整和優(yōu)化晶體管的W/L、偏置電流以及最佳負(fù)載阻抗的值，可有效提高電路的輸出功率及線性度。仿真結(jié)果表明，小信號功率增益為33.28 dB，放大器的飽和輸出功率為30.68 dBm；在1 dB壓縮點(diǎn)處輸出功率為28.21 dBm，PAE為30.26%，可應(yīng)用于WLAN 802.11b/g高功率高線性射頻發(fā)射系統(tǒng)中。
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