日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用小尺寸、散熱增強(qiáng)型PowerPAK^®MLP 5mm x 5mm的31pin封裝的VRPower^®集成DrMOS新品---SiC620。Vishay Siliconix SiC620輸出電流超過60A，尺寸比前一代6mm x 6mm尺寸小30%，但效率更高出3%，最高可達(dá)95%。這些器件封裝的寄生參數(shù)比離散方案小，使開關(guān)頻率可以達(dá)到1.5MHz，能有效提高功率密度，降低總體方案成本。

該器件包含的高端和低邊TrenchFET^®Gen IV N溝道低導(dǎo)通阻抗的MOSFET，先進(jìn)的MOSFET驅(qū)動IC，以及自舉的肖特基勢壘二極管，全部集成在小尺寸25mm²面積內(nèi)。SiC620的驅(qū)動IC兼容各種PWM控制器，支持5V和3.3V的三態(tài)PWM邏輯。

SiC620家族完全符合DrMOS 4.0標(biāo)準(zhǔn)，針對筆記本電腦、服務(wù)器、游戲機(jī)、圖形卡、交換機(jī)和存儲系統(tǒng)，以及其他采用CPU的高功率系統(tǒng)中的高功率、多相降壓穩(wěn)壓器，以及大電流的非隔離負(fù)載點(diǎn)模塊。Buck變換器在12V輸入時是最優(yōu)的，輸入電壓可以從4.5V到16V的范圍，PWM傳輸延遲小于20ns。器件具有優(yōu)異的散熱性能，工作溫度比前一代方案的溫度低50℃以上。

器件的驅(qū)動IC集成了零電流檢測電路，可以改善輕負(fù)載條件下的效率，且自適應(yīng)式死區(qū)時間控制有助于進(jìn)一步提高所有負(fù)載點(diǎn)下的效率。保護(hù)功能包括欠壓鎖定(UVLO)、擊穿保護(hù)和過熱警告以便在結(jié)溫過高時向系統(tǒng)發(fā)出告警。