半導(dǎo)體工藝邁過(guò)20nm大關(guān)之后，各大巨頭似乎都被1Xnm工藝忙得焦頭爛額。前有臺(tái)積電16nm連續(xù)跳票、第三季度才能量產(chǎn)，后有三星14nm FinFET工藝克服此前問(wèn)題剛剛上道。而近日在半導(dǎo)體工藝遙遙領(lǐng)先的英特爾也有些力不從心，Intel CEO科再奇近日的談話暗示，英特爾10nm‘還在繼續(xù)研究，尚未確立時(shí)間表’。
據(jù)悉，如果按照原先的Tick-Tock發(fā)展模式，后續(xù)進(jìn)展順利的話，Intel應(yīng)該在2016年底推出10nm工藝新品，據(jù)說(shuō)代號(hào)為 “Cannonlake”，取代這兩年的14nm Broadwell/Skylake，但情況極為不樂(lè)觀。而根據(jù)科柯再奇近日的公開(kāi)談話暗示，意味著10nm新品2016年底面世的可能性不大。
半導(dǎo)體工藝?yán)洗?span id="ocyq2ks" class="contentlabel">英特爾進(jìn)展緩慢，緊隨的小弟更是如此。近來(lái)關(guān)于臺(tái)積電16nm Fin FET工藝進(jìn)展不順的風(fēng)言風(fēng)語(yǔ)很多，比如說(shuō)設(shè)備安裝推遲到下半年，大規(guī)模量產(chǎn)可能得等明年了，迫使高通、蘋(píng)果兩大客戶紛紛投靠三星14nm Fin FET。
英特爾先進(jìn)工藝進(jìn)展緩慢
在近日的投資者大會(huì)上，臺(tái)積電董 事長(zhǎng)張忠謀也承認(rèn)，2015年的Fin FET技術(shù)市場(chǎng)上，臺(tái)積電將會(huì)輸給三星，但在2017-2018年，臺(tái)積電將會(huì)實(shí)現(xiàn)反超。他同時(shí)披露說(shuō)，已經(jīng)有50多名客戶利用臺(tái)積電16nm Fin FET工藝完成了新品流片工作，大多數(shù)會(huì)在2015年第三季度投入量產(chǎn)，新工藝也將在第四季度貢獻(xiàn)5-10%的收入。
這基本就表明了，2015年中量產(chǎn)已經(jīng)不可能，而從收入比例上看，所謂的第三季度量產(chǎn)也僅僅是個(gè)開(kāi)始，真正成熟最快也得今年底，和此前的推測(cè)基本相符。
看來(lái)不僅僅GPU制造工藝進(jìn)展緩慢，連英特爾的CPU工藝也開(kāi)始逐漸放緩了。由于芯片制造工藝的拖延放緩，恐怕提高處理器性能的唯一手段就是從架構(gòu)上面改善了。畢竟工藝只是一個(gè)代工過(guò)程，架構(gòu)設(shè)計(jì)的好才是真材實(shí)料。