全球第2大NAND型快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory）廠商東芝 （ Toshiba ）5日發(fā)布新聞稿宣布，為加快次世代半導(dǎo)體露光技術(shù)「納米壓印技術(shù)（Nano-imprint Lithography；NIL）」的研發(fā)腳步，已和南韓半導(dǎo)體大廠SK 海力士 （SK Hynix ）正式簽署契約，雙方技術(shù)人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關(guān)鍵技術(shù)，目標(biāo)為在2017年實(shí)用化。

　　東芝于去年12月和SK海力士（SK Hynix）就NAND Flash侵權(quán)案一事達(dá)成和解，海力士（Hynix）除同意支付東芝2.78億美元（約330億日圓）和解金外，雙方當(dāng)時(shí)也宣布將攜手研發(fā)被稱為「納米壓?。∟anoimprint）」的次世代半導(dǎo)體露光技術(shù)。

　　據(jù)日經(jīng)新聞指出，東芝已于2014年開始量產(chǎn)全球最先端的15nm NAND Flash產(chǎn)品，而就現(xiàn)行技術(shù)來看，15nm被視為是存儲(chǔ)器電路線幅細(xì)微化的極限，而東芝期望借由研發(fā)NIL技術(shù)、突破細(xì)微化極限，讓已逼近極限的電路線幅能進(jìn)一步細(xì)微化，以借此提高產(chǎn)品性能及成本競爭力。

　　日經(jīng)指出，東芝目前已和Canon攜手研發(fā)NIL制造設(shè)備，而東芝和SK 海力士（SK Hynix）于NIL制程技術(shù)的研發(fā)成果也將回饋至制造設(shè)備的研發(fā)上。

　　另據(jù)日刊工業(yè)新聞指出，東芝期望藉由NIF技術(shù)的實(shí)用化來降低3D NAND Flash的成本。