與其它存儲器" title="存儲器">存儲器技術相比，DDR" title="DDR">DDRSDRAM" title="SDRAM">SDRAM具有出眾性能、很低的功耗以及更具競爭力的成本。可與以前的SDRAM技術相比，DDRx存儲器需要一個更復雜的電源管理新架構。本文探討了DDR電源管理架構的理想選擇。

　　雙PWM控制器

　　現在市面上有各種DDR電源IC，如集成MOSFET的ML6553/4/5、適用于大功率系統的FAN5066和FAN5068、DDRx和先進配置及電源接口(ACPI)的組合等。另一種器件FAN5236是專門為DDRx存儲器系統的一體化供電要求而設計的器件，這個單片IC集成了一個VDDQ開關控制器，一個VTT開關控制器和一個VREF線性緩沖器。

　　VDDQ開關可以輸出5~24V范圍內的任何電壓，但VTT的開關則不同，它由VDDQ電源供電，并與VDDQ開關同步動作。這兩個開關的輸出都可在0。9~5。5V范圍內變化。由于VDDQ總線信號線的驅動電壓為2。5V(DDR)或1。8V電壓(DDR2)，VTT的端接電壓為1。25V(DDR)或0。9V(DDR2)，所以在VTT和VDDQ之間存在一定程度的功率循環。將VTT與VDDQ分離，就可以將其間的功率循環以及由此產生的損耗降到最低。VTT開關在待機模式下也可以關閉。

　　雙PWM控制器的應用

　　圖2中給出了一個連續電流為4A、峰值電流為6A的VDDQ典型應用，表中也列出了其材料清單。請注意，在圖2中，外部的矩形代表FAN5236雙脈寬調制器(PWM)，其中標有PWM1和PWM2的小矩形代表IC內部的兩個轉換開關。另外還需要注意的是，在表中FAN5236被稱為DDR控制器，元件名為U1。可以很容易地對這個電路進行修改，通過分壓器R5/R6，將VDDQ設置為1.8V，將VTT設置到0.9V，以適用DDR2應用。

　　設置輸出電壓FAN5236PWM控制器的內部基準電壓為0。9V，其輸出由分壓器分壓到VSEN腳(R5和R6)，因此輸出電壓為：0。9V/R6=(VDDQ×0。9V)/R5。