日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，該公司的SQJ402EP 100V N溝道功率MOSFET和DG250x系列精密單片四路單刀單擲(SPST)模擬開(kāi)關(guān)榮獲《中國(guó)電子商情》雜志的2014年度編輯選擇獎(jiǎng)。

《中國(guó)電子商情》2014年度編輯選擇獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品是根據(jù)這些產(chǎn)品在中國(guó)市場(chǎng)上的銷售業(yè)績(jī)和技術(shù)創(chuàng)新選出的。Vishay的SQJ402EP和DG250x系列產(chǎn)品在中國(guó)市場(chǎng)上取得了顯著成績(jī)，分別榮獲“中國(guó)汽車電子最具競(jìng)爭(zhēng)力方案獎(jiǎng)”和“中國(guó)可穿戴設(shè)備最具競(jìng)爭(zhēng)力方案獎(jiǎng)”。

在通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的首批TrenchFET?功率MOSFET中，采用ThunderFET?技術(shù)和只有DPAK一半大小的小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L 封裝的Vishay Siliconix SQJ402EP具有最低的導(dǎo)通電阻，能在汽車應(yīng)用里提高效率，節(jié)省空間。MOSFET的連續(xù)漏極電流達(dá)32A，適用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元的噴射增壓應(yīng)用和照明控制單元里照明鎮(zhèn)流器的反激式轉(zhuǎn)換器。SQJ402EP的典型總柵極電荷為34nC，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積的優(yōu)值系數(shù)(FOM)較低，能降低開(kāi)關(guān)損耗，提高整體系統(tǒng)效率。

Vishay Siliconix DG2501、DG2502和DG2503采用超緊湊WCSP 4 x4球形焊點(diǎn)封裝，是業(yè)內(nèi)最小的SPST模擬開(kāi)關(guān)，在可穿戴電子設(shè)備和傳感器、便攜式醫(yī)療設(shè)備、消費(fèi)類產(chǎn)品、工業(yè)和通信設(shè)備里能夠顯著節(jié)省空間。DG2501、DG2502和DG2503的尺寸為1.4mm x 1.4mm，間距為0.35mm，頂面分層封裝增加堅(jiān)固性，尺寸比最接近的競(jìng)爭(zhēng)器件小50%，比采用標(biāo)準(zhǔn)QFN16封轉(zhuǎn)的開(kāi)關(guān)產(chǎn)品小95%。小尺寸和小于0.01μW的典型功耗，使這些器件能有效延長(zhǎng)電池壽命。

自2011年起，《中國(guó)電子商情》雜志每年都頒發(fā)編輯選擇獎(jiǎng)。在2011年，Vishay的VJ系列無(wú)磁MLCC榮獲“2011年度中國(guó)最具競(jìng)爭(zhēng)力電容器產(chǎn)品獎(jiǎng)”。2012年，Vishay的MKP1848金屬化直流聚丙烯膜電容器和Si7655DN P溝道MOSFET分別榮獲“中國(guó)最具競(jìng)爭(zhēng)力電容器產(chǎn)品獎(jiǎng)”和“中國(guó)最具競(jìng)爭(zhēng)力功率器件產(chǎn)品獎(jiǎng)”。

《中國(guó)電子商情》2014年度編輯選擇獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品公布在雜志的2015年1月刊上。

VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無(wú)源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。