全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。
本產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了300A的額定電流，因此可用于工業(yè)設(shè)備用的大容量電源等更大功率的應(yīng)用中。另外，與一般的IGBT模塊相比，開關(guān)損耗降低了77%，可高頻驅(qū)動(dòng)，因此還非常有助于周邊元器件和冷卻系統(tǒng)等的小型化。
本模塊已經(jīng)開始出售樣品，預(yù)計(jì)于2015年6月份開始量產(chǎn)出貨。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.（福岡縣），后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部工廠（京都市）＜背景＞自從ROHM于2012年3月世界首家開始將內(nèi)置的功率半導(dǎo)體元件全部由碳化硅組成的“全SiC”功率模塊投入量產(chǎn)以來，生產(chǎn)的1200V/120A、180A產(chǎn)品在工業(yè)設(shè)備等中的采用越來越廣泛。因其優(yōu)異的節(jié)能效果，支持更大電流的產(chǎn)品陣容倍受期待，但為了最大限度地發(fā)揮SiC產(chǎn)品的特點(diǎn)---高速開關(guān)性能，需要開發(fā)能夠抑制開關(guān)時(shí)浪涌電壓影響（大電流化帶來的課題）的新封裝。
此次，ROHM通過優(yōu)化芯片配置和模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與以往產(chǎn)品相比，成功地大幅降低了模塊內(nèi)部電感。由此，可抑制浪涌電壓，從而實(shí)現(xiàn)了300A的更大電流。
今后，ROHM還會(huì)繼續(xù)開發(fā)支持更高耐壓的模塊，并使用溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC元器件，開發(fā)出更大額定電流的產(chǎn)品，不斷強(qiáng)化產(chǎn)品陣容。
＜特點(diǎn)＞
1. 降低開關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)高頻化
與同等額定電流的IGBT模塊相比，開關(guān)損耗降低了77％。將IGBT模塊替換為本產(chǎn)品有望大幅降低開關(guān)損耗，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)冷卻機(jī)構(gòu)的小型化。另外，通過更高頻率的開關(guān)動(dòng)作，還可實(shí)現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化。通過使用SiC模塊，不僅可實(shí)現(xiàn)更高效率，還有助于設(shè)備的小型化。
2. 降低封裝內(nèi)部電感，實(shí)現(xiàn)更大電流
隨著對(duì)功率模塊產(chǎn)品的更大額定電流的追求，開關(guān)工作時(shí)的浪涌電壓也不斷增大，因此，需要降低封裝內(nèi)部的電感。本產(chǎn)品通過優(yōu)化內(nèi)置SiC元件的配置及內(nèi)部格局，開發(fā)出內(nèi)部電感比以往產(chǎn)品降低約一半的封裝。由此，成功開發(fā)出額定電流300A的產(chǎn)品。
＜本產(chǎn)品的組成＞
搭載SiC-SBD和SiC-MOSFET的“全SiC”模塊產(chǎn)品?使用與標(biāo)準(zhǔn)的IGBT模塊同樣外形的封裝?搭載熱敏電阻
保證Tjmax=175℃
＜SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容＞
＜術(shù)語解說＞
電感
表示使流動(dòng)的電流發(fā)生變化時(shí)因電磁感應(yīng)產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)的大小的量。
熱敏電阻
對(duì)于溫度變化，電阻變化較大的電阻體。作為測(cè)量溫度的傳感器使用。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極晶體管。在柵極裝有MOSFET的雙極晶體管。
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。是FET中最被普遍使用的結(jié)構(gòu)。作為開關(guān)元件使用。
SBD（Schottky Barrier Diode）
通過使金屬和半導(dǎo)體接觸從而形成肖特基結(jié)，利用其可獲得整流性（二極管特性）的二極管。具有“無少數(shù)載流子存儲(chǔ)效應(yīng)、高速性能卓越”的特點(diǎn)。