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Vishay新款薄膜條MOS電容器為混合裝配提供高功率

2015-05-18
關鍵詞: Vishay 電容器 GaN應用

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,針對高功率混合裝配、SiC和GaN應用中的使用環境,推出新的薄膜條MOS電容器。Vishay Dale Resistors Electro-Films BRCP可處理高功率,工作電壓高達100V,有120mil x 35mil(外形A)和240mil x 35 mil(外形B)兩種小外形尺寸,能夠在不犧牲性能的情況下,實現更小的產品設計。

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  今天推出的這些器件具有高工作電壓和5pF~100pF的電容,以及魯棒的MOS結構,適用于LC、RC或LRC濾波,RF扼流,以及直流隔離和阻抗匹配。對于這些應用,BRCP可以采用多引線鍵合,最小容值的外形A、外形B的電容器分別有7個鍵合和15個鍵合。
  條形電容器的TCC低至±50ppm/℃,絕對公差只有±5%。器件具有優異的負載壽命穩定率,可以在-55℃~+150℃溫度范圍內工作。
  BRCP條形MOS電容器現可提供樣品,并已實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十周。
  VISHAY簡介
  Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000 強企業”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、國防、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站 www.vishay.com。

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