因應(yīng)高通（Qualcomm）、聯(lián)發(fā)科近期在LTE SoC市場猛烈攻勢，Marvell也積極與臺積電合作開發(fā)獨家芯片互連技術(shù)，期以2.5D封裝堆疊16和28納米晶圓，實現(xiàn)業(yè)界首創(chuàng)模組化、 VSoC（Virtual SoC）設(shè)計架構(gòu)--MoChi（Modular Chip），從而打造成本效益與功能整合度更佳的移動處理器SoC，預(yù)計今年底新產(chǎn)品即可問世。

　　Marvell全球業(yè)務(wù)副總裁Sean Keohane認為，具備較低成本、高整合度設(shè)計優(yōu)勢，將是Marvell在未來移動處理器戰(zhàn)場勝出關(guān)鍵。

　　Marvell 全球業(yè)務(wù)副總裁Sean Keohane表示，1x納米鰭式電晶體（FinFET）制程絕對是移動處理器業(yè)者當(dāng)前的研發(fā)焦點；然而，16/14納米FinFET系統(tǒng)單芯片 （SoC）除復(fù)雜度遽增外，成本也令人望之卻步，光是光罩（Mask）開支就上看500萬美元，一旦設(shè)計出錯還要重開一次，在在加重芯片商投資風(fēng)險和壓 力，更難以滿足終端產(chǎn)品開發(fā)與制造商殷切追求的高效能、親民價格需求。這促使業(yè)界須顛覆傳統(tǒng)設(shè)計框架，以截然不同的思維打造SoC。

　　事實上，高通、聯(lián)發(fā)科近來積極較勁，皆重兵部署祭出20納米7模LTE Cat. 6處理器，而高通更推進至LTE Cat. 9規(guī)格，聯(lián)發(fā)科則將CPU競賽門檻拉高至十核心，因而讓身為第三勢力，產(chǎn)品規(guī)格仍停留八核心、5模LTE的Marvell備感壓力。為保衛(wèi)國際品牌市占， 并持續(xù)開拓中國大陸4G市場，Marvell已開始押寶下一代16納米FinFET制程，醞釀反擊攻勢。

　　Keohane強調(diào)，未來，處理 器效能、整合度和成本優(yōu)勢缺一不可，Marvell于今年世界移動通訊大會（MWC）搶先發(fā)表VSoC架構(gòu)--MoChi，正是應(yīng)運如今高投資、高風(fēng)險與 高復(fù)雜度的16納米FinFET設(shè)計而生。MoChi可將SoC中最主要的CPU/GPU，以及LTE、Wi-Fi Combo等周邊關(guān)鍵通訊元件各視為一個模組，靈活運用16納米或28/20納米制程，再透過獨家定義的晶圓互連（Interconnect）介面、虛擬 化架構(gòu)和2.5D封裝技術(shù)實現(xiàn)新時代SoC。

　　Keohane分析，移動SoC全面邁向64位元架構(gòu)，并整合應(yīng)用處理器、多頻多模LTE數(shù) 據(jù)機，以及無線區(qū)域網(wǎng)路（Wi-Fi）802.11ac加藍牙（Bluetooth）4.1多功能整合（Combo）芯片已是時勢所趨，但隨著SoC牽涉 更多技術(shù)層面，設(shè)計出錯風(fēng)險難免攀升。因此，Marvell與臺積電全力發(fā)展MoChi，將仿效PC處理器南北橋芯片組概念，以16納米FinFET開發(fā) 多核心CPU/GPU，追求更高邏輯運算能力；再以成熟的28/20納米打造LTE數(shù)據(jù)機和Wi-Fi Combo，達成較高經(jīng)濟效益，最終透過2.5D矽中介層（Interposer）或3D矽穿孔（TSV）堆疊封裝成SoC。

　　如此一來， 處理器廠不僅能將雞蛋分散至多個籃子上，還能加速先進制程設(shè)計流程，同時提升產(chǎn)品性價比，進一步滿足系統(tǒng)廠要求。Keohane更透露，由于移動裝置擴增 電源管理芯片（PMIC）、射頻芯片（RF IC）等類比方案的需求高漲，因此該公司也計畫在2016年將MoChi SoC架構(gòu)推向類比/數(shù)位制程整合的層次。